치트시트

8장. 전원 회로

문서 9개 · 수식 91개 · 회로 18개 · 함정 9개 · 문제 27개

왼쪽 절반에만 찍고 오른쪽은 백지로 비웁니다 — 읽으면서 옆에 적어 보세요. 내용은 하나도 안 자릅니다.

2단으로 빽빽하게, 표시된 것만 — 시험 직전에 훑는 배치입니다.

전원과 접지 개념 정리

측정 시스템의 성능 하한은 전원이 정합니다. 전원 설계는 "전압만 맞으면 되는" 일이 아닙니다.

전압 변화량V전압V

이동도m²/V·s

전력 (loss, 3.3V)W

전력 (loss, LDO)W

전력W

이동도m²/V·s

이동도m²/V·s

⚠️ 이상과 실제

이상실제
전원 전압이 일정부하 변동·리플(ripple)·노이즈로 흔들림
출력 임피던스 0주파수에 따라 변함 (LDO는 고주파에서 나빠짐)
접지가 0 V전류가 흘러 전위차 발생
레일 분리 = 완전 격리접지·용량 결합으로 여전히 연결
전원은 부수적전원이 시스템 성능의 하한을 정함

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
배터리 전원최저 잡음, 접지 루프(ground loop) 없음, 절연용량 한계, 전압 변동(방전에 따라), 충전 관리
리니어 전원저잡음, 간단, 낮은 출력 임피던스발열·부피, 효율 낮음, 변압기 자기장
스위칭 전원(SMPS)고효율, 소형, 넓은 입력 범위스위칭 노이즈, 공통 모드 노이즈, 설계·레이아웃 까다로움
스위칭 + LDO효율과 잡음의 절충부품 증가, LDO의 고주파 PSRR 한계
레일 분리상호 간섭(interference) 감소부품·비용·면적 증가, 여전히 접지로 결합
절연 DC-DC접지 루프 완전 차단(cutoff)비쌈, 자체 스위칭 노이즈, 공통 모드 용량 존재

리니어 레귤레이터와 LDO

남는 전압을 열로 버려서 안정된 전압을 만듭니다. 발열 계산과 출력 커패시터(capacitor) 조건이 핵심입니다.

전압 (dropout)V입력 최소 전압V출력 전압V

출력 전류A전류 (quiescent)A전력 (loss)W입력 전압V출력 전압V

전력W

전력W저항 (JA)Ω온도 또는 주기 (A)온도 또는 주기 (J)

전압 변화량V전원 제거비dB입력 전압V출력 전압V

전압 (ripple, 출력)V

전력W

저항 (JA)Ω

입력 최소 전압V

이동도m²/V·s

이동도m²/V·s

이동도m²/V·s

LDO 입출력 커패시터 회로도RO50mΩLDO 출력 임피던스VIN5VCIN10µFCOUT10µFRL33Ω100mA 부하VREG3.3VINREGOUTGND
LDO 입출력 커패시터

⚠️ 이상과 실제

이상실제
출력 전압 정확±1~3% 오차, 부하·온도에 따라 변동
출력 임피던스(impedance) 0주파수에 따라 상승 (루프 이득 감소)
PSRR이 높음고주파에서 급락
잡음 없음기준전압 잡음이 출력에 나타남
세라믹 커패시터가 항상 좋음ESR 조건에 따라 발진
즉시 기동소프트 스타트·NR 커패시터로 지연

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
LDO저잡음, 저리플, 간단, 낮은 출력 임피던스, 빠른 과도응답효율 낮음·발열, 입출력 차가 클수록 손실
표준 레귤레이터커패시터 조건 관대, 저렴드롭아웃 큼 (2~3 V)
초저잡음 LDO (LT3042 등)잡음 < 1 µVrms, 높은 PSRR비쌈, 전류 제한적
큰 출력 커패시터과도응답 개선, 리플 감소안정성 조건 확인 필요, 기동 돌입 전류, 크기
NR 핀 커패시터잡음 크게 감소기동 시간 증가 (수 ms~수십 ms)
입출력 차를 작게발열 감소, 효율드롭아웃 여유 부족 → 입력 변동 시 레귤레이션 실패
방열판 추가온도 여유부피·비용, 팬을 쓰면 진동이 측정에 영향

스위칭 레귤레이터 개요

에너지를 열로 버리지 않고 스위칭으로 옮겨서 고효율을 얻습니다. 대가는 노이즈입니다.

듀티비입력 전압V출력 전압V

듀티비입력 전압V출력 전압V

전류 변화량A듀티비스위칭 주파수Hz부하 전류A인덕턴스H입력 전압V출력 전압V

전류 변화량A전압 변화량V정전용량F등가 직렬 저항Ω스위칭 주파수Hz부하 전류A출력 전압V

거리 또는 두께m전류 (순시값)A시간s전압 (induced)V

전류 변화량A부하 전류A

이동도m²/V·s인덕턴스H

전류 변화량A듀티비부하 전류A

이동도m²/V·s인덕턴스H

벅 출력 리플과 LC 필터 회로도L11µH페라이트/인덕터RD1Ω댐핑 저항VRIP벅 출력(리플 포함)C110µFCD47µF댐핑 커패시터RL5ΩINOUTDAMPGND
벅 출력 리플과 LC 필터
벅 컨버터 기본 구조 회로도L122µHVIN12VVCTL듀티 42%D11N5819환류 다이오드C147µFRL5Ω부하SWSW_IDEAL스위치INSWNCTLOUTGND
벅 컨버터 기본 구조

⚠️ 이상과 실제

이상실제
출력이 깨끗한 DC스위칭 리플 + 고주파 스파이크(spike)
효율이 데이터시트대로부하·입력 전압에 따라 크게 변동 (경부하에서 급락)
리플이 계산대로레이아웃에 따라 10배 차이
노이즈가 전원 라인에만자기장·전기장으로 방사, 공통 모드로 접지에
시뮬레이션대로 동작기생 성분(parasitic)이 지배적 → 실측 필수

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
높은 인덕터·커패시터 소형화, 빠른 과도응답스위칭 손실↑, EMI 주파수↑ (필터는 쉬워짐), 효율↓
낮은 효율↑부품 크고 비쌈, 리플↑, 가청 주파수면 소음
큰 인덕터리플↓크고 비쌈, DCR 손실, 과도응답 느림
차폐형 인덕터자기장 누설↓ → 측정 회로 간섭(interference)↓비쌈, 약간 큼
저ESR 출력 커패시터리플↓안정성 확인 필요, LC 공진의 Q↑
동기 정류 (MOSFET)효율↑ (다이오드 손실 제거)복잡, 데드타임 제어, 관통 전류 위험
스프레드 스펙트럼EMI 규격 통과 쉬움측정 회로에는 오히려 나쁨 (노이즈가 광대역으로 퍼짐)

디커플링 커패시터 — 왜, 어디에, 얼마나

IC가 순간적으로 필요로 하는 전류를 바로 옆에서 공급합니다. 값보다 배치가 중요합니다.

거리 또는 두께m전류 (순시값)A인덕턴스H시간s강하 전압V

전압V

전하 변화량C시간 간격s전압 변화량V정전용량F전류A전하 / 품질 계수시간s전압V

정전용량F

등가 직렬 인덕턴스H인덕턴스 ()H전체 인덕턴스H배선 인덕턴스H인덕턴스 (via)H

정전용량F

임피던스Ω

임피던스Ω

디커플링 네트워크의 임피던스 회로도LT2nH벌크 커패시터까지의 배선 인덕턴스I11A부하 전류(테스트)C1100nFC210µFRAILBULKGND
디커플링 네트워크의 임피던스

⚠️ 이상과 실제

이상실제
커패시터 = 순수 용량ESR + ESL
100 nF은 어디에 두든 100 nF배치가 유효성을 좌우
병렬 = 용량 합반공진 발생
표기 용량 = 실제 용량DC 바이어스로 절반 이하
많을수록 좋다반공진과 돌입 전류 증가

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
작은 패키지 (0402)ESL 낮음, 더 가까이 배치 가능용량 작음, DC 바이어스 감소 심함, 실장 어려움
큰 패키지 (0805)용량·내압 여유, DC 바이어스 유리ESL 큼
같은 값 여러 개ESL 병렬 감소, 반공진 없음면적, 부품 수
값이 다른 여러 개넓은 대역 커버반공진 피크
벌크 커패시터 추가저주파 임피던스↓, 과도응답(transient response) 개선크기, 돌입 전류(inrush current)
직렬 페라이트/저항 (아날로그)노이즈 격리 우수전압 강하, LC 공진 위험
X7R 대신 C0G안정, DC 바이어스 없음용량이 훨씬 작음, 비쌈

전원 보호

역전압, 과전압, 과전류, 서지. 각각에 맞는 소자가 있고, 보호 소자 자체가 성능을 깎습니다.

전류 (inrush)A저항 (series)Ω입력 전압V

출력 전압V

전력W

전력W강하 전압V

P-MOSFET 역전압 보호 회로도DZ1N4742VIN12VRG100kΩRL120ΩM1IRF9540INGATEOUTGND
P-MOSFET 역전압 보호

⚠️ 이상과 실제

이상실제
TVS가 즉시 클램프배선(trace) 인덕턴스(inductance) 때문에 초기 스파이크 통과 → 커넥터 옆에 최단 배치
퓨즈가 즉시 끊김 특성 — 시간이 걸림. 그 사이 소자가 먼저 죽을 수 있음
보호 소자는 성능에 영향 없음용량·누설·저항을 추가
한 번 보호하면 계속 유효TVS·MOV는 서지를 반복해서 맞으면 열화

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
P-MOSFET 역전압 보호손실 극소, 효율부품 3개, 클램프 필요, 큰 서지에 취약
직렬 쇼트키부품 1개0.3 V 손실, 누설 전류 큼(고온에서 심각)
TVS 추가서지 보호용량·누설 추가, 클램프 전압이 여전히 높을 수 있음
eFuse IC정밀 전류 제한, 빠름, 재설정 가능비쌈, 도통 저항, 자체 잡음
퓨즈저렴, 확실교체 필요, 느림, 정격 선정 까다로움
보호를 늘림안전전압 강하 누적, 부품·비용·면적, 고장 지점 증가

저잡음 전원과 PSRR

측정 시스템의 잡음 바닥은 전원이 정합니다. 증폭기를 아무리 좋은 것으로 바꿔도 전원이 시끄러우면 소용없습니다.

전압 변화량V전원 제거비dB전압 (OS, input)V전압 (supply)V

이동도m²/V·s전압 (supply, 최대)V

정전용량F공진 주파수Hz인덕턴스H

정전용량F인덕턴스H전하 / 품질 계수저항Ω

이동도m²/V·s전압 (supply)V

공진 주파수Hz

전하 / 품질 계수

이동도m²/V·s정전용량F드레인 정전용량F

정전용량F인덕턴스H드레인 저항Ω

이동도m²/V·s

전압 변화량V전압 (fullscale)V기준 전압V

전압 변화량V이동도m²/V·s기준 전압V

댐핑된 LC 전원 필터 회로도L11µHRD330mΩ댐핑 저항 (≈ Zo)VN1V전원 잡음원C110µFCD47µFRL33ΩINOUTDAMPGND
댐핑된 LC 전원 필터

⚠️ 이상과 실제

이상실제
LDO가 모든 잡음 제거고주파에서 PSRR 급락
필터가 잡음을 줄임공진 주파수에서 증폭
레일 분리 = 격리접지와 기생 용량으로 결합
데이터시트 잡음값부하·온도·레이아웃에 따라 달라짐
전원은 부수적전원이 시스템 성능을 결정

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
배터리잡음 최저, 접지 루프 없음용량·전압 변동, 충전 관리
리니어 전원저잡음, 간단발열·부피, 변압기 자기장
스위칭 + 필터 + LDO효율과 잡음의 균형부품 많음, 설계·레이아웃 까다로움
초저잡음 LDO잡음 1 µVrms 이하비쌈, 전류 제한, 드롭아웃
LC 필터고주파 크게 감쇠공진 위험(댐핑 필수), 인덕터 자기장
RC 필터 (직렬 저항)간단, 공진 없음전압 강하, 전류 클수록 불리
레일마다 개별 LDO블록 간 격리부품·면적·비용
AFE 전용 전원 분리최고 성능복잡

삼상과 역률

삼상은 순시 전력이 일정한 유일한 구조라서 씁니다. 역률은 "전류를 얼마나 헛되이 흘리고 있는가"이고, 요즘은 위상보다 파형 왜곡이 더 큰 원인입니다.

각주파수rad/s피크 전류A시간s피크 전압V

각주파수rad/s결합 계수 또는 상수시간s

각주파수rad/s시간s

피크 전류A시간s피크 전압V

위상°부하 전류A전력W전압 (LL)V

실효값 전류A전력W슬루레이트 또는 감도실효값 전압V

위상°전고조파 왜곡dB

전류A전력W전압V

전류A전력 (loss)W저항Ω

위상°부하 전류A전력W전압 (LL)V

이득부하 전류A

위상°전고조파 왜곡dB

전류 (3rd)A전류 (N)A

1번 전류A전류 (N)A

삼상을 쓰는 이유는 전력이 크기 때문이 아니라 맥동이 없기 때문입니다.

정류기의 전류 파형과 역률 회로도RL500mΩ선로 저항D11N4007VACC1100µF평활RLOAD470Ω부하ACANODEDCGND
정류기의 전류 파형과 역률

⚠️ 이상과 실제

이상실제
삼상이 평형부하가 달라 중성선에 전류가 흐릅니다
PF = 왜곡 역률이 더 큽니다 (정류 부하)
중성선은 가늘어도 됨3차 고조파가 누적돼 상전류보다 클 수 있습니다
커패시터로 역률 개선왜곡에는 안 듣고, 선로 인덕턴스와 공진할 수 있습니다
60 Hz 만 신경고조파가 kHz 까지 올라가 측정 회로에 결합합니다

⚖️ 고르는 기준

선택✅⚠️
평활 커패시터 크게리플↓, 과도응답↑역률↓, 돌입 전류↑, 다이오드 피크 전류↑
커패시터 병렬 (역률 보상)변위 역률 개선, 쌈왜곡에는 무효, 공진 위험
패시브 PFC단순, 고장 적음크고 무거움, PF 0.8 정도
액티브 PFCPF 0.99, 넓은 입력 전압부품·비용·EMI
삼상 정류리플 작음(6펄스), 역률 나음삼상 배전 필요

SMPS 동작 모드 — CCM 과 DCM

인덕터 전류가 0 까지 떨어지느냐 아니냐로 컨버터가 완전히 다른 회로가 됩니다. 듀티비 식도, 출력 임피던스도, 제어 루프도 달라집니다.

전류 변화량A듀티비스위칭 주파수Hz부하 전류A인덕턴스H입력 전압V출력 전압V

전류 변화량A전류 (출력, crit)A부하 전류A

듀티비스위칭 주파수Hz출력 전류A인덕턴스H입력 전압V출력 전압V

전류 변화량A듀티비스위칭 주파수Hz출력 최대 전류A부하 전류A인덕턴스H저항 (소신호)Ω입력 전압V출력 전압V

듀티비출력 전류A전력 (diode)W순방향 전압 강하V

드레인 전력W

듀티비전류A전력 (FET)W도통 저항Ω

듀티비

전류 변화량A부하 전류A

전류 (crit)A

듀티비

전류 변화량A부하 전류A

이득전류 (crit)A

전류 변화량A부하 전류A인덕턴스H저항 (소신호)Ω

같은 회로가 부하에 따라 두 모드를 오갑니다.

벅 컨버터의 CCM 과 DCM 회로도L110µHVIN12VVCTRLD11N5819프리휠C1100µFRLOAD1.65Ω2ASWSW_IDEAL스위치VINPHOUTCTRLGND
벅 컨버터의 CCM 과 DCM

⚠️ 이상과 실제

이상실제
도통 손실 때문에 조금 큽니다. DCM 에서는 아예 다른 식
인덕턴스가 표기값전류가 커지면 포화로 줄어듭니다 — 피크에서의 값을 봐야 합니다
리플이 계산대로커패시터 ESR·ESL 이 더해집니다 (11-02)
모드가 고정부하에 따라 오갑니다. 두 모드 다 확인
효율이 데이터시트대로레이아웃(루프 면적)이 크게 좌우합니다

⚖️ 고르는 기준

선택✅⚠️
인덕턴스 크게 (↓)리플↓, CCM 유지, 잡음↓크기·값·DCR↑, 과도응답 느림
인덕턴스 작게 (↑)작고 쌈, 과도응답 빠름리플↑, 피크 전류↑, DCM 빨리
동기 정류저전압에서 효율↑경부하 손실, 부품↑, 슛스루 위험
강제 CCM주파수 일정 → 잡음 예측 가능경부하 효율↓
자동 DCM (power save)경부하 효율↑잡음이 불규칙 — 측정 회로에 나쁨
주파수 높이기인덕터·커패시터 작아짐스위칭 손실↑, EMI↑

SMPS 루프 보상과 플라이백

스위칭 전원도 부귀환 회로입니다. 다른 점은 출력 LC 가 2차 극점을 공짜로 주고, ESR 이 영점을 주고, 어떤 구조는 우반면 영점까지 준다는 것뿐입니다.

정전용량F등가 직렬 저항Ω주파수 ()Hz저항 ()Ω

듀티비주파수 (RHPZ)Hz출력 전류A인덕턴스H출력 전압V

듀티비피크 개수신호원 개수입력 전압V출력 전압V

주파수 (LC)Hz

등가 직렬 저항Ω주파수 ()Hz

등가 직렬 저항Ω주파수 (전해)Hz

등가 직렬 저항Ω주파수 (세라믹)Hz

주파수 (BW)Hz주파수 (RHPZ)Hz결합 계수 또는 상수

시간 간격s전압 변화량V이동도m²/V·s정전용량F전류A시간s전압V

출력 LC 와 ESR 영점 회로도L110µHRL20mΩ인덕터 DCRRESR3mΩ커패시터 ESRV11V듀티 변조C1100µFRLOAD1.65ΩINMIDOUTCXGND
출력 LC 와 ESR 영점

⚠️ 이상과 실제

이상실제
가 표기값세라믹은 DC 바이어스로 절반 → 가 √2 배 위로
ESR 이 일정온도와 주파수에 따라 크게 변합니다
루프가 하나입력 필터가 또 하나의 루프를 만들어 상호작용합니다
시뮬대로 안정부하·입력 전압·온도의 모든 조합에서 봐야 합니다
RHPZ 는 보상 가능불가능합니다. 대역폭을 낮추는 것뿐

⚖️ 고르는 기준

선택✅⚠️
전류 모드 제어LC 가 1차로 보임 → 타입 II 로 충분전류 감지 필요, 서브하모닉 발진
전압 모드잡음에 강함, 감지 불필요타입 III 필요
세라믹 출력 커패시터ESR↓ → 리플↓, 수명↑ESR 영점 사라짐 → 보상 다시
전해/폴리머공짜 영점리플↑, 수명, 크기
대역폭 높게과도응답 빠름스위칭 잡음이 루프에 들어옴
대역폭 낮게안정, 잡음 적음부하 과도에 출력이 깊이 꺼짐 → 벌크 커패시터로 보완

연습문제

인쇄하면 답이 접힌 채로 나옵니다 — 그대로 문제지가 됩니다. 위의 “답도 함께 인쇄” 를 켜면 풀이까지 펴서 나옵니다.

  1. 전원과 접지 개념 정리12 V에서 3.3 V, 200 mA를 리니어로 만들면 발열은? 벅+LDO(5 V 중간)로 하면?
    풀이

    리니어 직접:

    P=(12−3.3)×0.2=1.74 WP = (12-3.3)\times0.2 = 1.74\ \text{W}

    벅(12→5 V, 효율 90%) + LDO(5→3.3 V):

    • LDO 손실: (5−3.3)×0.2=0.34(5-3.3)\times0.2 = 0.34 W
    • 벅 손실: 출력 5×0.2=15\times0.2 = 1 W, 입력 1/0.9=1.111/0.9 = 1.11 W → 손실 0.110.11 W
    • 총 0.45 W (74% 감소)
  2. 전원과 접지 개념 정리계측 증폭기(PSRR 100 dB @ DC, 60 dB @ 10 kHz)의 전원에 20 mVpp 리플이 있습니다. DC와 10 kHz에서 입력 환산 오차는?
    연습 8-01-2 — PSRR 이 주파수에 따라 무너집니다 회로도RP100kΩPSRR 코너를 정합니다VRIP20mV전원 리플CP159pFSUPMIDGND
    연습 8-01-2 — PSRR 이 주파수에 따라 무너집니다
    풀이

    DC (100 dB = 10510^5):

    20 mV105=0.2 μV\frac{20\ \text{mV}}{10^5} = 0.2\ \mu\text{V}

    10 kHz (60 dB = 10310^3):

    20 mV103=20 μV\frac{20\ \text{mV}}{10^3} = 20\ \mu\text{V}

    100배 차이입니다. 50 µV 신호를 재는데 20 µV의 간섭이면 심각합니다.

    교훈: 스위칭 주파수(보통 수백 kHz)의 리플은 PSRR로 막을 수 없습니다. 전원 자체를 필터링해야 합니다 → 06

  3. 전원과 접지 개념 정리배터리로 측정 시스템을 구동하면 어떤 장점이 있고, 어떤 새로운 문제가 생깁니까?
    풀이

    장점:

    1. 스위칭 노이즈가 전혀 없음 — DC 소스 그 자체
    2. 접지 루프 없음 — 대지와 절연되어 60 Hz 픽업 경로가 끊김 (12-08)
    3. 공통 모드 노이즈 없음 — 어댑터의 Y 커패시터(capacitor)를 통한 결합이 없음
    4. 안전 — 생체 측정에서 감전 위험 제거 (의료 규격 대응 쉬움)

    새로운 문제:

    1. 전압이 방전에 따라 변함 — 리튬 셀은 4.2 V → 3.0 V. LDO나 벅으로 안정화 필요
    2. 내부 저항 — 방전이 진행되면 내부 저항이 커져 부하 과도응답이 나빠짐. 벌크 커패시터(bulk capacitor) 필요
    3. 용량 한계 — 실험 시간 제약. 전력 예산을 엄격히 관리해야 함
    4. 충전 중에는 다시 연결됨 — 충전기가 접지 루프를 만듦. 측정 중에는 충전 금지
    5. 완전 절연이 오히려 문제일 수 있음 — 회로가 대지 기준으로 떠 있으면 정전기가 축적되고, 인체나 장비에 접근할 때 방전됨. 큰 저항(1~10 MΩ)으로 대지에 약하게 연결하는 것이 도움이 될 수 있습니다
    6. 오실로스코프(oscilloscope)를 연결하는 순간 절연이 깨짐 — 오실로스코프의 접지가 대지에 연결되어 있으므로. 차동 프로브(probe)나 절연 오실로스코프가 필요

    배터리 구동은 저잡음 측정의 "황금 표준"이지만, 측정 장비를 연결하는 순간 그 이점이 사라집니다. 무선 전송이나 광절연으로 데이터를 빼내야 완전한 이점을 누립니다.

  4. 리니어 레귤레이터와 LDO9 V → 5 V, 300 mA. 발열과 필요한 열저항(thermal resistance)은? (=40 °C, =125 °C)
    풀이

    P=(9−5)×0.3=1.2 WP = (9-5)\times0.3 = 1.2\ \text{W}

    RθJA≤125−401.2=70.8 °C/WR_{\theta JA} \leq \frac{125-40}{1.2} = 70.8\ \text{°C/W}

    TO-220 자체가 62 °C/W이므로 방열판 없이 아슬아슬합니다. 여유를 위해 소형 방열판을 권장합니다.

  5. 리니어 레귤레이터와 LDOLDO의 드롭아웃이 300 mV입니다. 3.3 V를 만들려면 최소 입력 전압은? 리튬 배터리(3.0~4.2 V)로 가능합니까?
    연습 8-02-2 — LDO 드롭아웃과 리튬 배터리 회로도RDO3Ω패스 소자 도통 저항 (드롭아웃)VIN4.2V리튬 배터리RL33Ω부하 100 mABATOUTGND
    연습 8-02-2 — LDO 드롭아웃과 리튬 배터리
    풀이

    Vin,min=3.3+0.3=3.6 VV_{in,min} = 3.3+0.3 = 3.6\ \text{V}

    리튬 배터리가 3.6 V 아래로 떨어지면 레귤레이션이 풀립니다. 리튬 셀은 3.6 V 이하 구간에도 상당한 용량이 남아 있으므로 용량의 상당 부분을 쓰지 못합니다.

    대안:

    • 드롭아웃이 더 낮은 LDO (100 mV급) → 3.4 V까지 사용
    • 벅-부스트 컨버터 → 배터리 전 구간 사용 가능 (단, 스위칭 노이즈)
    • 3.0 V로 시스템 전압을 낮춤
  6. 리니어 레귤레이터와 LDO벅(500 kHz, 리플 30 mVpp) 뒤에 LDO(PSRR 30 dB @ 500 kHz, 자체 잡음 20 µVrms)를 두었습니다. AFE 전원 잡음은? 목표가 5 µVrms라면 어떻게 개선합니까?
    풀이

    벅 리플의 통과분:

    30 mVpp1030/20=3031.6=0.95 mVpp≈0.34 mVrms\frac{30\ \text{mVpp}}{10^{30/20}} = \frac{30}{31.6} = 0.95\ \text{mVpp} \approx 0.34\ \text{mVrms}

    LDO 자체 잡음: 20 µVrms

    총 (RSS):

    3402+202≈340 μVrms\sqrt{340^2 + 20^2} \approx 340\ \mu\text{Vrms}

    벅 리플이 압도적으로 지배합니다. 목표 5 µVrms의 68배입니다.

    개선 (효과 순):

    1. LDO 앞에 LC 필터 — 페라이트 비드(1 µH) + 10 µF → 500 kHz에서 약 30 dB 추가 감쇠

    340 μV→11 μV340\ \mu\text{V} \rightarrow 11\ \mu\text{V}
    ⚠️ 공진(resonance) 댐핑 필요 (4-05)

    1. 초저잡음 LDO로 교체 (LT3042: 잡음 0.8 µVrms, PSRR 79 dB @ 1 MHz)

    30 mVpp1079/20≈3.4 μVpp≈1.2 μVrms\frac{30\ \text{mVpp}}{10^{79/20}} \approx 3.4\ \mu\text{Vpp} \approx 1.2\ \mu\text{Vrms}
    총: 1.22+0.82=1.4 μVrms\sqrt{1.2^2+0.8^2} = 1.4\ \mu\text{Vrms} ✅

    1. 벅의 스위칭 주파수를 높임 (2 MHz) — 필터가 더 잘 듣지만 LDO PSRR은 더 나빠짐. 순효과 확인 필요
    1. 벅 대신 리니어 — 발열을 감수하면 근본 해결
    1. 배터리 — 최선

    권장 조합: 초저잡음 LDO + 앞단 LC 필터 → 1 µVrms 이하 달성 가능

    자세한 설계 → 16-03 저잡음 전원

  7. 스위칭 레귤레이터 개요24 V → 12 V, 2 A, 300 kHz. 리플 40%일 때 인덕터 값은?
    연습 8-03-1 — 벅 인덕터 고르기 (리플 40 %) 회로도L125µH인덕터 — 리플을 정합니다VSW스위치 노드C1100µFRL6Ω부하 2 ASWOUTGND
    연습 8-03-1 — 벅 인덕터 고르기 (리플 40 %)
    풀이

    D=1224=0.5,ΔIL=0.4×2=0.8 AD = \frac{12}{24} = 0.5, \qquad \Delta I_L = 0.4\times2 = 0.8\ \text{A}

    L=(24−12)×0.50.8×300×103=62.4×105=25 μHL = \frac{(24-12)\times0.5}{0.8\times300\times10^3} = \frac{6}{2.4\times10^5} = 25\ \mu\text{H}

    22 µH 또는 27 µH. 포화 전류는 2+0.4=2.42+0.4 = 2.4 A 이상, 여유를 두어 3 A 이상.

  8. 스위칭 레귤레이터 개요벅 출력의 리플이 계산값의 5배로 측정됩니다. 원인은?
    풀이

    가장 가능성 높은 순서:

    1. 측정 방법의 문제 — 오실로스코프(oscilloscope) 프로브의 긴 접지 리드가 스위칭 노이즈를 픽업. 스프링 접지로 다시 측정 (14-02)
    1. 레이아웃 — 핫 루프가 커서 스위칭 스파이크가 출력에 결합. 입력 커패시터가 IC에서 멀거나, 접지 리턴 경로가 우회
    1. 커패시터 ESL — 출력 커패시터의 기생 인덕턴스(parasitic inductance)가 고주파 스파이크를 못 막음. 작은 커패시터(100 nF)를 병렬로 추가
    1. DC 바이어스로 인한 용량 감소 — 22 µF X5R이 실제로는 8 µF (3-04)
    1. 인덕터 포화 — 피크 전류가 IsatI_{sat}을 넘어 LL이 급감

    진단 순서: 측정 방법 확인 → 부하를 줄여보기(포화 확인) → 커패시터 실측 → 레이아웃 검토

  9. 스위칭 레귤레이터 개요µV 측정 시스템에 벅 컨버터를 써야 합니다. 어떤 대책을 세우겠습니까?
    풀이

    계층적 방어:

    1) 발생 억제

    • 핫 루프 면적 최소화 — 입력 커패시터를 IC 핀 바로 옆(< 2 mm)
    • 차폐형 인덕터 사용
    • 게이트 구동 속도 조절 (일부 IC는 조정 가능) — 효율과 EMI의 트레이드오프
    • 스프레드 스펙트럼 비활성화 (고정 주파수 유지)

    2) 전도 경로 차단

    • 출력에 π 필터 (C-L-C) 또는 페라이트 비드 + 커패시터, 댐핑 포함
    • 그 뒤에 초저잡음 LDO (LT3042 등)
    • 입력에도 필터 (노이즈가 입력으로 역류해 다른 회로에 감)
    • 공통 모드 초크

    3) 방사·유도 경로 차단

    • 스위칭 레귤레이터를 아날로그부에서 물리적으로 최대한 멀리
    • 그라운드 플레인으로 분리, 필요하면 금속 실드 캔
    • 아날로그 신호 배선이 레귤레이터 근처를 지나지 않게

    4) 접지 설계

    • 전력 접지(PGND)와 아날로그 접지(AGND)를 한 점에서만 연결
    • 스위칭 리턴 전류가 AGND를 통과하지 않게

    5) 시스템 레벨

    • 샘플링과 스위칭 동기화 — 노이즈가 특정 위상에 고정되면 제거 가능
    • 또는 측정 구간에 스위칭 정지 (커패시터로 전원 유지)
    • 최후: AFE만 배터리 구동

    검증:

    • 스펙트럼 애널라이저나 FFT로 스위칭 주파수 성분 확인
    • 레귤레이터를 끄고 배터리로 바꿔 노이즈 플로어 비교 ← 이것이 가장 확실한 진단

    자세한 설계 → 16-03 저잡음 전원

  10. 디커플링 커패시터 — 왜, 어디에, 얼마나IC가 30 mA를 50 ns 동안 요구하고, 전압 강하를 30 mV 이내로 하려면?
    연습 8-04-1 — 30 mA 를 50 ns 동안 대려면 얼마가 필요한가 회로도LPATH5nH배선 인덕턴스VDD3.3VC1100nF디커플링ILOADIC 의 순간 전류RL330Ω정상 소비RAILVICGND
    연습 8-04-1 — 30 mA 를 50 ns 동안 대려면 얼마가 필요한가
    풀이

    C=0.03×50×10−90.03=50 nFC = \frac{0.03\times50\times10^{-9}}{0.03} = 50\ \text{nF}

    100 nF 선택 (여유 + DC 바이어스 고려).

  11. 디커플링 커패시터 — 왜, 어디에, 얼마나100 nF 커패시터(ESL 0.5 nH)를 IC에서 8 mm 떨어뜨렸습니다. 50 MHz에서의 임피던스는? 1 mm로 줄이면?
    풀이

    8 mm (배선 8 nH + 비아 1 nH + ESL 0.5 nH ≈ 9.5 nH):

    SRF: 12π9.5n×100n≈5.2\frac{1}{2\pi\sqrt{9.5\text{n}\times100\text{n}}} \approx 5.2 MHz → 50 MHz는 인덕터 영역

    ∣Z∣=2π×5×107×9.5×10−9≈2.98 Ω|Z| = 2\pi\times5\times10^7\times9.5\times10^{-9} \approx 2.98\ \Omega

    1 mm (배선 1 nH + 비아 1 nH + ESL 0.5 nH ≈ 2.5 nH):

    ∣Z∣=2π×5×107×2.5×10−9≈0.79 Ω|Z| = 2\pi\times5\times10^7\times2.5\times10^{-9} \approx 0.79\ \Omega

    3.8배 개선. 커패시터를 바꾸지 않고 배치만 고쳐서 얻은 결과입니다.

  12. 디커플링 커패시터 — 왜, 어디에, 얼마나계측 증폭기(instrumentation amplifier)의 전원 잡음을 줄이려 합니다. 100 nF만 달았을 때와 "10 Ω + 10 µF + 100 nF"를 달았을 때의 차이는? (증폭기 소비 전류 5 mA)
    풀이

    100 nF만:

    • 고주파(> 1 MHz)에는 효과적
    • 저주파(수 kHz~수백 kHz) 노이즈는 거의 통과
    • 임피던스: 10 kHz에서 1/(2π×104×10−7)=159 Ω1/(2\pi\times10^4\times10^{-7}) = 159\ \Omega — 필터링 효과 거의 없음

    10 Ω + 10 µF + 100 nF:

    • RC 저역통과: fc=12π×10×10×10−6=1.6 kHzf_c = \dfrac{1}{2\pi\times10\times10\times10^{-6}} = 1.6\ \text{kHz}
    • 10 kHz에서 감쇠: −20log⁡10(10/1.6)≈−16-20\log_{10}(10/1.6) \approx -16 dB
    • 100 kHz에서: −36 dB
    • 1 MHz에서: −56 dB (단, 커패시터 ESL이 한계를 만듦)

    전압 강하: 10 Ω×5 mA=50 mV10\ \Omega\times5\ \text{mA} = 50\ \text{mV} — 허용 가능

    결론: 직렬 저항 하나로 수십 dB의 노이즈 감소를 얻습니다. 아날로그 전원 필터링의 가장 비용 효율적인 방법입니다.

    ⚠️ 주의사항:

    • 소비 전류가 크면 전압 강하가 커져 헤드룸이 부족해짐
    • 전류가 변동하면 전압도 변동 (RC가 이를 느리게 만들지만)
    • 저항 대신 페라이트 비드(ferrite bead)를 쓰면 DC 강하가 없지만 LC 공진 위험 (4-05)
    • 두 IC가 이 필터를 공유하면 서로 결합(coupling) → IC마다 개별 필터가 이상적
  13. 전원 보호5 V, 1 A 시스템에 직렬 쇼트키(=0.4 V)로 역전압 보호를 하면 손실과 출력 전압은?
    연습 8-05-1 — 직렬 쇼트키로 역전압 보호하면 얼마를 잃나 회로도D11N5819쇼트키 역전압 보호V15VRL4.6Ω부하 1 AINOUTGND
    연습 8-05-1 — 직렬 쇼트키로 역전압 보호하면 얼마를 잃나
    풀이

    Vout=5−0.4=4.6 VV_{out} = 5-0.4 = 4.6\ \text{V}

    P=0.4×1=0.4 WP = 0.4\times1 = 0.4\ \text{W}

    4.6 V는 5 V 시스템에 부족할 수 있고, 0.4 W는 발열이 상당합니다.

    P-MOSFET(RDS(on)R_{DS(on)}=30 mΩ)으로 바꾸면:

    Vdrop=1×0.03=30 mV,P=30 mWV_{drop} = 1\times0.03 = 30\ \text{mV}, \qquad P = 30\ \text{mW}

    13배 적은 손실입니다.

  14. 전원 보호12 V 시스템의 IC 절대 최대 정격이 20 V입니다. TVS를 어떻게 고릅니까?
    풀이
    • VRWM≥V_{RWM} \geq 정상 최대 전압. 12 V ±10% = 13.2 V → VRWMV_{RWM} = 14~15 V
    • VC<V_C < 20 V → VCV_C ≈ 18~19 V

    예: SMBJ14A (VRWMV_{RWM}=14 V, VBRV_{BR}≈15.6 V, VCV_C=23.2 V @ 최대 서지)

    ⚠️ VCV_C 23.2 V는 20 V를 초과합니다! 최대 서지 전류에서의 값이므로, 예상 서지가 작다면 실제 클램프는 더 낮습니다. 하지만 여유가 없다면:

    • SMBJ13A (VRWMV_{RWM}=13 V, VCV_C=21.5 V) — 여전히 아슬아슬
    • TVS + 직렬 저항 조합으로 클램프 개선
    • 더 높은 정격의 IC 사용
    • 2단 보호: 앞에 큰 TVS + 직렬 임피던스 + 뒤에 작은 TVS

    교훈: TVS만으로 좁은 마진을 맞추기는 어렵습니다. 직렬 임피던스(저항, 페라이트, PTC)와 조합해야 합니다.

  15. 전원 보호생체 신호 측정 장비에서 안전을 위해 어떤 설계를 하겠습니까?
    풀이

    핵심 원칙: 인체로 흐를 수 있는 전류 경로를 차단한다.

    1) 전원 절연

    • 배터리 구동이 가장 안전하고 간단
    • 또는 의료 등급 절연 전원 (환자 누설 전류 < 10 µA)
    • 절연 DC-DC의 1차-2차 간 결합 용량도 확인 (공통 모드 전류 경로)

    2) 신호 경로 절연

    • 측정부와 PC/외부 장비 사이를 광절연(디지털) 또는 절연 증폭기(아날로그)
    • USB로 PC에 연결하면 PC의 접지가 환자에게 연결되므로 절연 USB 아이솔레이터 필수
    • 또는 무선 전송 (Bluetooth, Wi-Fi) — 완전 절연

    3) 전극 경로의 전류 제한

    • 각 전극에 직렬 저항(10~100 kΩ) — 고장 시에도 전류를 µA로 제한
    • ⚠️ 이 저항이 열잡음을 추가하므로 잡음 예산과 균형 필요
    • 입력 클램프는 저누설 소자로

    4) 단일 고장 안전(single fault safety)

    • 어느 부품 하나가 고장나도 위험하지 않도록 이중 보호
    • 예: 절연 + 직렬 저항 (둘 중 하나가 실패해도 안전)

    5) 접지 설계

    • 환자를 대지에 접지하지 않음
    • 드리븐 라이트 레그를 쓴다면 출력 전류를 제한 (직렬 저항 + 전류 제한)

    6) 규격 확인

    • IEC 60601-1 (기본 안전), 60601-1-2 (EMC)
    • 연구용이라도 IRB/윤리위원회 승인 시 안전 설계를 요구받습니다

    가장 안전하고 간단한 조합: 배터리 구동 + 무선 전송 + 전극(electrode) 직렬 저항. 이렇게 하면 인체와 대지 사이에 전기적 경로가 아예 없습니다. 측정 성능(저잡음, 접지 루프(ground loop) 없음) 면에서도 최선입니다.

  16. 저잡음 전원과 PSRR목표 입력 환산 잡음 0.5 µVrms, PSRR 65 dB @ 10 kHz. 허용 전원 잡음은?
    풀이

    Vsupply=0.5 μV×1065/20=0.5×1778≈889 μV rmsV_{supply} = 0.5\ \mu\text{V}\times10^{65/20} = 0.5\times1778 \approx 889\ \mu\text{V rms}

    약 0.9 mVrms. 일반 LDO로 가능하지만, 스위칭 리플이 이 대역에 있으면 필터가 필요합니다.

  17. 저잡음 전원과 PSRRH, F 필터의 공진(resonance) 주파수와 Q(ESR 5 mΩ)는? 댐핑 설계는?
    연습 8-06-2 — LC 필터의 공진과 댐핑 회로도L12.2µHRD330mΩ댐핑 저항 ≈ Z_0VN1V전원 잡음C122µFCD100µF댐핑 커패시터RL5ΩINOUTDMPGND
    연습 8-06-2 — LC 필터의 공진과 댐핑
    풀이

    f0=12π2.2×10−6×22×10−6=12π×6.96×10−6≈22.9 kHzf_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{2.2\times10^{-6}\times22\times10^{-6}}} = \frac{1}{2\pi\times6.96\times10^{-6}} \approx 22.9\ \text{kHz}

    Q=10.0052.2×10−622×10−6=200×0.316=63Q = \frac{1}{0.005}\sqrt{\frac{2.2\times10^{-6}}{22\times10^{-6}}} = 200\times0.316 = 63

    Q = 63 → 공진에서 +36 dB. 매우 위험합니다.

    RC 댐핑:

    Cd=4C=88 μF→100 μFC_d = 4C = 88\ \mu\text{F} \rightarrow 100\ \mu\text{F}

    Rd=LC=2.2×10−622×10−6=0.316 Ω→0.33 ΩR_d = \sqrt{\frac{L}{C}} = \sqrt{\frac{2.2\times10^{-6}}{22\times10^{-6}}} = 0.316\ \Omega \rightarrow 0.33\ \Omega

    이렇게 하면 Q가 1 근처로 떨어집니다.

  18. 저잡음 전원과 PSRR16비트 ADC(기준 2.5 V, 입력 ±2.5 V)로 측정합니다. 기준전압 잡음이 얼마 이하여야 ADC 분해능(resolution)이 의미가 있습니까?
    풀이

    LSB=5 V65536=76.3 μV\text{LSB} = \frac{5\ \text{V}}{65536} = 76.3\ \mu\text{V}

    기준전압 잡음은 비례 오차로 작용합니다. 풀스케일 근처에서 가장 큰 영향을 미치므로, 최악의 경우를 봅니다.

    ΔVrefVref×Vfullscale<LSB2\frac{\Delta V_{ref}}{V_{ref}} \times V_{fullscale} < \frac{\text{LSB}}{2}

    ΔVref<76.3 μV/25 V×2.5 V=19 μV\Delta V_{ref} < \frac{76.3\ \mu\text{V}/2}{5\ \text{V}}\times2.5\ \text{V} = 19\ \mu\text{V}

    피크로 19 µV, rms로는 약 6 µVrms (피크를 3σ로 볼 때).

    실무 목표: 기준전압 잡음 < 3 µVrms

    달성 방법:

    • ADR4525 (0.1 Hz~10 Hz에서 2.1 µVpp) 같은 저잡음 레퍼런스
    • 출력에 10 Ω + 10 µF 필터 (고주파 제거)
    • ⚠️ 단, 레퍼런스의 출력 임피던스가 올라가므로 ADC가 요구하는 구동력을 확인해야 합니다. 필요하면 저잡음 버퍼 추가
    • 레퍼런스 IC를 온도가 안정된 곳에 배치 (발열 부품에서 멀리)
    • 기준전압 배선을 켈빈 연결(force/sense 분리)로

    16비트 이상에서는 기준전압이 거의 항상 병목입니다. ADC를 24비트로 바꿔도 기준전압이 그대로면 실효 분해능은 변하지 않습니다. → 16-04

  19. 삼상과 역률선간 380 V 삼상, 유효전력 10 kW, 역률 0.85. 선전류는?
    풀이

    P=3 VLLILcos⁡ϕ⇒IL=P3 VLLcos⁡ϕP = \sqrt3\,V_{LL}I_L\cos\phi \quad\Rightarrow\quad I_L = \frac{P}{\sqrt3\,V_{LL}\cos\phi}

    IL=100001.732×380×0.85=10000559.4=17.9 AI_L = \frac{10000}{1.732 \times 380 \times 0.85} = \frac{10000}{559.4} = \mathbf{17.9\ A}

    역률이 1 이면 15.2 A. 2.7 A 차이이고, 차단기와 케이블은 17.9 A 기준
    으로 골라야 합니다.

  20. 삼상과 역률역률 0.6 인 장비에 커패시터를 병렬로 달았는데 전혀 개선되지 않았습니다. 왜입니까?
    연습 8-07-2 — 커패시터를 달았는데 역률이 안 좋아지는 경우 회로도RS110mΩ선전류 감지R117.4ΩRS210mΩ선전류 감지R217.4ΩV1220 V rmsL161.6mH역률 0.6 인 유도성 부하V2L261.6mHCPF73µF역률 보정S1A1B1S2A2B2GND
    연습 8-07-2 — 커패시터를 달았는데 역률이 안 좋아지는 경우
    풀이

    왜곡 역률이기 때문입니다.

    전류 파형을 보면 정현파가 아니라 뾰족한 펄스일 것입니다. 다이오드
    브리지 + 평활 커패시터가 전압 꼭대기 근처에서만 전류를 끌어가는 파형입니다.

    PF=cos⁡ϕ×11+THDi2\mathrm{PF} = \cos\phi \times \frac{1}{\sqrt{1+\mathrm{THD}_i^2}}

    cos⁡ϕ≈0.98\cos\phi \approx 0.98 인데 THDi≈1.3\mathrm{THD}_i \approx 1.3 이면
    1/1+1.69=0.611/\sqrt{1+1.69} = 0.61 — 0.6 이 나옵니다.

    커패시터는 cos⁡ϕ\cos\phi 만 고칩니다. 이미 0.98 이라 고칠 게 없습니다.

    해결은 PFC 회로뿐입니다. 액티브 PFC 는 부스트 컨버터로 입력 전류가
    전압 파형을 따라가게 강제해 THD 를 5% 아래로 만듭니다 → PF 0.99.

  21. 삼상과 역률3상 4선식 건물에서 각 상에 LED 조명이 골고루 달려 있습니다. 중성선 전류가 상전류보다 큽니다. 왜입니까?
    풀이

    3차 고조파가 세 상에서 동상이기 때문입니다.

    기본파(60 Hz)는 세 상이 120° 씩 벌어져 있어 중성선에서 상쇄됩니다.
    그런데 3차 고조파(180 Hz)는 위상이 3×120°=360°3 \times 120° = 360° 씩 벌어진
    것이라 셋이 정확히 같은 위상입니다. 상쇄되지 않고 더해집니다.

    IN=3I3rdI_N = 3 I_{3rd}

    LED 드라이버·컴퓨터 전원 같은 비선형 부하는 3차 고조파가 기본파의
    60~80% 에 이릅니다. 세 상이 완벽히 평형이어도

    IN=3×0.7I1=2.1I1I_N = 3 \times 0.7 I_1 = 2.1 I_1

    상전류의 2배가 넘습니다.

    대책:

    1. 중성선을 상선보다 굵게 — 비선형 부하가 많은 건물의 표준
    2. 부하를 분산 — 선형 부하와 섞기
    3. PFC 가 있는 조명 — 3차 고조파 자체를 줄임
    4. 3차 고조파 필터(영상분 트랩)

    ⚠️ 평형이면 중성선에 전류가 0 이라는 것은 선형 부하일 때만 참입니다.
    요즘 건물에서는 거의 성립하지 않습니다.

  22. SMPS 동작 모드 — CCM 과 DCM = 24 V, = 5 V, = 400 kHz, = 22 µH. DCM 경계 전류는?
    연습 8-08-1 — 벅 컨버터의 DCM 경계 전류 회로도L122µH인덕터 + 감지저항 1 ΩVSW스위치 노드 (D = 21.8 %)VO5V출력 (5 V 로 고정해 본 것)SWOUTGND
    연습 8-08-1 — 벅 컨버터의 DCM 경계 전류
    풀이

    D=524=0.208D = \frac{5}{24} = 0.208

    ΔIL=(24−5)×0.20822×10−6×4×105=3.968.8=0.45 A\Delta I_L = \frac{(24-5)\times 0.208}{22\times10^{-6}\times 4\times10^5} = \frac{3.96}{8.8} = 0.45\ \mathrm{A}

    Icrit=0.452=225 mAI_{crit} = \frac{0.45}{2} = \mathbf{225\ mA}

    부하가 225 mA 아래면 DCM 입니다.

    설계에 쓰는 법: 최소 부하가 100 mA 라면 DCM 을 피할 수 없으므로,
    DCM 에서의 리플과 잡음을 확인해야 합니다. 꼭 CCM 을 유지하려면
    LL 을 2배로 올려 IcritI_{crit} 을 112 mA 로 내리거나, 더미 부하를
    답니다 (효율을 버리는 대신 모드를 고정).

  23. SMPS 동작 모드 — CCM 과 DCM리플 비율 을 0.4 에서 0.2 로 줄이려면 인덕턴스를 어떻게 해야 하고, 무엇을 잃습니까?
    풀이

    ΔIL∝1L⇒r 를 절반으로⇒L 을 2배로\Delta I_L \propto \frac{1}{L} \quad\Rightarrow\quad r \text{ 를 절반으로} \Rightarrow L \text{ 을 } 2\text{배로}

    잃는 것 셋:

    1. 크기와 값 — 같은 정격 전류에서 인덕턴스가 2배면 부피가 대략 2배
    2. DCR — 권선이 길어져 도통 손실↑
    3. 과도응답 — 인덕터가 클수록 전류를 빨리 못 바꿉니다. 부하가 갑자기

    늘면 출력이 더 깊이 꺼집니다

    얻는 것: 리플 전압 절반, DCM 진입이 절반 부하로 내려감, 잡음↓.

    측정 회로라면 얻는 쪽이 큽니다. 배터리 기기라면 크기와 과도응답이
    더 중요할 수 있습니다. 어느 쪽인지가 먼저입니다.

  24. SMPS 동작 모드 — CCM 과 DCM경부하에서 효율이 갑자기 좋아지는 구간이 있습니다. 왜입니까?
    풀이

    IC 가 자동으로 DCM(power save)으로 넘어간 것입니다.

    CCM 을 유지하면 경부하에서도 인덕터 전류가 계속 흐르고, 동기 정류
    FET 때문에 음의 전류(에너지를 입력으로 되돌림) 가 생깁니다. 그
    순환 전류가 I2RI^2R 손실을 만들어 효율이 나빠집니다.

    DCM 으로 넘어가면 동기 FET 을 꺼서 순환을 막고, 스위칭 자체도 건너뛰어
    (pulse skipping) 게이트 구동 손실도 줍니다.

    ⚠️ 대가: 스위칭 주파수가 불규칙해지고 리플이 커집니다. 측정 회로가
    같이 붙어 있으면 그 불규칙한 잡음이 측정 대역에 들어옵니다.
    효율 곡선의 그 예쁜 구간이 아날로그에는 최악일 수 있습니다.

  25. SMPS 루프 보상과 플라이백전해 커패시터(ESR 150 mΩ, 220 µF)를 세라믹(ESR 3 mΩ, 100 µF)으로 바꿨습니다. ESR 영점은 어떻게 됩니까?
    연습 8-09-1 — 전해를 세라믹으로 바꾸면 ESR 영점이 사라진다 회로도ESRC3mΩ세라믹 ESRI11A1 A → 전압이 곧 임피던스CE220µF전해 220 µFI21ACC100µF세라믹 100 µFZELECZCERN1GND
    연습 8-09-1 — 전해를 세라믹으로 바꾸면 ESR 영점이 사라진다
    풀이

    fESR,전해=12π×0.15×220×10−6=4.8 kHzf_{ESR,전해} = \frac{1}{2\pi \times 0.15 \times 220\times10^{-6}} = 4.8\ \mathrm{kHz}

    fESR,세라믹=12π×0.003×100×10−6=530 kHzf_{ESR,세라믹} = \frac{1}{2\pi \times 0.003 \times 100\times10^{-6}} = 530\ \mathrm{kHz}

    4.8 kHz → 530 kHz, 110배 위로 도망갔습니다.

    전해일 때는 영점이 fLCf_{LC}(≈5 kHz) 바로 근처라 LC 극점의 위상을
    곧바로 되돌려 줬습니다. 세라믹에서는 루프 대역폭(50 kHz)보다 10배 위라
    아무 도움이 안 됩니다.

    결과: 위상 여유가 30~40° 줄어 발진하거나 심하게 링잉합니다.

    대책: ① 보상 회로를 다시 설계하거나, ② 세라믹에 직렬로 저항을
    넣어
    인위적으로 ESR 을 만들거나(리플이 커짐), ③ 폴리머 커패시터로
    타협합니다.

  26. SMPS 루프 보상과 플라이백부스트 컨버터의 RHPZ 가 8 kHz 입니다. 루프 대역폭을 얼마로 잡아야 합니까?
    풀이

    fBW≤fRHPZ3=80003≈2.7 kHzf_{BW} \le \frac{f_{RHPZ}}{3} = \frac{8000}{3} \approx \mathbf{2.7\ kHz}

    보수적으로는 1/5 인 1.6 kHz 를 씁니다.

    대가: 부하가 갑자기 늘면 루프가 반응하는 데
    ≈1/(2π×2700)=59\approx 1/(2\pi \times 2700) = 59 µs 가 걸립니다. 그동안 출력을
    붙잡아 줄 것은 출력 커패시터뿐입니다.

    부하 스텝 0.5 A, 허용 딥 100 mV 라면

    C≥IΔtΔV=0.5×59×10−60.1=295 μFC \ge \frac{I\Delta t}{\Delta V} = \frac{0.5 \times 59\times10^{-6}}{0.1} = 295\ \mu\mathrm{F}

    RHPZ 가 커패시터 크기를 정했습니다. 부스트·플라이백이 벅보다 출력
    커패시터가 큰 이유입니다.

  27. SMPS 루프 보상과 플라이백전류 모드 제어가 왜 보상을 쉽게 만듭니까?
    풀이

    인덕터 전류를 직접 되먹이기 때문입니다.

    전압 모드에서는 듀티 → 인덕터 전압 → (적분) → 인덕터 전류 → (적분) →
    출력 전압. 적분이 두 번이라 2차입니다.

    전류 모드에서는 안쪽 루프가 인덕터 전류를 명령대로 만들어 주므로,
    바깥 루프가 보기에 인덕터가 전류원입니다. 전류원 → 커패시터 →
    전압은 적분 한 번, 즉 1차입니다.

    2차 (LC)⟶1차 (C 만)\text{2차 (LC)} \longrightarrow \text{1차 (C 만)}

    극점이 하나 줄었으니 되돌려야 할 위상도 90° 뿐 — 타입 II 로 충분
    합니다.

    ⚠️ 대가: 전류를 감지해야 하고(션트나 DCR 감지), 듀티가 50% 를 넘으면
    서브하모닉 발진이 생겨 슬로프 보상을 넣어야 합니다.