예제 회로
문서에 실린 회로 515개가 전부 실행 가능한 파일입니다. 워크벤치에서 열면 검증하고 시뮬레이션할 수 있습니다.
1장. 직류 회로의 기본
같은 1/4 인데 300k/100k — 누설이 37.5 mV 를 먹는다
adc-divider-300k.yaml비율은 위와 똑같이 1/4 이고 소비 전류는 30 µA 로 1/10 입니다.12 V → 3.0 V, 30k/10kadc-divider-30k.yaml위에서 고른 값 그대로입니다.바이어스 전압에 버퍼가 "반드시" 필요한 이유bias-buffer.yaml위 표의 **"바이어스 전압 생성 — 반드시 버퍼 필요"** 가 왜분류기 — 분자가 상대방 저항인 이유current-divider.yaml3 mA 를 1 kΩ 과 2 kΩ 에 나눠 흘립니다.기본 분압기divider-basic.yaml부하가 없을 때의 순수한 분압 — 출력은 정확히 절반출력 커패시터의 이중성 — 같은 100 nF 이 도움이자 방해divider-cap-tradeoff.yaml30k/10k 분압기(R_out = 7.5 kΩ) 출력에 100 nF 을 답니다. 위 표의부하 R_L 은 R₂ 와 병렬divider-one-load.yaml위 식 그대로입니다. R_L 이 R₂ 와 병렬이 되어 아래쪽 저항이분압비가 주파수에 따라 달라진다 — 기생 용량 20 pFdivider-parasitic.yaml위 표의 **"주파수와 무관 → 기생 용량이 저역통과를 만든다"** 를부하가 걸린 분압기loaded-divider.yamlRL을 바꿔가며 출력이 어떻게 무너지는지 본다옴의 법칙 확인ohms-law.yaml저항 전력 정격 검사power-rating.yamlR₁C₁ = R₂C₂ 를 맞춘 프로브와 안 맞춘 프로브probe-compensation.yaml10:1 프로브입니다. 9 MΩ / 1 MΩ 로 1/10 을 만들고, 스코프 입력직병렬 혼합 회로series-parallel.yaml2장. 회로 해석법
전압 제어 전류원의 출력 임피던스
dependent-source.yaml시험전압 VX 를 걸고 흐르는 전류를 본다. R = VX / I 가 1/gm 에 가까운지소스 임피던스가 대역폭을 결정한다loading-bandwidth.yaml두 메시 회로mesh-analysis.yaml손으로 푼 I1 = 5 mA, I2 = 0 을 시뮬레이션으로 확인노드 해석 예제node-analysis.yaml직렬 + 병렬 두 갈래parallel-branch.yamlR2 와 R3 가 병렬(2k)이므로 12 V 가 2k 대 2k 로 나뉜다중첩의 원리superposition.yaml테브난 등가 검증thevenin.yaml원래 회로와 등가 회로가 같은 부하에서 같은 출력을 내는지 확인두 전원 회로 (KCL 검산)two-source.yaml3장. 커패시터와 인덕터
4장. 교류와 주파수 영역
보드선도 확인 (2차 필터)
bode-plot.yaml베셀·버터워스·체비셰프 — ζ 하나가 다를 뿐filter-approximations.yaml같은 RLC 2차 저역통과입니다. R1 하나로 ζ 를 바꿉니다.LC 공진과 Qlc-resonance.yamlRC 고역통과 필터rc-highpass.yaml저역통과와 R·C 위치만 바뀌었다 — 차단주파수 공식은 같다RC 직렬 임피던스와 위상rc-impedance.yamlRC 저역통과 필터rc-lowpass.yamlRLC 감쇠비와 링잉rlc-damping.yamlR1을 10 → 200 → 630 Ω 으로 바꾸며 계단 응답의 오버슈트를 비교. 630 Ω 에서 ζ=1정현파의 RMS 확인rms-check.yaml극점 두 개의 보드선도two-pole-cascade.yaml159 Hz와 15.9 kHz에 극점. 기울기가 -20에서 -40 dB/dec로 꺾이는지 본다5장. 다이오드
다이오드의 60 mV/decade
diode-iv-decade.yaml전류를 10배씩 늘리며 VF 가 60 mV 씩 오르는지 본다다이오드 I-V 특성diode-iv.yaml플라이백 다이오드flyback.yamlD1을 제거하고 돌리면 스위치 노드 전압이 폭주하는 것을 볼 수 있다반파 정류와 평활half-wave-rectifier.yamlLED 직결 (의도적 오류 예제)led-no-resistor.yamlcircuit check가 W301(LED 직렬 저항 없음)을 잡는지 확인하는 예제입니다.LED 전류제한 저항led-resistor.yaml제너 션트 레귤레이터zener-shunt-reg.yaml6장. 트랜지스터
BJT 동작 영역
bjt-regions.yaml이미터 공통 증폭기 (기본 구조)ce-simple.yaml바이어스를 전압원으로 대신한 최소 구조. 실제 회로는 common-emitter.yaml 의 분압 바이어스를 쓴다이미터 공통 증폭기 (분압 바이어스)common-emitter.yamlgm/ID 와 동작점gm-id-sweep.yamlVG 를 1.5 / 2.0 / 2.5 V 로 바꿔 ID 와 소신호 이득이 어떻게 따라가는지 본다밀러 효과에 의한 대역폭 저하miller-effect.yamlRS를 100/10k/1M으로 바꿔가며 -3dB 지점이 어떻게 움직이는지 본다MOSFET 로우사이드 스위치mosfet-switch.yaml3.3 V 로 게이트를 몰면서 1 A 를 흘리므로 **로직 레벨** 부품이라야NPN 로우사이드 스위치npn-switch.yamlPNP 하이사이드 스위치pnp-high-side.yaml부하가 GND 쪽에 붙는다. MCU가 3.3V라 12V 레일을 직접 끌 수 없으므로 Q2(NPN)로 Q1의 베이스를 끌어내린다소스 팔로워의 임피던스 변환 효과source-follower-loading.yaml전극 직결 버전(no-buffer.yaml)과 대역폭을 비교한다게이트 저항이 스위칭 속도와 손실에 미치는 영향switching-loss.yamlRG를 10/100/1000으로 바꿔 드레인 파형의 상승시간을 비교7장. OP앰프
버퍼가 로딩 문제를 해결한다
buffer-loading.yaml용량성 부하와 발진cap-load-oscillation.yamlCL을 10p/1n/10n으로 바꾸며 스텝 응답의 링잉을 관찰차동 증폭기의 CMRR과 저항 정합diff-amp-cmrr.yamlR3를 10k에서 10.1k로 바꾸면(1% 불일치) CMRR이 얼마나 나빠지는지 본다3-OP앰프 계측 증폭기instrumentation-amp.yamlU1·U2 가 입력을 받고 RG 로 이득을 정한다. U3 가 차동을 단일 출력으로 바꾼다루프 이득 측정 (중단점 주입)loop-gain-probe.yamlLINJ 로 DC 는 닫고 AC 만 끊는다. VINJ 를 넣고 FBIN/FBOUT 의 비를 본다비반전 증폭기 (이득 11)non-inverting.yamlGBW가 대역폭을 제한한다opamp-gbw.yamlR1을 바꿔 이득을 10/100/1000으로 하고 -3dB 지점을 비교살렌-키 2차 저역통과 (버터워스 5kHz)sallen-key-lpf.yaml슈미트 트리거 (히스테리시스)schmitt-trigger.yaml위상 여유와 이득 여유stability-margins.yamlCL 을 100p / 1n / 10n 으로 바꿔 가며 루프 이득의 위상이 -180 에 언제 닿는지 본다반전 가산기summing-amp.yaml세 입력이 가상 접지에서 전류로 합쳐진다 — Vout = -Rf(V1/R1 + V2/R2 + V3/R3)볼티지 팔로워 (버퍼)voltage-follower.yaml출력을 반전 입력에 그대로 되먹임 — 이득 1, 입력 임피던스는 매우 높다8장. 전원 회로
벅 컨버터의 CCM 과 DCM
buck-ccm-dcm.yamlRLOAD 를 1.65 / 16.5 / 66 Ω 으로 바꾸며 인덕터 전류가 0 에 닿는지 본다출력 LC 와 ESR 영점buck-lc-esr.yamlRESR 을 3m / 50m / 200m 으로 바꾸며 위상이 얼마나 되돌아오는지 본다벅 출력 리플과 LC 필터buck-output-filter.yaml벅 컨버터 기본 구조buck-topology.yaml12V 입력을 듀티 42%로 스위칭해 약 5V를 만든다. SW·D·L·C 네 부품이 전부다디커플링 네트워크의 임피던스decoupling-impedance.yaml100n 하나, 10u 하나, 둘 병렬을 비교하면 반공진이 보인다댐핑된 LC 전원 필터lc-filter-damped.yamlRD/CD 를 제거하면 50 kHz 부근에서 노이즈가 증폭되는 것을 볼 수 있다.LDO 입출력 커패시터ldo-decoupling.yaml정류기의 전류 파형과 역률rectifier-power-factor.yamlC1 을 10u / 100u / 470u 로 바꾸며 전류 펄스가 얼마나 뾰족해지는지 본다P-MOSFET 역전압 보호reverse-protection.yamlVIN을 -12V로 바꾸면 출력이 차단되는지 확인9장. 디지털 회로
BSS138 양방향 레벨 시프터 (I2C)
bss138-levelshift.yaml게이트를 낮은 쪽 전압(3.3V)에 고정한다. 소스가 3.3V측, 드레인이 5V측클럭 배선의 링잉과 직렬 종단clock-ringing.yamlRS를 0/22/47Ω으로 바꾸며 링잉을 비교크리스털 부하 커패시터의 영향crystal-load.yaml크리스털을 등가 RLC로 모델링해 공진 주파수를 확인채널 전환과 세틀링fsm-settle-timing.yamlEN 을 끄고 주소를 바꾸는 구간이 세틀링에 어떻게 더해지는지 본다멀티플렉서 인에이블 글리치glitch-mux-enable.yaml주소가 바뀌는 동안 EN 을 끄면 스위치가 겹쳐 켜지지 않는다I2C 풀업 저항과 상승 시간i2c-pullup.yamlRP를 1k/4.7k/10k로 바꾸며 상승 시간을 비교저항 분압 레벨 시프터 (5V → 3.3V)level-shift-divider.yamlCIN 은 입력 핀 + 배선 기생 용량. R 이 크면 이 C 와 만나 에지가 느려진다멀티플렉서 세틀링과 크로스토크mux-settling.yaml두 채널을 번갈아 선택하며 세틀링이 충분한지 확인크리스털 부하 커패시터 배치 (피어스 발진기)pierce-oscillator.yaml크리스털을 등가 RLC 로 놓고 C1·C2 가 XIN·XOUT 에서 GND 로 가는 배치를 본다10장. MCU 인터페이싱
ADC 샘플링 커패시터 충전
adc-acquisition.yamlRSRC를 1k/10k/100k로 바꾸며 세틀링 시간을 비교ADC 드라이버의 선형성adc-driver-thd.yaml진폭을 0.5 / 2 / 4.9 Vpp 로 바꿔 가며 출력이 레일에 가까워질 때 어떻게 되는지 본다ADC 드라이버 (버퍼 + R_iso + C_filt)adc-driver.yamlR_iso 가 OP앰프와 용량성 부하를 떼어 놓는다. R_iso·C_filt 가 마지막 저역 필터도 겸한다ADC 입력에 외부 커패시터 달기adc-ext-cap.yamlCEXT 가 샘플링 순간 전하를 공급한다. 대신 RS×CEXT 만큼 재충전이 느리다안티에일리어싱 필터 (2차, 5kHz)antialiasing.yamlRC 디바운싱 필터debounce-rc.yaml채터링을 펄스열로 모사하고 RC가 걸러내는지 본다GPIO 직렬 저항이 에지를 완만하게 한다gpio-slew.yaml모터 전류 션트 감지motor-current-shunt.yaml모터 전류 2A 를 0.05Ω 션트로 100mV 로 바꾸고, 차동 증폭기로 20배 키워 2V 를 ADC 에 준다PWM DAC 의 리플과 정착pwm-dac-ripple.yamlR1·C1 을 키우며 리플이 줄고 정착이 느려지는 것을 같이 본다PWM을 RC로 평활한 아날로그 출력pwm-dac.yamlPWM 주파수와 RC를 바꾸며 리플을 비교SPI 클럭의 직렬 종단spi-termination.yamlRS를 0/33/100Ω으로 바꾸며 링잉을 비교11장. 기생 성분
디커플링 반공진
decoupling-antiresonance.yamlC2(10µ)를 제거하거나 ESR을 키우면 반공진 피크가 어떻게 변하는지 본다전극 버퍼 — 이상 모델electrode-buffer-ideal.yaml기생 성분이 하나도 없는 모델입니다.전극 버퍼 — 기생 포함 모델electrode-buffer-real.yamlelectrode-buffer-ideal.yaml과 같은 회로에 실제 기생 성분만 추가했습니다.가드링이 기생 용량을 무효화한다guard-ring-effect.yaml가드를 접지에 연결한 버전(no-guard.yaml)과 대역폭을 비교프로브 로딩이 대역폭을 제한한다probe-loading.yamlCP를 0(프로브 없음)/10p(10:1)/100p(1:1)로 바꿔 비교직렬 종단의 효과series-termination.yamlRS 를 0.1 / 25 / 50 Ω 으로 바꿔 가며 수신단 오버슈트를 본다션트 저항의 기생 인덕턴스가 만드는 측정 오차shunt-inductance.yamlLS를 0으로 하면 이상적인 경우와 비교할 수 있다배선 기생 용량이 고임피던스 신호를 죽인다trace-capacitance.yamlCT를 0.5p/6p/20p로 바꾸며 대역폭 변화를 본다12장. 노이즈와 신호 무결성
소스 임피던스 불균형이 CMRR을 떨어뜨린다
cmrr-imbalance.yamlRE2를 RE1과 같게 하면 출력이 0에 가까워진다용량성 크로스토크crosstalk.yamlRVIC(희생 노드 임피던스)를 1k/100k/10MEG로 바꾸며 결합량을 비교드리븐 실드가 케이블 용량을 무효화한다driven-shield.yamlCS.2를 GND에 연결한 버전과 대역폭을 비교공통 임피던스 결합ground-bounce.yamlRGND(공유 접지 저항)를 0으로 하면 간섭이 사라진다접지 루프와 절연 장벽ground-loop.yaml두 접지 사이의 60 Hz 전위차(VG 1 V)가 절연된 쪽으로 얼마나유도성 결합inductive-coupling.yamlK(결합 계수)를 줄이면 간섭이 감소한다60Hz 용량성 픽업 모델mains-pickup.yamlCC(결합 용량)와 RIN(입력 임피던스)을 바꾸며 픽업 크기를 비교프론트엔드 잡음 예산noise-budget.yaml최적 소스 임피던스optimum-source.yamlRS를 45 / 450 / 4.5k Ω 로 바꿔 가며 잡음 지수가 최소가 되는 지점을 찾는다13장. 신호 증폭 체인 설계
3차 안티에일리어싱 필터 (패시브 1차 + 액티브 2차)
aa-filter-3rd.yamlDC 서보로 오프셋 제거dc-servo.yaml큰 DC 오프셋이 있어도 출력이 포화하지 않는지 확인전체 신호 체인 (전극 → ADC)full-chain.yaml각 단의 출력을 프로브해 레벨과 대역폭을 확인게인 배분과 각 단 레벨 확인gain-distribution.yamlDC 옵셋 소스를 추가해 1단이 포화하는지 확인1차 IIR 과 RC 필터는 같은 것iir-equivalent.yamly[n] = a·x[n] + (1-a)·y[n-1] 는 1차 RC 저역통과와 같습니다.입력 임피던스와 3가지 로딩input-loading.yamlRBIAS와 CIN을 바꾸며 대역폭과 옵셋 변화를 관찰락인 검출 개념 (변조된 신호 + 잡음)lockin-concept.yaml변조된 신호가 잡음 속에 묻혀 있음을 확인. 복조는 디지털에서.기준전압의 부하 조정률reference-loading.yamlADC 의 REF 핀은 변환 순간 전류를 당깁니다. 기준의 출력 임피던스와TIA 피드백 보상tia-compensation.yamlCF를 0/0.5p/2p로 바꾸며 스텝 응답의 링잉을 비교2점 교정 — 옵셋과 게인two-point-cal.yaml옵셋과 게인 오차가 있는 증폭기입니다. 두 점(0 V 와 1 V)을 재면휘트스톤 브리지 — 감도와 배선 저항wheatstone-bridge.yaml쿼터 브리지입니다. R4 하나만 센서(350 Ω 스트레인 게이지)이고14장. 측정과 디버깅
15장. PCB 설계
16장. 케이스 스터디
액추에이터의 접지 결합
actuator-coupling.yamlRGND(공유 접지)를 0으로 하면(완전 분리) 간섭이 사라진다ADC 드라이버와 샘플링 정착adc-driver.yamlR_ISO를 0/22/100Ω으로 바꾸며 안정성과 정착 시간을 비교액티브 어레이 노이즈 예산 검증array-noise-budget.yamlngspice의 .noise 해석으로 각 잡음원의 기여도를 확인합니다.댐핑된 π 필터 (전원 노이즈 제거)lc-filter-damped.yamlRD/CD를 제거하면 50kHz에서 노이즈가 30dB 증폭되는 것을 확인어레이 멀티플렉싱 세틀링과 채널 간 잔류mux-settling-array.yaml두 채널을 20 ns 주기로 번갈아 선택하며 세틀링이 충분한지 봅니다.NTC 서미스터 분압 (온도 프론트엔드)ntc-divider.yaml관심 온도에서 R_ref = R_NTC 일 때 감도가 최대가 된다. 여기서는 25°C 에서 10k픽셀 버퍼 없음 (전극 직결) — 비교 대상pixel-no-buffer.yamlpixel-source-follower.yaml과 짝을 이루는 '나쁜 쪽' 예제입니다.픽셀 소스 팔로워 (임피던스 변환)pixel-source-follower.yamlno-buffer.yaml(전극 직결)과 대역폭을 비교포토다이오드 TIAtia-photodiode.yamlCF를 0/0.3p/2p로 바꾸며 스텝 응답의 링잉과 대역폭을 비교18장. 설계 실무
연습문제 회로
연습 0-01-1 — 전류 제한이 걸린 전원
00-01-current-limit.yaml전압을 5 V 로 맞춰 놨어도 전류 제한이 5 mA 면 전원은 전류원처럼 굽니다연습 00-01-2 — 프로브 10 pF 가 1 MΩ 신호원의 대역을 16 kHz 로 자른다00-01-probe-loading.yaml출력 임피던스 1 MΩ 인 신호원에 입력 용량 10 pF 인 프로브를 그냥 댑니다.연습 0-02-2 — 1 MΩ 에 1 V00-02-1meg-1v.yaml연습 00-02-3 — 도선을 반으로 접으면 저항이 1/4 이 된다00-02-folded-wire.yaml저항 R 인 도선을 반으로 접어 두 겹으로 만들면?연습 00-02-1 — "이 노드가 3.3 V" 는 반쪽짜리 문장이다00-02-reference-point.yaml전지 두 개(각 3.3 V)를 쌓았습니다. 아래를 접지로 잡았으니연습 0-03-2 — `223` 이 만드는 차단주파수00-03-cap-code.yaml세라믹 커패시터에 `223` 이 찍혀 있습니다. 값은?연습 00-03-3 — SPICE 에서 10M 은 10 MΩ 이 아니라 10 mΩ 이다00-03-meg-vs-milli.yaml`R1 in out 10M` 이라고 쓰고 10 MΩ 을 기대했습니다. **SPICE 는 이것을연습 00-03-1 — 4k7 · 2R2 · 1M5 · 470p · 2u2 를 그대로 써 본다00-03-unit-codes.yaml문제의 다섯 표기를 **그대로 값 칸에 적었습니다.** 돌아가는 것이연습 00-04-1 — 점이 없으면 교차해도 남남이다00-04-crossing-wires.yaml회로도에서 두 선이 X 자로 만나는데 **점이 없으면 연결이 아닙니다.**연습 0-04-2 — 고친 넷리스트00-04-fixed-netlist.yaml문제의 넷리스트에는 잘못이 **네 가지**였습니다.연습 00-04-3 — 넷라벨 VCC 가 다섯 곳이면 다섯 핀이 한 점이다00-04-net-label.yaml회로도에 `VCC` 라벨이 다섯 곳 있으면 **그 다섯 핀이 전부 한 노드**연습 00-05-1 — 접지를 어디로 잡아도 회로는 똑같이 동작한다00-05-ground-choice.yaml"어느 노드든 접지로 지정할 수 있다면 동작이 달라집니까?"연습 00-05-3 — 접지 클립을 멀리 물면 그 고리가 안테나가 된다00-05-probe-clip.yaml5 V 레일의 잡음을 보는데, 접지 클립을 멀리 물었더니 잡음이 커연습 0-05-2 — 접지를 나눠 쓰면00-05-shared-ground.yaml스피커 전류가 접지 배선(RGND)을 지나면서 그 양단에 전압을 만듭니다.연습 1-01-3 — 바이어스 전류가 만드는 오차01-01-bias-current-error.yamlIB 는 OP앰프가 입력에서 스스로 빨아들이는 전류입니다. 여기서는연습 01-01-2 — 3.3 V 와 150 µA 로 저항을 되짚는다01-01-measure-r.yaml양단 3.3 V, 흐르는 전류 150 µA. 저항값은?연습 01-01-1 — 12 V 에서 50 mA 를 흘리는 저항과 그 정격01-01-resistor-rating.yaml12 V 에 저항을 달아 50 mA 를 흘립니다.연습 01-02-2 — 24 V 를 5 V 로 낮추면 리니어는 19 W 를 버린다01-02-linear-heat.yaml24 V 에서 1 A 를 쓰는 부하를 5 V 로 낮춥니다.연습 1-02-1 — 풀업 저항이 먹는 전력01-02-pullup-power.yaml로직이 Low 를 낼 때 3.3 V 전부가 풀업 저항에 걸립니다연습 1-02-3 — 100 mΩ 션트에 5 A01-02-shunt-5a.yaml연습 01-03-3 — 1 kΩ 네 개로 만들 수 있는 값들01-03-four-resistors.yaml1 kΩ 네 개(다 안 써도 됨)로 만들 수 있는 값. 회로에 대표적인연습 01-03-2 — 4.7k ∥ 100 Ω 은 암산으로 100 Ω, 정확히는 97.9 Ω01-03-mental-math.yaml4.7 kΩ ∥ 100 Ω 을 암산으로.연습 1-03-4 — 정격 전압을 나눠 갖기01-03-series-voltage-rating.yaml50 V 정격 저항 두 개를 직렬로 하면 각각 50 V 씩 나눠 갖습니다연습 01-03-1 — 같은 값 셋을 병렬로 하면 1/301-03-three-parallel.yaml10k ∥ 10k ∥ 10k 은?연습 01-04-1 — 9 V 를 5 V 로, 소비 전류 1 mA 이하01-04-design-9to5.yaml9 V → 5 V 분압기, 소비 전류 1 mA 이하.연습 1-04-3 — 전극 임피던스와 배선 용량01-04-electrode-loading.yamlRS 1 MΩ 와 RIN 10 MΩ 이 분압을 만들어 9.1% 를 잃고,연습 01-04-2 — 100k/100k 분압기에 1 MΩ 을 물리면 4.76% 틀린다01-04-loading-error.yaml100 kΩ/100 kΩ 분압기(10 V 입력)의 출력에 입력 저항 1 MΩ 인 회로를연습 1-05-3 — 100 kΩ 분압기01-05-100k-divider.yaml잡음은 이 시뮬레이터가 아직 못 풉니다 (17-03 참고). 여기서는연습 01-05-1 — E24 에서 3.6 kΩ 은 있는 값이다01-05-e24-nearest.yamlE24 에서 3.6 kΩ 에 가장 가까운 값은? **3.6 kΩ 자체입니다.**연습 01-05-2 — 온도계수가 같으면 분압비는 안 변한다01-05-tcr-tracking.yaml±1%, TCR 100 ppm/°C 인 10 kΩ 두 개로 분압기. 25 → 65 °C 로 오르면연습 02-01-1 — 노드에 5 mA·3 mA 가 들어오고 2 mA 가 나가면 남은 가지는 6 mA02-01-kcl-node.yaml들어오는 것의 합 = 나가는 것의 합.연습 02-01-4 — 20 × 10 cm 루프가 60 Hz 1 µT 에서 받는 전압02-01-loop-pickup.yaml면적 0.02 m² 인 루프를 60 Hz, 1 µT 자기장이 수직으로 지납니다.연습 2-01-2 — 직렬 세 개의 전압 분배02-01-series-three.yaml연습 2-02-2 — 테브난 10 MΩ 에 바이어스 전류 1 nA02-02-bias-10meg.yaml20 MΩ 두 개의 분압이라 테브난 저항이 10 MΩ 입니다연습 2-02-1 — 노드 해석으로 V_A 구하기02-02-node-va.yamlR2 와 R3 가 병렬로 500 Ω → 1k 과 500 Ω 의 분압연습 02-03-2 — 접지 전위차 0.5 V 가 신호에 125 mV 를 얹는다02-03-ground-loop.yaml장비 둘을 각각 콘센트에 꽂고 신호선으로 이었습니다. 두 접지 사이에연습 02-04-2 — 지배적인 잡음이 있으면 나머지를 줄여도 소용없다02-04-noise-rss.yaml잡음 셋: 저항 2 µV, OP앰프 8 µV, 전원 리플 3 µV.연습 2-04-1 — 전압원은 단락, 전류원은 개방02-04-superposition.yaml5 V 전압원과 2 mA 전류원이 같은 노드에 붙어 있습니다. 중첩으로 풀 때연습 2-05-3 — 전극 500 kΩ 을 10 MΩ·5 pF 로 받기02-05-electrode-500k.yaml연습 2-05-1 — 1k·3k 분압기의 테브난 등가02-05-thevenin-1k3k.yamlV_th 는 무부하 출력, R_th 는 1k ∥ 3k = 750 Ω.연습 02-05-2 — 테브난 등가로 부하를 붙이면 계산이 한 줄이 된다02-05-thevenin-loaded.yaml문제 1 의 회로(1 k / 3 k, 12 V)에 1 kΩ 부하를 답니다. 테브난연습 2-06-3 — ADC 샘플링 커패시터를 채우는 시간02-06-adc-acquisition.yaml소스 10 kΩ + 스위치 1 kΩ 이 샘플 커패시터 10 pF 를 채웁니다.연습 2-06-2 — 100 kΩ 소스에 1 m 케이블02-06-cable-100pf.yaml케이블 100 pF/m 이 소스 임피던스와 만나 대역폭을 정합니다연습 02-06-1 — 50 kΩ 센서를 100 kΩ 입력에 물리면 67 % 만 간다02-06-transfer-fraction.yaml출력 임피던스 50 kΩ 인 센서를 입력 임피던스 100 kΩ 인 회로에연습 2-07-2 — 이미터 저항이 입력 임피던스를 β 배로 키운다02-07-emitter-degeneration.yaml이미터에 220 Ω 을 단 증폭기(β = 100, I_C = 2 mA)의 입력 임피던스는?연습 02-07-3 — 종속전원을 끄면 소자가 없는 회로가 된다02-07-killing-dependent.yaml중첩을 쓴다고 종속전원까지 껐습니다. **회로가 통째로 다른 물건이연습 02-07-1 — g_m 5 mS 소스 팔로워의 출력 임피던스는 200 Ω02-07-source-follower-zout.yamlg_m = 5 mS 인 소자의 소스 팔로워.연습 3-01-3 — AC 커플링의 차단주파수03-01-ac-coupling.yaml고역통과의 R 은 소스와 부하를 **더한** 값입니다 — 1 M + 10 M = 11 MΩ연습 3-01-2 — 정전류로 커패시터를 채우면03-01-constant-current.yamldV/dt = I/C = 1 mA / 1 µF = 1000 V/s. 1 ms 에 정확히 1 V 오릅니다.연습 03-01-1 — 10 µF 를 12 V 로 채우면 720 µJ, 120 µC03-01-stored-energy.yaml10 µF 를 12 V 로 충전했습니다.연습 03-02-3 — 1000채널을 2 kHz 로 읽으려면 채널당 500 ns, τ 는 65 ns03-02-channel-settling.yaml1000채널을 프레임마다 한 번씩, 채널 대역 2 kHz.연습 3-02-2 — 12비트에 필요한 τ 와 최대 샘플링률03-02-settling.yaml12비트로 정확히 읽으려면 몇 τ 를 기다려야 하나?연습 03-02-1 — 1 kΩ · 1 µF 은 τ 1 ms, f_c 159 Hz03-02-tau-and-fc.yaml1 kΩ 과 1 µF 의 시정수와 차단주파수.연습 3-03-1 — L/R 시정수03-03-lr-time-constant.yamlτ = L/R = 10 mH / 1 kΩ = 10 µs연습 3-03-3 — 커패시터의 자기공진03-03-self-resonance.yamlESL 1 nH 와 100 nF 가 만나는 곳에서 임피던스가 최소가 되고,연습 03-03-2 — 배선 20 mm 에서 100 mA 가 10 ns 만에 켜지면 200 mV03-03-trace-inductance.yamlPCB 배선 20 mm 를 통해 100 mA 가 10 ns 만에 켜집니다.연습 3-04-1 — 6.3 V 짜리 10 µF 을 5 V 에 쓰면03-04-cap-derating.yaml5 V 레일 디커플링에 "10 µF X5R 0603 6.3 V" 를 썼습니다. 무엇이연습 03-04-2 — 부하 커패시터가 15 % 밀리면 클럭이 밀린다03-04-crystal-cl-drift.yaml크리스털의 부하 커패시터에 X7R 을 쓰면? **온도로 ±15% 흔들리고,연습 03-04-3 — 유전 흡수 — 방전시켰는데 전압이 되살아난다03-04-dielectric-absorption.yaml정밀 적분기에 X7R 을 썼더니 큰 신호 뒤에 출력이 **서서히 되돌아연습 3-05-2 — 페라이트 비드와 세라믹의 공진03-05-bead-resonance.yaml비드 1 µH(DCR 0.1 Ω)와 10 µF(ESR 5 mΩ)가 직렬 RLC 를 만듭니다.연습 3-05-3 — 오버슈트 없이 가장 빠르게03-05-critical-damping.yamlR = 2√(L/C) = 63 Ω 이면 ζ=1 (임계감쇠) — 넘지 않으면서 가장 빠릅니다연습 03-05-1 — 링잉 주기 250 ns 와 프로브 12 pF 로 인덕턴스를 잰다03-05-ringing-to-inductance.yaml스코프에서 링잉 주기가 250 ns, 프로브 용량이 12 pF.연습 04-01-3 — 50 µV 를 12비트 ±1 V 로 읽으려면 이득 400004-01-gain-for-adc.yaml50 µV rms 신호를 12비트 ADC(±1 V)로 읽습니다. 잡음 피크 여유는 4σ.연습 4-01-2 — 8 nV/√Hz 를 1 kHz 로 자르면 얼마가 남나04-01-noise-bandwidth.yaml잡음 밀도 8 nV/√Hz 인 증폭기를 1 kHz(1차 RC)로 제한했습니다. 출력연습 04-01-1 — V_pp 2 V 는 RMS 707 mV04-01-vpp-to-rms.yaml스코프에서 V_pp = 2 V 인 정현파를 봤습니다.연습 4-02-1 — 10 nF 의 임피던스04-02-cap-impedance.yaml1 A 를 흘려 넣으면 양단 전압이 곧 임피던스입니다 (Z = V/I).연습 4-02-3 — 전극 임피던스와 바이어스 전류 옵셋04-02-electrode-bias-offset.yaml10 Hz 에서 전극이 5 MΩ 입니다. 바이어스 전류 10 pA 가 그것을 지나면연습 04-02-2 — 차단주파수에서 위상은 정확히 −45°04-02-phase-at-fc.yamlR = 10 kΩ, C = 1 nF 직렬.연습 04-03-2 — 1차 LPF 는 10배 위에서 −20 dB04-03-decade-rolloff.yamlf_c = 1 kHz 인 1차 저역통과가 10 kHz 에서 감쇠하는 양은?연습 4-03-1 — f_c = 1 kHz 저역통과 만들기04-03-rc-lowpass-design.yamlC = 10 nF 일 때 R 은?연습 04-03-3 — 스파이크 1 ms 를 통과시키면 버터워스가 모양을 바꾼다04-03-spike-shape.yaml신경 스파이크(폭 ~1 ms, 300 Hz~5 kHz)를 4차 버터워스와 4차연습 4-04-2 — 이득 200배면 대역이 얼마나 남나04-04-gain-bandwidth.yamlGBW 5 MHz OP앰프로 이득 200배를 만들면연습 04-04-1 — 250배는 48 dB04-04-gain-in-db.yaml전압 이득 250배를 dB 로.연습 04-04-3 — 86 dB 를 200 kHz 로 내려면 세 단이 필요하다04-04-stage-count.yaml총 이득 86 dB(약 20000배), GBW 10 MHz, 대역 200 kHz 이상.연습 4-05-2 — 10 µF 의 자기공진과 10 MHz 임피던스04-05-10uf-esl.yaml1 A 를 흘려 넣어 양단 전압이 곧 임피던스가 되게 해 두었습니다연습 4-05-3 — 페라이트 비드 + 22 µF 의 위험04-05-bead-lc-danger.yaml"필터를 달았으니 잡음이 줄겠지" 가 아닙니다. 2.2 µH 와 22 µF 가연습 04-05-1 — 100 µH 와 100 nF 의 공진은 50.3 kHz04-05-lc-resonance.yamlL = 100 µH, C = 100 nF.연습 4-06-1 — H(s) = 100/(s+100) 이 무슨 회로인가04-06-first-order-pole.yaml극이 s = −100 에 있습니다.연습 04-06-3 — 개루프 10⁵, 극점 10 Hz 면 GBW 1 MHz, 이득 100 에 10 kHz04-06-gbw-tradeoff.yaml개루프 이득 10⁵, 극점이 10 Hz 하나.연습 04-06-2 — H(s) = s/(s+ω_c) 는 고역통과다04-06-highpass-s.yamlH(s) = s/(s + ω_c) 는 어떤 필터인가? **1차 고역통과입니다.**연습 04-06-4 — R_iso 가 만드는 영점이 극점의 위상을 되돌린다04-06-riso-zero.yaml용량성 부하에 직렬 저항 R_iso 를 넣으면 어디에 극점과 영점이연습 04-07-4 — ESR 이 만드는 영점이 LDO 를 안정시킨다04-07-esr-stability.yaml어떤 LDO 는 출력 커패시터의 ESR 이 **너무 낮으면 발진**한다고연습 04-07-2 — 오버슈트 2 % 이하는 위상 여유 65° 이상04-07-overshoot-margin.yaml오버슈트를 2% 이하로 만들려면 위상 여유가 얼마여야 하는가.연습 4-07-1 — ζ = 0.5 의 오버슈트04-07-overshoot-zeta.yaml오버슈트 = exp(−πζ/√(1−ζ²))연습 04-07-3 — 같은 대역이라도 2차(ζ 0.3)가 더 오래 걸린다04-07-settling-1st-vs-2nd.yaml12비트 ADC 앞단이 τ = 1 µs 인 1차 회로일 때 정착 시간은?연습 4-08-1 — 심전도 150 Hz 저역통과, 버터워스냐 베셀이냐04-08-bessel-vs-butterworth.yaml심전도 프론트엔드의 저역통과(150 Hz)를 설계합니다. 어느 쪽을 쓰나?연습 04-08-3 — 높은 Q 는 저항 오차를 그대로 증폭한다04-08-chebyshev-tolerance.yaml체비셰프 1 dB 4차를 5 % 저항으로 만들었더니 통과대역 리플이연습 04-08-2 — 낮은 Q 단을 앞에 둡니다04-08-stage-order.yaml4차 버터워스를 살렌-키 두 단으로 만듭니다. Q 0.541 단과 Q 1.31연습 05-01-1 — 전류가 10배면 순전압이 60 mV 오른다05-01-decade-slope.yaml1 mA 에서 0.65 V 인 다이오드는 10 mA 에서?연습 5-01-3 — 쇼트키 누설이 고임피던스 입력을 망치는 크기05-01-schottky-leakage.yaml10 MΩ 신호원에 ESD 보호 다이오드를 달면, 그 다이오드의 누설이연습 05-01-2 — 25 °C 에서 0.7 V 면 85 °C 에서 0.58 V05-01-tempco.yaml25 °C 에서 V_F = 0.7 V 인 다이오드가 85 °C 에서는?연습 05-02-1 — 12 Vrms 를 브리지로 정류하면 무부하 15.6 V05-02-bridge-dc.yaml변압기 2차가 12 Vrms 입니다. 브리지 정류 + 평활 후 직류는?연습 5-02-2 — 리플 0.5 Vpp 를 위한 평활 커패시터05-02-bridge-smoothing.yaml12 Vrms 변압기 → 브리지 정류 → 평활. 부하 300 mA 에서 리플을연습 05-02-3 — 리니어는 120 Hz 리플, 스위칭은 수백 kHz 리플05-02-linear-vs-smps.yaml저잡음 아날로그 전원으로 리니어(변압기+브리지+LDO)와 스위칭연습 05-03-2 — 동적 저항 20 Ω 이면 부하 20 mA 에 400 mV 가 움직인다05-03-zener-dynamic-r.yaml제너의 동적 저항이 20 Ω 입니다. 부하 전류가 0 → 20 mA 로 변하면연습 05-03-3 — 제너 잡음 100 µV 는 12비트 ADC 의 164 LSB 다05-03-zener-noise.yaml12비트 ADC(기준 2.5 V)의 기준전압으로 잡음 100 µV rms 인 제너를연습 5-03-1 — 제너 직렬 저항 고르기05-03-zener-series-resistor.yaml9 V 에서 5.1 V 제너로 20 mA 부하를 먹입니다. 제너에 5 mA 를 남기려면연습 05-04-3 — GPIO 의 V_OH 를 빼먹으면 저항이 틀린다05-04-gpio-drop.yamlMCU GPIO(최대 8 mA, V_OH = 3.0 V @ 8 mA)로 적색 LED(2.0 V)를연습 05-04-1 — 3.3 V 에서 녹색 LED 를 5 mA 로05-04-green-led.yaml3.3 V 전원, 녹색 LED(V_F 2.1 V), 목표 5 mA.연습 5-04-2 — LED 3개 직렬, 12 V 에서 20 mA05-04-led-series-string.yaml적색 LED(V_F ≈ 2.0 V) 세 개를 직렬로 12 V 에 답니다.연습 05-05-3 — 1 MΩ 전극을 보호하면서 신호를 안 죽이는 법05-05-electrode-protection.yaml전극(1 MΩ)에서 오는 신호를 보호하려면? **보통의 클램프 다이오드를연습 05-05-1 — 릴레이 100 mA 가 플라이백 다이오드로 그대로 넘어간다05-05-flyback.yaml24 V 릴레이(코일 240 Ω, 200 mH)에 플라이백 다이오드를 답니다.연습 5-05-2 — TVS 접합 용량이 대역폭을 잡아먹습니다05-05-tvs-bandwidth.yaml100 kΩ 신호원에 접합 용량 100 pF 인 TVS 를 달면 저역통과가 하나연습 05-06-3 — 밴드갭이 1.2 V 인 이유는 두 온도계수를 지우기 때문05-06-bandgap.yaml밴드갭 기준전압이 왜 1.2 V 근처인가.연습 5-06-1 — 전류를 100배 줄이면 V_F 는 얼마나 내려가나05-06-diode-decade.yaml1 mA 에서 V_F = 0.60 V 인 다이오드에 10 µA 를 흘리면?연습 05-06-2 — 전압을 고정하면 50 °C 에 전류가 27배가 된다05-06-fixed-voltage.yaml다이오드 전압을 0.65 V 로 고정하고 25 → 75 °C 로 올리면 전류는?연습 6-01-1 — β 가 정하는 I_C 와 I_E06-01-beta-current.yaml베이스에 50 µA 를 넣으면 컬렉터에 β배가 흐릅니다.연습 06-01-3 — 1 MΩ 소스에는 BJT 를 쓸 수 없습니다06-01-bjt-vs-jfet.yaml소스 임피던스 1 MΩ 인 신호를 증폭합니다. BJT 와 JFET 중 무엇을연습 06-01-2 — I_C 2 mA 면 g_m 77 mS, r_e 13 Ω06-01-gm-re.yamlI_C = 2 mA 일 때연습 06-02-2 — 2N3904 로 500 mA 는 정격을 넘습니다06-02-2n3904-limit.yaml12 V, 500 mA 부하를 2N3904 로 스위칭합니다. 문제가 있는가?연습 6-02-1 — GPIO 로 100 mA 를 스위칭할 때 R_B06-02-bjt-base-resistor.yaml5 V GPIO 로 100 mA 부하를 켭니다. 확실히 포화시키려고 I_B = I_C/10연습 06-02-3 — 스위칭 전류가 공통 접지를 지나면 µV 신호가 죽는다06-02-switch-crosstalk.yaml스위칭 회로 옆에 µV 를 다루는 계측 증폭기가 있습니다. 어떤연습 6-03-1 — 이미터 저항이 이득을 고정합니다06-03-degenerated-gain.yamlR_C = 4.7 kΩ, R_E = 470 Ω (바이패스 없음).연습 06-03-2 — r_e 가 13 → 30 Ω 이 되면 이득이 절반 아래로06-03-gain-drift.yaml이미터 공통 증폭기에서 온도가 올라 r_e 가 30 Ω 이 되면 이득은?연습 06-03-3 — 바이어스 저항이 입력 임피던스의 상한을 정한다06-03-input-impedance.yamlβ = 150, R1 = 100 k, R2 = 22 k, R_E = 1.5 k, 바이패스 없음.연습 06-04-3 — 1 MΩ 전극에 이득 100 한 단은 불가능합니다06-04-electrode-1stage.yaml1 MΩ 전극 신호를 대역 10 kHz 로 증폭합니다. **(a) 이득 100 인연습 6-04-2 — 밀러 용량이 대역폭을 잡아먹습니다06-04-miller-bandwidth.yamlC_bc = 3 pF, 이득 −50 인 증폭기의 입력에서 본 용량은연습 06-04-1 — 3 pF 이 이득 −50 에서 153 pF 로 보입니다06-04-miller-cap.yamlC_bc = 3 pF, 이득 −50 인 증폭기의 입력 밀러 용량은?연습 6-05-2 — 3.3 V 로 MOSFET 을 켤 수 있는가06-05-logic-level-mosfet.yaml3.3 V MCU 로 MOSFET 을 직접 구동합니다. 두 부품을 나란히 놓았습니다.연습 06-05-3 — 픽셀에 MOSFET 을 쓰는 이유는 게이트 전류가 0 이라서06-05-pixel-mosfet.yaml액티브 어레이 픽셀에 MOSFET 을 쓰는 이유를 BJT 와 견주면.연습 06-05-1 — R_DS(on) 50 mΩ 에 2 A 면 200 mW, 100 °C 에서 360 mW06-05-rdson-loss.yamlR_DS(on) = 50 mΩ 인 MOSFET 으로 2 A 를 스위칭합니다.연습 6-06-3 — 전극 신호를 케이블로 보내기 전에 버퍼를 둡니다06-06-follower-cable.yaml전극 1 MΩ 에서 나온 신호를 1 m 케이블(100 pF)로 보냅니다.연습 06-06-2 — 팔로워 이득은 0.8, R_S 를 10배로 하면 0.9806-06-follower-gain.yamlg_m = 2 mS, R_S = 2 kΩ 인 소스 팔로워의 이득은?연습 06-06-1 — g_m 5 mS 소스 팔로워의 출력 임피던스는 200 Ω06-06-follower-zout.yamlg_m = 5 mS 인 소스 팔로워의 출력 임피던스는?연습 06-07-1 — 20 mΩ 에 5 A, 듀티 50 % 면 250 mW06-07-conduction-loss.yamlR_DS(on) = 20 mΩ, 전류 5 A, 듀티 50 %.연습 6-07-3 — 게이트 저항을 키우면 무엇이 좋아지고 무엇이 나빠지나06-07-gate-resistor.yamlµV 측정 회로 옆에 20 kHz PWM 모터 드라이버가 있습니다. 게이트 저항을연습 06-07-2 — 100 kHz·50 ns 전이면 스위칭 손실이 600 mW06-07-switching-loss.yaml같은 소자를 100 kHz 로 스위칭, 전이 시간 각 50 ns, V_DS = 24 V,연습 6-08-1 — I_C 가 g_m 을 정합니다06-08-gm-from-ic.yamlI_C = 500 µA 인 BJT 에서연습 06-08-2 — V_ov 200 mV 면 g_m/I_D = 10 V⁻¹, 1 mS 에 100 µA06-08-gm-over-id.yamlMOSFET 을 V_ov = 200 mV 로 바이어스했습니다.연습 06-08-3 — 잡음을 절반으로 줄이려면 전류가 네 배06-08-noise-vs-current.yaml저잡음 프리앰프의 입력환산 잡음을 절반으로 줄이라는 요구.연습 07-01-2 — 반전 증폭기는 R_g 가 곧 입력 임피던스07-01-inverting-zin.yaml반전 증폭기로 이득 −20, 입력 임피던스 10 kΩ.연습 7-01-1 — 비반전 이득 11배07-01-noninverting-gain.yamlR_f = 47 kΩ, R_g = 4.7 kΩ 이면연습 07-01-3 — 1 MΩ 전극에 반전 증폭기를 쓰면 이득이 무너진다07-01-why-noninverting.yaml전극(1 MΩ) 신호를 받는데 왜 반전 증폭기를 쓰면 안 되는가.연습 07-02-3 — 팔로워에 케이블 100 pF 을 물리면 왜 울리나07-02-follower-cable.yaml볼티지 팔로워 출력에 1 m 케이블(100 pF)을 물렸더니 발진합니다.연습 07-02-1 — 비반전 이득 51 은 R_f/R_g = 5007-02-gain-51.yaml비반전 증폭기로 이득 51 을 만들려면?연습 7-02-2 — 반전 감쇠기의 잡음 이득07-02-inverting-attenuator.yaml이득 −0.5 인 반전 감쇠기 (R_in 20 k, R_f 10 k).연습 07-03-1 — CMRR 100 dB 면 2 V 공통모드가 출력에 2 mV07-03-cmrr-100db.yaml계측 증폭기 CMRR 100 dB, 공통모드 간섭 2 V, 이득 100.연습 07-03-3 — 200 k/800 k 불균형이 CMRR 을 84 dB 로 끌어내린다07-03-electrode-mismatch.yaml두 전극이 200 kΩ 과 800 kΩ, 입력 임피던스 10¹⁰ Ω, 소자 CMRR연습 7-03-2 — ±0.1 % 저항이 정하는 CMRR07-03-resistor-mismatch-cmrr.yaml기본 차동 증폭기(이득 10)를 ±0.1 % 저항으로 만들면 CMRR 이 얼마인가.연습 07-04-2 — 잡음 30 mVpp 면 히스테리시스는 60 mV 이상07-04-hysteresis-30mv.yaml비교기 입력에 30 mVpp 잡음이 있습니다. 적절한 히스테리시스는?연습 7-04-1 — 히스테리시스 200 mV 만들기07-04-hysteresis.yaml5 V 시스템에서 히스테리시스 폭 200 mV 를 만듭니다. 슈미트 트리거의연습 07-04-3 — 스파이크 200 µV 를 잡음 50 µV 에서 골라내기07-04-spike-threshold.yaml신경 신호(잡음 50 µV rms)에서 스파이크(200 µV)를 검출합니다.연습 07-05-3 — 오버샘플링하면 아날로그 필터가 2차로 끝난다07-05-antialiasing-choice.yaml신호 5 kHz, 12비트 ADC. (a) 50 kSPS + 5차 아날로그 필터,연습 07-05-2 — 10 kΩ 필터의 열잡음은 1 kHz 대역에서 508 nV07-05-filter-noise.yaml살렌-키 필터의 저항이 10 kΩ 두 개일 때, 대역 1 kHz 에서의연습 7-05-1 — 살렌-키 버터워스 1 kHz 값 정하기07-05-sallen-key-values.yaml살렌-키 버터워스 LPF, f₀ = 1 kHz, C₂ = 10 nF.연습 7-06-2 — 바이어스 전류가 1 MΩ 소스에서 만드는 오차07-06-bias-current-offset.yamlI_B = 50 nA 인 OP앰프를 1 MΩ 소스에 씁니다.연습 07-06-1 — V_OS 2 mV 에 이득 500 이면 출력 옵셋 1 V07-06-offset-x500.yamlV_OS = 2 mV 인 OP앰프로 이득 500 증폭기를 만들면 출력 옵셋은?연습 07-06-3 — 1 MΩ 전극에는 조용한 소자가 지는 경우07-06-opamp-choice.yaml1 MΩ 전극(1 Hz~5 kHz, 50 µV)에 A(AD797: e_n 0.9 nV/√Hz,연습 07-07-2 — 2 m 케이블 200 pF 을 팔로워로 몰기07-07-cable-200pf.yaml볼티지 팔로워로 2 m 케이블(200 pF)을 구동합니다. 어떻게 안정화연습 7-07-1 — 용량성 부하가 만드는 극07-07-cap-load-pole.yamlR_o = 75 Ω 인 OP앰프에 470 pF 을 달면 출력에 극이 하나 생깁니다.연습 07-07-3 — C_j 50 pF, R_f 10 MΩ, GBW 5 MHz 면 C_f 1.3 pF07-07-tia-cf.yaml포토다이오드(C_j 50 pF)를 R_f = 10 MΩ TIA 로 받습니다.연습 7-08-1 — 10 kHz 에서 루프 이득이 얼마나 남았나07-08-loop-gain.yamlGBW 10 MHz 로 이득 10 인 증폭기를 만들었습니다. 10 kHz 에서 루프연습 07-08-3 — 귀환을 지우면 개루프 이득이 아니라 레일이 나옵니다07-08-open-loop-measure.yaml개루프 이득을 재려고 귀환 저항을 지웠더니 출력이 +15 V 에연습 07-08-2 — 개루프 80 Ω 이 1 MHz 에서 8 Ω 으로 보인다07-08-zout-vs-freq.yaml개루프 출력 임피던스 80 Ω 인 OP앰프로 버퍼(1/β = 1)를 만들었연습 7-09-2 — 버퍼에 470 pF 을 달면 어떻게 되나07-09-buffer-cap-load.yamlGBW 20 MHz 버퍼(β = 1)에 470 pF 을 답니다. 출력 저항 70 Ω 이면연습 07-09-1 — 위상 여유 70° 라도 이득 여유 3 dB 면 위험합니다07-09-gain-margin.yaml위상 여유 70°, 이득 여유 3 dB. 안전한가? **아닙니다.**연습 07-09-3 — 최소 안정 이득 5 짜리를 버퍼로 쓰면 울립니다07-09-min-stable-gain.yaml"최소 안정 이득 5" 라고 적힌 OP앰프를 버퍼(이득 1)로 썼습니다.연습 08-01-3 — 배터리는 접지 루프를 끊는 대신 전압이 흘러내린다08-01-battery-tradeoff.yaml배터리로 측정 시스템을 구동하면?연습 08-01-1 — 12→3.3 V 200 mA 는 리니어면 1.74 W, 벅+LDO 면 0.34 W08-01-ldo-vs-buck-ldo.yaml12 V 에서 3.3 V, 200 mA.연습 8-01-2 — PSRR 이 주파수에 따라 무너집니다08-01-psrr-ripple.yaml계측 증폭기의 PSRR 이 DC 에서 100 dB, 10 kHz 에서 60 dB 입니다.연습 08-02-3 — 벅 리플 30 mV 를 PSRR 30 dB LDO 가 949 µV 로만 줄인다08-02-buck-ldo-noise.yaml벅(500 kHz, 30 mVpp) 뒤에 LDO(PSRR 30 dB @ 500 kHz, 자체연습 8-02-2 — LDO 드롭아웃과 리튬 배터리08-02-ldo-dropout.yaml드롭아웃 300 mV 인 LDO 로 3.3 V 를 만들려면 입력이 최소 3.6 V 여야연습 08-02-1 — 1.2 W 를 40 °C 에서 버티려면 θ_JA 70 °C/W 이하08-02-thermal-resistance.yaml9 V → 5 V, 300 mA. 발열과 필요한 열저항은? (T_A 40 °C,연습 08-03-3 — µV 측정에 벅을 쓰려면 네 겹으로 막습니다08-03-buck-for-uv.yamlµV 측정 시스템에 벅 컨버터를 써야 합니다. 대책은?연습 8-03-1 — 벅 인덕터 고르기 (리플 40 %)08-03-buck-inductor.yaml24 V → 12 V, 2 A, 300 kHz, 리플 비율 40 %.연습 08-03-2 — 리플이 계산의 5배면 ESR 을 빼먹은 것입니다08-03-ripple-5x.yaml벅 출력 리플이 계산값의 5배로 측정됩니다. 원인은?연습 8-04-1 — 30 mA 를 50 ns 동안 대려면 얼마가 필요한가08-04-decoupling-charge.yamlIC 가 30 mA 를 50 ns 동안 요구하고, 전압 강하를 30 mV 안으로연습 08-04-2 — 8 mm 떨어뜨리면 50 MHz 임피던스가 6배08-04-decoupling-distance.yaml100 nF(ESL 0.5 nH)을 IC 에서 8 mm 떨어뜨렸습니다. 50 MHz연습 08-04-3 — 10 Ω + 10 µF + 100 nF 이 100 nF 하나보다 40 dB 낫다08-04-pi-filter.yaml계측 증폭기(5 mA)의 전원 잡음을 줄입니다. 100 nF 만 달 때와연습 08-05-3 — 생체 신호 장비는 환자 전류를 10 µA 아래로08-05-medical-isolation.yaml생체 신호 측정 장비의 안전 설계.연습 8-05-1 — 직렬 쇼트키로 역전압 보호하면 얼마를 잃나08-05-reverse-protection.yaml5 V, 1 A 시스템에 직렬 쇼트키(V_F = 0.4 V)를 넣으면연습 08-05-2 — TVS 는 동작 전압 위, 절대 최대 아래에 끼웁니다08-05-tvs-choice.yaml12 V 시스템, IC 절대 최대 20 V. TVS 를 어떻게 고르는가.연습 08-06-1 — 입력환산 0.5 µV, PSRR 65 dB 면 전원 잡음 890 µV 까지08-06-allowed-supply-noise.yaml목표 입력환산 잡음 0.5 µVrms, PSRR 65 dB @ 10 kHz.연습 8-06-2 — LC 필터의 공진과 댐핑08-06-lc-damping.yamlL = 2.2 µH, C = 22 µF 필터.연습 08-06-3 — 16비트 2.5 V 면 기준 잡음 11 µV 아래08-06-ref-noise-16bit.yaml16비트 ADC(기준 2.5 V, 입력 ±2.5 V)에서 기준전압 잡음이 얼마연습 08-07-1 — 380 V 삼상 10 kW 역률 0.85 면 선전류 17.9 A08-07-line-current.yaml선간 380 V 삼상, 유효전력 10 kW, 역률 0.85.연습 08-07-3 — LED 조명의 3차 고조파가 중성선에 더해진다08-07-neutral-current.yaml3상 4선식에서 각 상에 LED 조명이 골고루 달렸는데 중성선 전류가연습 8-07-2 — 커패시터를 달았는데 역률이 안 좋아지는 경우08-07-power-factor.yaml역률 0.6 인 장비에 커패시터를 병렬로 달았는데 **전혀 개선되지연습 8-08-1 — 벅 컨버터의 DCM 경계 전류08-08-buck-ripple.yamlV_in = 24 V, V_out = 5 V, f_sw = 400 kHz, L = 22 µH. DCM 경계는?연습 08-08-3 — 경부하에서 효율이 갑자기 좋아지는 것은 모드가 바뀌어서08-08-light-load-efficiency.yaml경부하에서 효율이 갑자기 좋아지는 구간이 있습니다. 왜?연습 08-08-2 — 리플 비율을 반으로 하려면 인덕턴스가 두 배08-08-ripple-ratio.yaml리플 비율 r 을 0.4 에서 0.2 로 줄이려면?연습 08-09-3 — 전류 모드는 2차를 1차로 만들어 보상을 쉽게 한다08-09-current-mode.yaml전류 모드 제어가 왜 보상을 쉽게 만드는가.연습 8-09-1 — 전해를 세라믹으로 바꾸면 ESR 영점이 사라진다08-09-esr-zero.yaml전해(ESR 150 mΩ, 220 µF)를 세라믹(ESR 3 mΩ, 100 µF)으로 바꿨습니다.연습 08-09-2 — RHPZ 8 kHz 면 루프 대역은 2 kHz 이하08-09-rhpz-bandwidth.yaml부스트 컨버터의 RHPZ 가 8 kHz 입니다. 루프 대역폭은?연습 09-01-2 — 접지 바운스 0.5 V 는 3.3 V LVCMOS 여유의 절반을 먹는다09-01-ground-bounce.yaml접지 바운스 0.5 V. 3.3 V LVCMOS 에서 문제가 되는가? **됩니다.**연습 9-01-1 — 3.3 V 출력을 5 V 입력에 물리면09-01-level-shift.yaml3.3 V CMOS 출력(V_OH ≈ 3.3 V)을 5 V CMOS 입력에 바로 물립니다.연습 09-02-1 — NOR 는 입력을 뒤집은 AND 다09-02-demorgan.yaml드모르간으로 A+B+C 의 부정을 AND 형태로.연습 9-02 — 다이오드로 만든 AND 게이트09-02-diode-and.yaml논리 게이트를 **부품 세 개로** 만들어 봅니다. 다이오드 두 개와 저항연습 09-02-3 — 50행을 고르려면 주소선 6개와 디코더09-02-row-select.yaml액티브 어레이의 50행 중 하나를 고르려면?연습 09-03-2 — 비동기 트리거는 두 단으로 받습니다09-03-sync-trigger.yaml외부 장비의 트리거를 MCU 클럭에 동기화해야 하는 이유와 방법.연습 9-03-1 — 타이밍 예산이 최대 클럭을 정한다09-03-timing-budget.yamlt_co = 5 ns, 조합 논리 지연 10 ns, t_su = 3 ns. 최대 클럭은?연습 9-04-1 — 크리스털 부하 커패시터 26 pF 이 어디서 나오나09-04-crystal-load.yaml크리스털 C_L = 18 pF, 기판 기생 5 pF. 부하 커패시터 값은?연습 09-04-2 — 10 kHz 를 16비트로 재려면 지터 243 ps 이하09-04-jitter-16bit.yaml10 kHz 신호를 16비트 정확도로 샘플링하려면 허용 지터는?연습 09-04-3 — 채널 간 172 µs 시차는 무엇을 재느냐가 정한다09-04-scan-skew.yaml2500채널 순차 스캔에서 첫 채널과 마지막 채널의 시각 차이가연습 9-05-1 — I2C 풀업 저항의 위아래 한계09-05-i2c-pullup.yamlI2C 400 kHz, 버스 용량 150 pF, 3.3 V. 풀업 저항 범위는?연습 09-06-2 — Q_inj 2 pC 이 10 pF 에 200 mV, 16비트로 6554 LSB09-06-charge-injection.yamlQ_inj = 2 pC 인 스위치를 홀드 커패시터 10 pF 과 씁니다.연습 09-06-3 — 2500채널 × 100 ns 면 프레임 4 kHz, 채널당 2 kHz09-06-scan-bandwidth.yaml2500채널에서 채널당 세틀링 100 ns 가 필요합니다.연습 9-06-1 — 아날로그 스위치의 10비트 세틀링09-06-switch-settling.yamlR_ON = 50 Ω, 부하 용량 50 pF. 10비트까지 정착하는 데 걸리는 시간은?연습 09-07-3 — GPIO 로 MUX 주소를 만들 때 조심할 것 셋09-07-mux-address.yaml8채널 MUX 주소를 MCU GPIO 로 직접 만듭니다. 조심할 것.연습 9-07-2 — 해저드는 두 길의 지연 차이가 만든다09-07-static-hazard.yamlF = AB + ĀC 에 해저드가 있는가? **있습니다.** B = C = 1 일 때 A 가연습 09-07-1 — ¬AB + A¬B 는 XOR 이고 더 줄지 않습니다09-07-xor-simplify.yamlF = ¬A·B + A·¬B 를 간소화할 수 있는가? **없습니다.**연습 9-08-1 — 외부 트리거가 금지 구간에 머무는 시간09-08-async-trigger.yaml외부 트리거를 FSM 의 `start` 에 직접 연결했더니 **하루에 한두 번**연습 09-08-3 — 스캔을 2배로 하려면 8 µs 짜리부터 봅니다09-08-double-scan-speed.yamlSETTLE 8 µs + CONVERT 4 µs = 12 µs. 2배로 올리려면 6 µs 로연습 09-08-2 — 원핫 FSM 이 멈추면 리셋과 불법 상태를 봅니다09-08-onehot-stuck.yaml원핫으로 만든 5상태 FSM 이 가끔 멈춥니다. 무엇을 확인하는가.연습 10-01-1 — 포트 한계가 핀 한계보다 먼저 걸린다10-01-gpio-current.yamlGPIO 핀당 8 mA, 포트당 60 mA. 5 mA LED 를 몇 개 켜나?연습 10-01-2 — UART 송신 전류가 아날로그 접지를 흔든다10-01-uart-during-adc.yamlADC 변환 중 UART 로 보냈더니 측정값에 주기적인 잡음이 생깁니다.연습 10-02-2 — 1 ms 타이머로 20 ms 디바운싱은 카운터 2010-02-debounce-20ms.yaml1 ms 타이머로 소프트웨어 디바운싱, 20 ms 를 원하면?연습 10-02-1 — 채터링 15 ms 를 RC 로 없애기10-02-rc-debounce.yaml채터링이 15 ms 인 스위치입니다. R = 10 kΩ 이면 C 는?연습 10-03-2 — 1 MΩ 에 100 nF 을 달면 정착이 1.1 초10-03-1meg-adc.yaml1 MΩ 분압기 출력을 ADC 로 읽습니다. 100 nF 을 달면 되는가?연습 10-03-1 — ADC 획득 시간과 소스 임피던스10-03-adc-source-impedance.yamlC_sample = 8 pF, R_sw = 1.5 kΩ, 소스 임피던스 20 kΩ.연습 10-03-3 — 앞 채널 3.0 V 가 0.1 V 채널에 0.05 V 로 남는다10-03-mux-crosstalk.yaml8채널 MUX ADC. 채널 1 이 3.0 V, 채널 2 가 0.1 V 인데 채널 2 를연습 10-04-1 — 1 kHz 를 10 kSPS 12비트로 받으려면 3차10-04-filter-order.yaml1 kHz 신호, 12비트, f_s = 10 kSPS. 필요한 필터 차수는?연습 10-04-3 — 멀티플렉스에서는 채널마다 필터가 필요합니다10-04-mux-antialiasing.yaml64채널 멀티플렉스, 전체 640 kSPS, 채널당 신호 대역 1 kHz.연습 10-04-1·2 — 오버샘플링이 필터 차수를 사 준다10-04-oversampling.yaml1 kHz 신호를 12비트로, f_s = 10 kSPS. 필요한 차수는?연습 10-05-2 — 25 kHz 모터 PWM 옆에서 µV 를 재려면10-05-motor-pwm.yamlµV 측정 회로 옆에서 모터를 25 kHz PWM 으로 구동합니다.연습 10-05-1 — PWM 을 평활해 DAC 으로 쓰기10-05-pwm-ripple.yaml3.3 V PWM 20 kHz 를 R = 10 kΩ, C = 10 µF 으로 평활합니다.연습 10-06-1 — 2 m 케이블로 I2C 를 끌 수 있나10-06-i2c-cable.yaml**못 합니다.** 정확히는 "규격 안에서는" 못 합니다.연습 10-06-2 — PC 에 붙이면 접지 루프가 따라옵니다10-06-pc-interface.yaml생체 신호 측정 보드를 PC 에 연결합니다. 어떤 인터페이스를연습 10-07-3 — 2차 ΔΣ 에 OSR 128 이면 17.5비트를 법니다10-07-delta-sigma.yaml2차 ΔΣ 에 OSR 128 이면 몇 비트를 버는가? 1비트 비교기로연습 10-07 — ADC 입력이 12비트까지 차는 데 걸리는 시간10-07-sample-hold.yamlADC 의 한계는 비트 수만이 아닙니다. **시간 축**에도 한계가 있습니다.연습 10-07-2 — SNR 80 dB, THD −80 dB 면 SNDR 77 dB, ENOB 12.510-07-sndr-enob.yamlSNR 80 dB, THD −80 dB 일 때 SNDR 과 ENOB 는?연습 10-08-3 — DAC 코드 전환 스파이크는 재샘플링으로 지웁니다10-08-dac-glitch.yamlDAC 으로 만든 자극 파형에 매 코드 전환마다 스파이크가 보입니다.연습 10-08-2 — 리플만 1/10 로 줄이려면 차수를 올립니다10-08-pwm-ripple-settling.yamlPWM DAC 의 리플을 1/10 로 줄이면서 정착 시간은 그대로 두려면?연습 10-08-1 — 1 % 저항으로 만든 8비트 R-2R 은 몇 비트인가10-08-r2r-dac.yaml8비트 R-2R DAC 을 1 % 저항으로 만들면 실제 몇 비트가 나오나?연습 11-01-3 — 브레드보드는 용량이 크고 PCB 는 인덕턴스가 작다11-01-breadboard-vs-pcb.yaml브레드보드에서 되던 것이 PCB 에서 발진하고, PCB 에서 되던 것이연습 11-01-1 — 10 MΩ 저항이 저항이기를 그만두는 주파수11-01-resistor-self-capacitance.yaml10 MΩ 저항의 병렬 용량이 0.15 pF 일 때 임피던스가 꺾이는 곳은?연습 11-01-2 — 권선형 저항은 1 MHz 위에서 인덕터가 됩니다11-01-wirewound.yaml왜 고주파에서 권선형 저항을 쓰면 안 되는가. **감아 놓은 것이연습 11-02-3 — 100 MHz 를 잡으려면 작은 값을 바로 옆에11-02-100mhz-decoupling.yaml100 MHz 잡음을 잡아야 합니다. 어떤 커패시터를 어떻게 배치할까.연습 11-02-2 — 커패시터 두 개를 병렬로 달았더니 생긴 봉우리11-02-antiresonance.yaml10 µF(ESL 1 nH)과 100 nF(ESL 0.4 nH)을 병렬로 씁니다. 반공진은?연습 11-02-1 — 1 µF·0.6 nH 의 SRF 는 6.5 MHz11-02-srf-1uf.yaml1 µF 0603 커패시터의 ESL 이 0.6 nH. SRF 는? 50 MHz 임피던스는?연습 11-03-1 — 1 MΩ 에 0.1 pF 이면 유효 대역 1.6 MHz11-03-1meg-bandwidth.yaml1 MΩ 저항(0603, C_p 0.1 pF)의 유효 대역은?연습 11-03-2 — 100 µH 로 10 MHz 를 막을 수 있나11-03-inductor-srf.yaml100 µH 인덕터(권선 사이 용량 10 pF)로 10 MHz 노이즈를 막으려 합니다.연습 11-03-3 — 5 mΩ 션트에 0.5 nH 면 전류 파형이 두 배로 보인다11-03-shunt-inductance.yaml0 → 3 A 를 50 ns 만에 흘리는 전류를 5 mΩ 션트로 잽니다.연습 11-04-3 — 5 mm + 비아 둘이면 루프 6 nH, 100 MHz 에 3.8 Ω11-04-decoupling-loop.yaml디커플링 커패시터를 IC 에서 5 mm 떨어뜨리고 비아 2개로 접지에연습 11-04-2 — 배선 20 mm 가 10 MΩ 노드에 하는 일11-04-trace-capacitance.yaml고임피던스(10 MΩ) 노드를 20 mm 배선했습니다. 플레인 위라 2 pF/cm 입니다.연습 11-04-1 — 0.3 mm × 100 mm 1 oz 배선은 161 mΩ, 100 nH11-04-trace-rl.yaml폭 0.3 mm, 길이 100 mm, 1 oz(35 µm) 배선의 저항과 인덕턴스는?연습 11-05-2 — 어레이 열 배선이 프레임 레이트를 정한다11-05-column-settling.yaml열 배선 용량 5 pF, 픽셀 출력 임피던스 3 kΩ. 12비트 세틀링 시간은?연습 11-05-3 — 드리븐 실드가 케이블 용량을 지웁니다11-05-driven-shield.yaml1 m 동축(100 pF)으로 1 MΩ 전극 신호를 보냅니다. 드리븐 실드를연습 11-05-1 — 500 kΩ 에 15 pF 을 대면 대역이 21 kHz11-05-probe-500k.yaml500 kΩ 소스에 15 pF 프로브를 대면 대역폭은?연습 11-06-1 — 50 kΩ 에 12 pF 이면 265 kHz11-06-probe-50k.yaml50 kΩ 노드에 10:1 프로브(12 pF)를 대면 대역폭은?연습 11-06-2 — 프로브 보정을 안 하면 생기는 일11-06-probe-compensation.yaml10:1 프로브는 그냥 9 MΩ + 1 MΩ 분압기가 아닙니다. **양쪽에 커패시터가연습 11-06-3 — 전극 50 µV 를 스코프로 직접 보는 것은 불가능합니다11-06-scope-direct.yaml전극(1 MΩ)에서 나오는 50 µV 를 오실로스코프로 직접 보려 합니다.연습 11-07-3 — 어레이 세틀링에는 배선 용량이 전부입니다11-07-array-settling-parasitics.yaml다채널 어레이의 세틀링을 시뮬레이션합니다. 어떤 기생을 넣어야연습 11-07-1 — 기생 성분을 적는 두 가지 방법은 같은 것이다11-07-parasitic-notation.yaml100 nF 커패시터(ESR 20 mΩ, ESL 0.5 nH)를 두 가지로 적어 두고 **같은연습 11-07-2 — 시뮬에서 안정한 버퍼가 실물에서 우는 이유11-07-sim-stable-real-oscillates.yaml시뮬레이션에서는 안정한 버퍼가 실물에서 발진합니다. 무엇을연습 11-08-3 — 플레인이 없으면 리턴 경로가 회로를 정합니다11-08-no-ground-plane.yaml2층 보드에서 접지 플레인 없이 클럭을 보냅니다. 무엇이 문제인가.연습 11-08-2 — 200 Ω 로 끝낸 50 Ω 선로의 반사11-08-reflection.yamlZ₀ = 50 Ω 선로 끝에 200 Ω 부하를 달았습니다. 입사파 1 V 일 때연습 11-08-1 — 상승 2 ns 에 120 mm 면 전송선으로 다뤄야 합니다11-08-transmission-line.yaml상승 시간 2 ns 인 신호를 FR-4 위 120 mm 배선으로 보냅니다.연습 12-01-3 — 0.1~10 Hz 에서는 1/f 와 드리프트가 지배합니다12-01-lowfreq-drift.yaml0.1~10 Hz 대역에서 직류 전위를 측정합니다. 어떤 잡음이연습 12-01-2 — 20·8·5 µV 의 합은 22.2 µV, 8 을 지워도 21.412-01-rss-sum.yaml잡음 기여가 20, 8, 5 µV. 합계는? 8 을 0 으로 만들면?연습 12-01-1 — 100 kΩ 의 잡음 밀도와 총 잡음12-01-thermal-noise-100k.yaml100 kΩ 저항의 열잡음 밀도는연습 12-02-2 — 2단 잡음을 1/3 로 묻으려면 1단 이득 2012-02-first-stage-gain.yaml1단 잡음 3 µV, 2단 잡음 20 µV. 2단 기여를 1단의 1/3 아래로연습 12-02-1 — 출력 잡음을 입력으로 되돌리기12-02-input-referred.yaml이득 200, 출력 잡음 2 mV rms 면연습 12-02-3 — SNR 25 dB 를 20 µV 로 내려면 소스 27 kΩ 이하12-02-max-source-r.yaml20 µV 신호를 SNR 25 dB 로, 대역 1 kHz.연습 12-03-1 — 20 mΩ 에 500 mA 변동이면 10 mV12-03-ground-drop.yaml접지 배선 저항 20 mΩ, 부하 전류가 500 mA 변동합니다.연습 12-03-2 — 접지 전위차 1 V 가 만드는 200 mV12-03-ground-loop.yaml두 장비의 접지 전위가 1 V 다릅니다. 실드로 이어 두었더니 루프가연습 12-03-3 — 접지를 가르면 고주파에서 EMI 가 늘 수 있습니다12-03-star-ground-emi.yamlAGND 와 DGND 를 분리하고 한 점에서 이었는데 EMI 가 오히려연습 12-04-2 — 크로스토크 20 dB 를 더 줄이려면 결합을 1/10 로12-04-crosstalk-20db.yaml인접 채널 크로스토크가 −60 dB 인데 −80 dB 가 필요합니다.연습 12-04-1 — 0.2 pF 가 200 mV 를 만든다12-04-crosstalk.yaml결합 용량 0.2 pF, 공격 신호가 10 ns 에 1 V 오릅니다. 희생 노드는연습 12-04-3 — 공간 결합인지 세틀링인지는 순서를 바꿔 보면 압니다12-04-space-vs-time.yaml어레이의 인접 채널에서 이전 채널 신호가 −50 dB 로 섞입니다.연습 12-05-1 — 50 mm × 0.2 mm 면 루프 면적 10 mm²12-05-loop-area.yaml신호선 50 mm, 리턴 플레인이 0.2 mm 아래.연습 12-05-2 — 층을 바꾸면 리턴도 넘어갈 길이 필요합니다12-05-via-return.yaml고속 신호가 Top → Bottom 으로 비아를 넘어갑니다. Top 의연습 12-06-1 — 알루미늄은 60 Hz 자기장을 못 막습니다12-06-aluminum-hum.yaml알루미늄 케이스로 차폐했는데 60 Hz 험이 그대로입니다. 왜?연습 12-06-2 — 접지 가드와 구동 가드12-06-driven-guard.yaml가드링을 **접지**에 연결하면 효과가 있습니까? 부분적으로만 있습니다.연습 12-06-3 — 전극 케이블 실드 세 가지 처리의 장단점12-06-shield-options.yaml전극 케이블(1 m, 100 pF)의 실드를 어떻게 처리할까.연습 12-07-2 — 입력 커패시터를 어디에 다느냐가 CMRR 을 정한다12-07-cm-cap-mismatch.yaml입력 RC 필터의 커패시터를 **각각 접지로** 다는 것과 **두 입력 사이에**연습 12-07-1 — CMRR 90 dB 면 1 V 공통모드가 31.6 µV12-07-cmrr-90db.yamlCMRR 90 dB, 공통모드 간섭 1 V. 입력환산 오차는?연습 12-07-3 — ECoG 험 대책은 싼 것부터12-07-ecog-hum.yamlECoG 측정에서 60 Hz 험이 신호를 덮습니다. 대책을 우선순위연습 12-08-1 — 케이블을 움직이면 험이 변하는 것은 용량 결합12-08-cable-movement.yaml케이블을 움직이면 험이 변합니다. 어떤 결합이고 대책은?연습 12-08-3 — ECoG 험 200 µV, 신호 50 µV12-08-mains-pickup.yaml험이 어디서 오는지 회로로 보면 개선 순서가 저절로 정해집니다.연습 12-08-2 — 스코프를 물리면 접지 루프가 생깁니다12-08-scope-hum.yaml오실로스코프를 연결하면 험이 생기고 떼면 사라집니다. 원인은?연습 12-09-3 — 2차 버터워스의 잡음대역은 1.11 f_c12-09-2nd-order-nbw.yaml2차 버터워스 LPF(f_c = 1 kHz)의 잡음대역과, 1차 대비 잡음연습 12-09-2 — 최적 6.7 kΩ 짜리를 1 MΩ 에 쓰면 18 dB 손해12-09-mismatch-loss.yamle_n 4 nV/√Hz, i_n 0.6 pA/√Hz 인 소자를 R_S = 1 MΩ 에 쓰면연습 12-09-1·2 — 최적 소스 임피던스와 1 MΩ 에서의 손해12-09-optimum-source.yamle_n = 4 nV/√Hz, i_n = 0.6 pA/√Hz 인 소자의 최적 소스 임피던스는?연습 12-09-4 — TIA 에는 "최적 소스 임피던스" 를 그대로 못 씁니다12-09-tia-optimum.yaml포토다이오드(전류원, C_j 50 pF)를 R_f = 1 MΩ TIA 로 받습니다.연습 12-10-1 — 환자 누설 10 µA 가 정하는 장벽 용량12-10-barrier-leakage.yaml심전도 장비(CF형, 허용 누설 10 µA)를 220 V 60 Hz 환경에서 씁니다.연습 12-10-2 — 16비트가 필요하면 절연 ADC 입니다12-10-isolation-choice.yaml절연 증폭기(이득 오차 0.5 %)와 절연 ADC(디지털 절연) 중연습 12-10-3 — 절연했는데 잡음이 늘면 절연 DC-DC 를 의심합니다12-10-isolation-noise.yaml절연했는데 잡음이 오히려 늘었습니다. 무엇을 의심하는가.연습 13-01-1 — 100 kHz 짜리 세 단을 이으면 51 kHz13-01-cascade-bandwidth.yaml각 단의 −3 dB 대역폭이 100 kHz 인 단 세 개를 직렬로 이었습니다.연습 13-01-3 — 60 Hz 5 mV 가 있으면 1단 이득이 100 을 못 넘습니다13-01-gain-split-hum.yaml신호 50 µV, 60 Hz 간섭 5 mV(입력 환산). 총 이득 10000 이연습 13-01-2 — 1 mV 옵셋 3단 ×10 이면 출력 111 mV13-01-offset-3stage.yaml각 단 옵셋 1 mV, 이득 각 10 인 3단 증폭기의 출력 옵셋은?연습 13-02-3 — 전극이 95 % 면 좋은 상태입니다13-02-electrode-dominant.yaml잡음 예산에서 전극 열잡음이 95 % 를 차지합니다. 좋은 상태인가?연습 13-02-2 — 전극 옵셋이 첫 단 이득의 상한을 정한다13-02-first-stage-gain.yaml전극 옵셋이 ±100 mV 입니다. ±5 V 전원에 헤드룸이 ±4 V 일 때 첫 단연습 13-02-1 — 100 µV 를 ±2 V ADC 에 50 % 여유로 넣으면 이득 1000013-02-total-gain.yaml신호 100 µV(피크), ADC ±2 V. 50 % 여유를 두면 총 이득은?연습 13-03-1 — 1 MΩ 에 20 pF 이면 7.96 kHz, 5 kHz 에 빠듯합니다13-03-1meg-20pf.yaml소스 1 MΩ, 입력 용량 20 pF. 대역폭은? 5 kHz 신호에 충분한가?연습 13-03-2 — 바이어스 저항 50 MΩ 이 만드는 옵셋과 잡음13-03-bias-resistor.yaml입력 바이어스 전류 50 pA, 바이어스 저항 50 MΩ 입니다.연습 13-03-3 — 전극을 직결하면 반전위가 헤드룸을 먹습니다13-03-dc-coupled-electrode.yaml교류 결합 없이 전극을 CMOS 버퍼에 직접 연결하면?연습 13-04-3 — 프로브를 떼면 심해지는 발진은 용량성 부하입니다13-04-intermittent-oscillation.yaml증폭기가 간헐적으로 발진합니다. **온도가 올라갈 때** 심해지고,연습 13-04-1 — GBW 20 MHz 로 1000× 100 kHz 는 두 단13-04-stage-count-1000.yamlGBW 20 MHz, 총 이득 1000, 대역 100 kHz.연습 13-04-2 — TIA 보상 커패시터가 없으면 솟는다13-04-tia-compensation.yamlTIA 에서 R_f = 10 MΩ, C_in = 50 pF, GBW = 5 MHz 입니다. 보상연습 13-05-1 — 0.1 Hz 커플링이 사 오는 1.6초13-05-ac-coupling.yaml최저 신호 주파수가 0.1 Hz 입니다. AC 커플링의 f_c 와, R = 10 MΩ연습 13-05-3 — 자극 뒤 빨리 회복하려면 시정수를 바꿀 수 있어야13-05-artifact-recovery.yaml자극 아티팩트 뒤 빠르게 회복해야 합니다. 어떤 방법을 쓰는가.연습 13-05-2 — 옵셋 ±150 mV, 헤드룸 ±4 V 면 이득 26 이 한계13-05-max-gain-offset.yaml전극 옵셋 ±150 mV, ±5 V 전원(헤드룸 ±4 V). 교류 결합 없이연습 13-06-3 — 64채널 1 kHz 12비트의 설계 한 벌13-06-64ch-design.yaml64채널, 채널당 신호 1 kHz, 12비트. 어떻게 설계하는가.연습 13-06-1 — 14비트에 필요한 필터 차수13-06-antialiasing-order.yaml신호 2 kHz, 14비트 ADC, f_s = 50 kSPS. 필요한 차수는?연습 13-06-2 — 베셀은 차수를 더 써야 같은 감쇠가 나옵니다13-06-bessel-order.yaml베셀은 버터워스보다 차수당 약 5 dB 불리합니다. 같은 감쇠를연습 13-07-1 — 락인 시정수 100 ms 의 잡음 대역폭13-07-lockin-bandwidth.yaml락인 시정수가 100 ms 일 때 등가 잡음 대역폭은?연습 13-07-2 — 신경 신호에는 락인을 못 씁니다13-07-lockin-neural.yaml신경 신호 기록에 락인을 쓸 수 있는가? **못 씁니다.**연습 13-07-3 — 변조 주파수는 1/f 위, 간섭 밖, 소자 대역 안13-07-modulation-freq.yaml광학 측정에서 변조 주파수를 어떻게 고르는가. **네 조건을연습 13-08-3 — 초기 오차·TC·드리프트·잡음의 예산 한 벌13-08-error-budget.yaml5 V 기준: 초기 오차 ±0.05 %, TC 3 ppm/°C, 장기 드리프트연습 13-08-1 — V_DD 를 기준으로 써도 되는 경우와 안 되는 경우13-08-ratiometric.yaml3.3 V MCU 의 12비트 ADC 로 센서를 읽습니다. V_DD 를 기준으로 쓰면연습 13-08-2 — 25 ppm/°C 면 −40~85 °C 에서 98 LSB 가 날아갑니다13-08-ref-tempco.yaml25 ppm/°C 기준을 −40~+85 °C 에서 씁니다. 16비트 ADC(기준 5 V,연습 13-09-1 — 2 V·8 V 두 점 교정에서 이득 불확실도는 236 ppm13-09-gain-uncertainty.yaml0~10 V 장비를 2 V 와 8 V 에서 교정했습니다. 측정 잡음이연습 13-09-2 — 자기 교정용 MUX 가 만드는 오차13-09-mux-error.yaml자기 교정을 하려고 MUX 를 넣었습니다. 도통 저항 R_ON = 100 Ω,연습 13-09-3 — 자기 교정은 기준의 드리프트를 못 잡습니다13-09-self-cal-limit.yamlTC 25 ppm/°C 기준을 쓰는 장비를 25 °C 에서 교정했습니다.연습 13-10-3 — 물속 Pt1000 은 자기발열 때문에 0.3 mA 이하13-10-pt1000-current.yaml물속 온도를 Pt1000 으로 잽니다. 0.01 °C 정밀도, θ_SA =연습 13-10-1 — Pt100 을 2선으로 재면 10 °C 가 틀린다13-10-rtd-4wire.yamlPt100 을 1 mA 로 여자해 0~100 °C 를 잽니다. 배선 저항이 한 가닥에연습 13-10-2 — 0.1 °C 를 K형으로 구분하려면 잡음 33 nV/√Hz 이하13-10-thermocouple-noise.yamlK형 열전대(41 µV/°C)로 0.1 °C 를 구분합니다. 대역 10 Hz 일 때연습 13-11-2 — 평균이 잡음을 √N 로 줄인다13-11-averaging.yaml12비트 ADC 로 16비트 분해능을 얻으려면 몇 배 오버샘플링하나?연습 13-11-1 — 1 kSPS 에서 60 Hz 를 지우려면 이동평균 N 이 곤란합니다13-11-moving-average-60hz.yaml1 kHz 샘플링에서 60 Hz 를 완전히 지우려면 이동평균 N 은?연습 13-11-3 — 심전도에는 위상을 안 바꾸는 FIR 이 낫습니다13-11-notch-vs-fir.yaml심전도(0.05~150 Hz)를 500 Hz 로 샘플링합니다. 60 Hz 를연습 14-01-2 — 션트 1 kΩ 이 3.3 V 회로에 0.5 V 를 먹습니다14-01-burden-voltage.yaml3.3 V 회로의 소비 전류 500 µA 를 µA 레인지(션트 1 kΩ)로연습 14-01-1 — 10 MΩ 멀티미터가 1 MΩ 분압기를 흔든다14-01-meter-loading.yaml입력 임피던스 10 MΩ 인 멀티미터로 1 MΩ/1 MΩ 분압기(입력 10 V)를연습 14-02-3 — 프로브를 대면 멎는 발진은 위상 여유가 0 이라는 뜻14-02-probe-stops-oscillation.yaml프로브를 대면 발진이 멈추고 떼면 발진합니다. 어떻게 해석하는가.연습 14-02-2 — 리플이 5배로 보이면 먼저 프로브를 의심합니다14-02-ripple-5x-measured.yaml전원 리플이 100 mVpp 로 나왔는데 계산값은 20 mVpp 입니다.연습 14-02-1 — 2 ns 에지를 재려면 대역폭이 얼마여야 하나14-02-scope-risetime.yaml상승시간 2 ns 인 신호를 재려면 오실로스코프 대역폭은?연습 14-03-1 — 10 nA 를 넣어 전극 임피던스를 재다14-03-electrode-impedance.yaml10 nA 를 주입해 2 mV 가 측정되었습니다. 임피던스는? 이 전극의연습 14-03-2 — 80 k~1.2 M 분포는 CMRR 을 채널마다 다르게 만듭니다14-03-electrode-spread.yaml32채널의 임피던스가 80 kΩ ~ 1.2 MΩ 로 분포합니다. 문제가연습 14-04-2 — 60·180·300 Hz 는 전원의 홀수 배음입니다14-04-harmonic-peaks.yamlFFT 에서 60, 180, 300 Hz 에 큰 피크가 보입니다. 무엇이고연습 14-04-1 — 출력 잡음 3 mV 를 입력으로 되돌리기14-04-noise-floor.yaml이득 500, 출력 잡음 3 mV rms 입니다. 입력 환산 잡음은? 대역 2 kHz연습 14-05-1 — 1 Vpp 를 100 µVpp 로 낮추는 감쇠기14-05-attenuator.yaml1 Vpp 함수 발생기로 100 µVpp 를 만들려면? R₂ = 10 Ω 으로 두면연습 14-05-2 — 통과대역의 +3 dB 봉우리는 Q 가 높다는 뜻14-05-peaking-3db.yaml주파수 스윕에서 통과대역 10 kHz 부근에 +3 dB 봉우리가 보입니다.연습 14-06-1 — 1 MΩ 회로를 브레드보드에서 시험할 수 있나14-06-breadboard-highz.yaml1 MΩ 소스 회로를 브레드보드에서 테스트하려 합니다. 가능합니까?연습 14-06-2 — 브레드보드의 기생 용량이 보상을 대신하고 있었습니다14-06-breadboard-to-pcb.yaml브레드보드에서 잘 되던 OP앰프 회로가 PCB 에서 발진합니다.연습 14-07-2 — 간헐 오동작은 재현 조건부터 찾습니다14-07-intermittent-debug.yaml회로가 간헐적으로 오동작합니다. 어떻게 접근하는가.연습 14-07-1 — 시뮬 1 MHz, 실측 20 kHz14-07-sim-vs-bench.yaml시뮬레이션 대역폭이 1 MHz 인데 실측이 20 kHz 입니다. 무엇을연습 15-01-2 — 전극에서 AFE 까지 100 mm 면 잡음을 다 줍는다15-01-connector-distance.yaml전극 커넥터를 보드 한쪽 끝, AFE 를 반대쪽에 배치했습니다.연습 15-01-1 — 5 mm 를 20 mm 로 늘리면 간섭이 얼마나 주나15-01-placement-distance.yaml스위칭 레귤레이터와 계측 증폭기를 5 mm 간격으로 뒀더니 간섭이연습 15-02-1 — 디커플링을 6 mm 떨어뜨리면 생기는 일15-02-decoupling-loop.yaml100 nF(ESL 0.4 nH)을 IC 에서 6 mm 떨어뜨리고 비아 두 개로 연결했습니다.연습 15-02-2 — 디커플링이 멀면 전원을 통해 발진합니다15-02-decoupling-oscillation.yamlOP앰프 회로가 발진합니다. 디커플링이 원인일 수 있는가?연습 15-03-2 — 신호–접지–전원–신호가 아날로그 보드의 기본15-03-4layer-stackup.yaml4층 아날로그 측정 보드의 층 구성은?연습 15-03-1 — 플레인에 난 슬롯이 리턴을 돌아가게 한다15-03-plane-slot.yaml커넥터의 비아열이 플레인을 가로질러 슬롯을 만들었습니다. 신호선이연습 15-04-1 — 200 mA AFE 보드의 전원 배선은 폭이 아니라 플레인15-04-afe-stackup.yaml저잡음 AFE 보드(200 mA)에 4층. 어떤 구성이 좋은가.연습 15-04-2 — 100 mm 에 상승 1 ns, 임피던스 제어가 필요한가15-04-transmission-check.yaml100 mm 배선, 상승시간 1 ns. 임피던스 제어가 필요한가?연습 15-05-2 — 10 MΩ 배선은 가늘게, 짧게, 플레인을 파냅니다15-05-hiz-trace-width.yaml고임피던스(10 MΩ) 신호 배선의 폭을 어떻게 정하는가.연습 15-05-1 — 1.5 A 를 흘리는 배선의 최소 폭15-05-trace-width.yaml1.5 A, 1 oz 외층, ΔT = 10 °C. 최소 폭은?연습 15-06-1 — 10 MΩ 노드 20 mm 는 플레인 위에서 5.3 kHz15-06-10meg-plane.yaml10 MΩ 노드의 배선이 20 mm 이고 아래에 접지 플레인이 있습니다.연습 15-06-2 — 입력 배선을 10 mm 와 30 mm 로 하면15-06-asymmetric-input.yaml계측 증폭기의 입력 배선을 한쪽은 10 mm, 다른 쪽은 30 mm 로 했습니다.연습 15-07-2 — 3 W LDO 옆의 기준전압은 온도로 밀립니다15-07-ref-near-ldo.yaml기준전압 IC 옆에 3 W 손실 LDO 가 있습니다. 문제는?연습 15-07-1 — 열을 회로로 푼다15-07-thermal.yaml1.5 W 손실, R_θJA = 50 °C/W, T_A = 50 °C. 접합 온도는?연습 15-08-2 — 첫 시제품에는 잴 곳과 자를 곳을 넣습니다15-08-prototype-extras.yaml첫 시제품 보드에 무엇을 추가로 넣는가.연습 15-08-1 — 3 mil 배선의 전기적 대가15-08-thin-trace.yaml최소 트레이스 폭을 3 mil 로 설계했습니다. 문제는?연습 16-01-1 — 1000채널에 허용되는 τ16-01-array-settling.yaml1000채널, 채널당 대역폭 2 kHz, 10비트 정확도. 필요한 τ 는?연습 16-01-2 — 채널을 2배로 하면서 대역을 지키려면 τ 를 반으로16-01-double-channels.yaml채널을 2배(2000)로 늘리면서 대역폭을 유지하려면?연습 16-01-3 — 전극 임피던스를 1/4 로 하면 SNR 이 6 dB 좋아진다16-01-electrode-4x.yaml전극 임피던스를 1 kHz 에서 160 kΩ → 40 kΩ 으로 개선했습니다.연습 16-02-2 — 입력 커패시터가 ±10 % 어긋나면 10 kHz CMRR 이 21 dB 로 무너진다16-02-cap-mismatch-cmrr.yaml계측 증폭기 입력에 100 pF 을 각각 접지로 달았습니다. 두연습 16-02-1 — TIA 의 R_f 를 10배로 하면 SNR 이 10 dB 좋아진다16-02-tia-snr.yamlTIA 에서 R_f 를 1 MΩ 에서 10 MΩ 으로 바꾸면 SNR 은?연습 16-03-1 — Q 63 짜리 LC 필터를 길들이기16-03-lc-damping.yamlL = 2.2 µH, C = 22 µF, ESR 5 mΩ. 공진과 Q 는?연습 16-03-2 — 전원 리플이 출력에 보이면, 경로는 대개 기준 분압기다16-03-supply-culprit.yaml"AFE 잡음이 예상보다 크다 — 전원 문제인가?" 결정적 시험은연습 16-04-2 — 기준전압 잡음 20 µV 가 16비트를 몇 비트로 만드나16-04-reference-noise.yaml16비트 ADC(±2.5 V)에 기준전압 잡음 20 µV rms 인 소자를 썼습니다.연습 16-04-1 — 3.84 MB/s 를 정하면 SCLK 이 정해지고, 그때 직렬저항 330 Ω 이 배를 가른다16-04-spi-rise.yaml64채널 × 30 kSPS × 16비트부터 시작합니다.연습 16-05-3 — 블랭킹 스위치가 자극 아티팩트를 1/10000 로 줄인다16-05-blanking.yaml자극 후 5 ms 안에 기록을 시작해야 합니다. 증폭기를 포화시키지 않는연습 16-05-1 — 면적 1/4, 거리 2배 → 결합 1/128 (42 dB), 부품은 하나도 안 바꿨다16-05-loop-geometry.yaml모터 전류 루프 40 cm², 측정 루프 5 cm², 거리 5 cm. 두 루프연습 16-05-2 — 히터를 10 ms 끄고 재면 200 µV 오차가 0.3 µV 가 된다16-05-pwm-blank.yaml히터를 PWM 으로 돌리면서 µV 열전대를 잽니다. **시간 분리**가연습 17-01-1 — 문제의 답을 그대로 돌려 본다17-01-divider-yaml.yaml9 V 전원, 1 kΩ 과 2 kΩ 직렬, 중간점이 출력. 풀이에 적은 YAML 이연습 17-01-2 — 같은 회로, 기준만 옮기면 노드 전압이 전부 바뀐다17-01-ground-reference.yaml`GND` 가 왜 예약어인가. 답은 **전압이 차이이기 때문**입니다.연습 17-02-1 — 검증기가 시킨 대로 고친 회로17-02-led-fixed.yaml문제의 회로는 두 군데가 틀렸습니다 — `GND` 넷이 없고(E201), LED 에연습 17-02-2 — W501 이 재는 것, 1 MΩ 노드가 케이블을 만나면 1.6 kHz17-02-w501-buffer.yamlW501 은 **테브난 등가 저항이 100 kΩ 을 넘는 노드**가연습 17-03-3 — βI_B 는 1.1 A 인데 실제는 49 mA17-03-bjt-saturation.yaml12 V, 부하 240 Ω, 베이스를 5 V 에서 680 Ω 으로 밉니다.연습 17-03-2 — 소스 저항만 넣으면 대역폭이 그대로다. 극은 둘이 있어야 생긴다17-03-missing-parasitics.yaml시뮬레이션 대역폭이 실측보다 훨씬 넓습니다. 대개 **기생 용량을연습 17-03-1 — 손계산을 expect 로 옮겨 적는다17-03-rc-expect.yaml10 kΩ · 100 nF 저역통과의 차단주파수를 손으로 내고, 그것을 `expect`연습 17-04-1 — 내보내 볼 회로 (BBox 를 확인하는 대상)17-04-export-sample.yaml부품이 안 보인다면 BBox 를 확인하라 — 그 확인을 해 볼 회로입니다.연습 17-04-2 — 심볼 이름을 고쳐 시뮬이 돌기 시작하면, 이번엔 값이 조용히 틀린다17-04-value-notation.yaml파일은 열리는데 Ctrl+R 이 실패합니다. 첫 용의자는연습 17-05-2 — check·sim·test 가 다 통과해도 안 적은 항목은 아무도 안 본다17-05-passes-but-wrong.yaml"이득 1000, 대역 5 kHz 인 증폭기를 만들어 줘" 라고 하고연습 17-05-1 — 숫자를 붙인 요청은 바로 판정이 됩니다17-05-spec-to-circuit.yaml"저잡음 증폭기 만들어줘" 는 설계할 수 없습니다. 개선된 요청은연습 18-00-2 — 이득 100 을 990 kΩ 으로 만들면 저항이 소자보다 시끄럽다18-00-feedback-choice.yaml비반전 이득 100 을 (a) 100 Ω/9.9 kΩ (b) 1 kΩ/99 kΩ (c) 10 kΩ/990 kΩ연습 18-00-1 — 첫 경계가 전부를 정한다 (PD → TIA)18-00-photodiode-frontend.yaml다섯 칸 블록도의 **첫 칸**입니다. 광다이오드(암전류 1 nA, 신호연습 18-00-3 — 비트를 버려도 15 %만 준다. 용량을 줄이면 그대로 준다18-00-settling-budget.yaml8채널 × 1 kHz 인데 멀티플렉서 뒤 정착이 200 µs 라 8 × 200 =연습 18-01-2 — CMRR = 2/ε. 46 dB 를 60 dB 로 올리려면 저항이 아니라 짝이 필요하다18-01-cmrr-tolerance.yaml차동 증폭기를 1 % 저항으로 만들었더니 CMRR 이 46 dB 입니다.연습 18-01-3 — R_f 를 5 % 올리면 대역폭이 5 % 준다. 이득만 보면 안 보인다18-01-gain-tweak.yaml이득이 5 % 모자라서 R_f 를 5 % 올렸습니다. 같이 봐야 할 것.연습 18-01-1 — 신호원 임피던스가 R 에 더해진다18-01-rc-choice.yamlRC = 100 µs 필터를 만듭니다. 신호원 임피던스가 **1 kΩ**, 뒷단은연습 18-02-1 — SNR 26 dB 를 맞추려면 대역을 240 Hz 로 줄여야 한다18-02-electrode-band.yaml같은 전극(1 MΩ)으로 SNR 26 dB 를 요구받았습니다. 신호는 50 µV rms.연습 18-02-3 — 전극 임피던스가 안 맞으면 CMRR 이 86 dB 로 내려앉는다18-02-electrode-cmrr.yaml전극 두 개가 1 MΩ 과 1.5 MΩ 입니다. 계측 증폭기 입력 임피던스는연습 18-02-2 — 이득 100 이면 전극을 붙일 때마다 1초씩 못 쓴다18-02-first-stage-gain.yaml첫 단 이득을 100 으로 올리면 무엇이 먼저 깨지는가.연습 18-03-3 — 같은 10 % 대체가 한쪽은 교정 계수 한 줄, 한쪽은 보드 재제작18-03-bom-substitute.yaml"R7 재고 없음, 대체 가능?" — **R7 이 어디 쓰이는지에 따라연습 18-03-2 — 8개 중 하나만 다르게 만들면 그 하나가 9 % 낮게 읽힌다18-03-one-odd-channel.yaml8채널 회로도는 **채널 시트를 하나 그려서 8번 인스턴스화**연습 18-03-1 — ERC 가 절대 못 잡는 것 (330 Ω 자리에 33 Ω)18-03-wrong-decade.yamlERC 를 통과했는데 보드가 안 켜지는 다섯 가지 중 **세 번째** —연습 18-04-3 — 입력을 단락하면 신호원 탓인지 회로 탓인지 한 번에 갈린다18-04-noise-3x.yaml신호는 잘 나오는데 잡음이 계산의 3배입니다. **스펙트럼 모양이연습 18-04-2 — 출력이 VCC 에 붙었다. 귀환 저항부터, 그다음 앞단18-04-rail-stuck.yaml3단계에서 2단 OP앰프 출력이 VCC 에 붙어 있습니다. 무엇부터연습 18-04-1 — 전원-접지 3 Ω, 전류 제한 50 mA 로 켜면 아무것도 안 탄다18-04-short-hunt.yaml전원-접지 저항이 3 Ω 입니다. 켜도 됩니까? **안 됩니다.**