저잡음 전원과 PSRR

한 줄 요약 — 측정 시스템의 잡음 바닥은 전원이 정합니다. 증폭기를 아무리 좋은 것으로 바꿔도 전원이 시끄러우면 소용없습니다.


전원 잡음이 신호로 들어오는 세 경로

경로메커니즘방어
1. PSRR 한계증폭기가 전원 변동을 완전히 억제하지 못함전원 자체를 조용하게, PSRR 좋은 소자
2. 기준전압(voltage reference) 오염ADC 기준이 흔들리면 모든 측정이 흔들림전용 저잡음 레귤레이터(regulator) + 필터
3. 접지를 통한 결합(coupling)전원 전류가 접지에 전압을 만듦접지 설계, 리턴 경로 분리

PSRR 다시 보기

PSRR=20log⁡10ΔVsupplyΔVOS,input\text{PSRR} = 20\log_{10}\frac{\Delta V_{supply}}{\Delta V_{OS,input}}
기호
Delta V전압 변화량voltage changeV
PSRR전원 제거비power supply rejection ratiodB
V_OS,input전압 (OS, input)voltage (OS, input)V
V_supply전압 (supply)voltage (supply)V

PSRR은 주파수에 따라 급격히 나빠집니다.

주파수OP앰프 PSRR (전형)남는 잡음 (전원 잡음 10 mV 기준)
DC100 dB0.1 µV
100 Hz90 dB0.3 µV
1 kHz70 dB3.2 µV
10 kHz55 dB18 µV
100 kHz35 dB178 µV
1 MHz20 dB1 mV

⚠️ 50 µV 신호를 다루는데 100 kHz에서 178 µV의 전원 잡음이 들어옵니다. 스위칭 레귤레이터의 리플(ripple)리플 ripple직류가 되다 만 나머지 교류분으로, 평활 커패시터가 얼마나 큰지로 정해집니다.Vr=If CV_r = \frac{I}{f\,C}자세히 보기 →이 정확히 이 대역입니다.


전원 잡음 예산 세우기

역산 절차

  1. 목표 입력 환산 잡음(input-referred noise)입력환산잡음 input-referred noise회로 곳곳의 잡음을 입력단 하나로 몰아 표현한 값으로, 신호와 직접 견줄 수 있어 판정에 씁니다.자세히 보기 →을 정한다 (예: 1 µV rms)
  2. 그중 전원 기여분 할당 (예: 전체의 1/3 = 0.33 µV)
  3. 관심 주파수에서의 PSRR 확인
  4. 허용 전원 잡음 = 할당 × 10PSRR/2010^{\text{PSRR}/20}

예: 목표 0.33 µV, PSRR 60 dB @ 10 kHz

Vsupply,max=0.33 μV×1000=330 μV rmsV_{supply,max} = 0.33\ \mu\text{V}\times1000 = 330\ \mu\text{V rms}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
V_supply,max전압 (supply, 최대)voltage (supply, maximum)V

330 µVrms 이하의 전원이 필요합니다. 일반 LDO(50~200 µVrms)면 아슬아슬하고, 스위칭 리플이 남아 있으면 불가능합니다.


★ 저잡음 전원 설계 — 계층적 접근

입력보호벌크 커패시터스위칭 or 리니어거친 변환 — 전압을 대충 낮춘다LC / π 필터고주파 제거 — 스위칭 리플을 깎는다저잡음 LDO저주파 정제 — PSRR로 남은 잡음을 눌러 준다국부 디커플링최종 방어 — 칩 바로 옆에서 순간 전류를 공급AFE

단계마다 담당 주파수가 다릅니다. 필터는 고주파, LDO는 저주파~중주파, 디커플링은 초고주파. 하나로 다 못 하기 때문에 겹쳐 쌓습니다.

각 단계의 역할

단계담당 주파수부품
스위칭/리니어큰 전압 변환벅 또는 변압기
LC/π 필터100 kHz ~ 수 MHz (LDO가 못 막는 대역)페라이트/인덕터(inductor) + 커패시터(capacitor) + 댐핑
저잡음 LDODC ~ 100 kHzLT3042, ADP7118 등
국부 디커플링수 MHz 이상, 순간 전류100 nF + 10 µF

각 단계가 다른 주파수 대역을 담당합니다. 한 가지 방법으로 전 대역을 커버할 수 없습니다.

LC 필터 설계와 댐핑

f0=12πLCf_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}
기호
C정전용량capacitanceF
f_0공진 주파수resonant frequencyHz
L인덕턴스inductanceH

f0f_0를 스위칭 주파수의 1/10 이하로 잡습니다.

예: fswf_{sw} = 500 kHz → f0f_0 ≈ 50 kHz L=1 μL = 1\ \muH, C=10 μC = 10\ \muF → f0=50.3f_0 = 50.3 kHz ✅

⚠️ Q가 높으면 f0f_0에서 노이즈가 증폭됩니다 (4-05).

Q=1RLC=10.0110−610−5=31.6Q = \frac{1}{R}\sqrt{\frac{L}{C}} = \frac{1}{0.01}\sqrt{\frac{10^{-6}}{10^{-5}}} = 31.6
기호
C정전용량capacitanceF
L인덕턴스inductanceH
Q전하 / 품질 계수charge / quality factor
R저항resistanceΩ

댐핑 필요. 두 가지 방법:

방법✅⚠️
직렬 저항 (1~3 Ω)간단DC 전압 강하
RC 병렬 댐핑 (커패시터에 직렬 RC를 병렬로)DC 손실 없음부품 2개

RC 댐핑 설계: Cd≈4CC_d \approx 4C, Rd≈L/CR_d \approx \sqrt{L/C}

L=1 μL=1\ \muH, C=10 μC=10\ \muF → Cd=47 μC_d = 47\ \muF, Rd=0.32 ΩR_d = 0.32\ \Omega → 실용적으로 1 Ω


초저잡음 LDO

품번출력 잡음PSRR @ 1 MHz특징
LT30420.8 µVrms79 dB전류원 기반, 최고급
LT30450.8 µVrms76 dB500 mA
ADM71501.7 µVrms60 dB
ADP711811 µVrms55 dB범용 저잡음
TPS7A47004.2 µVrms54 dB
일반 LDO50~200 µVrms30 dB

💡 NR/BYP 핀 커패시터를 반드시 다세요. 없으면 잡음이 10배 이상 나빠집니다. 대신 기동 시간이 수 ms~수십 ms로 길어집니다.


기준전압은 따로

ADC 기준전압은 시스템 정확도의 상한을 정합니다.

항목요구
초기 정확도±0.05~0.1%
온도 드리프트< 10 ppm/°C
잡음ADC LSB보다 훨씬 작게
장기 안정도ppm/1000h

예: 16비트 ADC, 기준 2.5 V → LSB = 38 µV. 기준전압 잡음이 10 µVrms면 피크 30 µV로 LSB에 육박 → 실효 분해능 저하

권장: 전용 레퍼런스 IC(REF5025, ADR4525 등) + 출력 필터(10 Ω + 10 µF) + 버퍼


시뮬레이션으로 확인

댐핑된 LC 전원 필터 회로도L11µHRD330mΩ댐핑 저항 (≈ Zo)VN1V전원 잡음원C110µFCD47µFRL33ΩINOUTDAMPGND
댐핑된 LC 전원 필터워크벤치에서 열기 →
# examples/08-power/lc-filter-damped.yaml
meta:
  name: 댐핑된 LC 전원 필터
  lesson: docs/08-power/06-low-noise-supply.md
  note: |
    RD/CD 를 제거하면 50 kHz 부근에서 노이즈가 증폭되는 것을 볼 수 있다.

    댐핑 저항은 **특성 임피던스에 맞춥니다.**
      Zo = √(L/C) = √(1µ/10µ) = 0.316 Ω,  f0 = 1/2π√(LC) = 50.3 kHz
    RD 가 Zo 보다 크면 댐핑이 안 되고 Q ≈ RD/Zo 로 봉우리가 남습니다 —
    RD = 1 Ω 이면 Q = 3.2 로 약 10 dB 가 솟습니다.
components:
  - {ref: VN,  type: vac, value: 1, label: 전원 잡음원}
  - {ref: L1,  type: l, value: 1u}
  - {ref: C1,  type: c, value: 10u, params: {esr: 0.005}}
  - {ref: RD,  type: r, value: 0.33, label: 댐핑 저항 (≈ Zo), sweep: {min: 10m, max: 10}}
  - {ref: CD,  type: c, value: 47u}
  - {ref: RL,  type: r, value: 33}
nets:
  IN:   [VN.p, L1.1]
  OUT:  [L1.2, C1.1, RD.1, RL.1]
  DAMP: [RD.2, CD.1]
  GND:  [VN.n, C1.2, CD.2, RL.2]
analyses:
  - {type: ac, sweep: dec, points: 100, fstart: 1k, fstop: 10MEG}
expect:
  - {measure: gain_db, node: OUT, at: 500k, analysis: ac, max: -30}
  - {measure: gain_db, node: OUT, at: 50k,  analysis: ac, max: 3}

RD/CD가 없으면 50 kHz에서 +30 dB가 나옵니다 — 필터가 노이즈를 30배 키웁니다.


⚖️ 부품 트레이드오프 — 종합

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
배터리잡음 최저, 접지 루프 없음용량·전압 변동, 충전 관리
리니어 전원저잡음, 간단발열·부피, 변압기 자기장
스위칭 + 필터 + LDO효율과 잡음의 균형부품 많음, 설계·레이아웃 까다로움
초저잡음 LDO잡음 1 µVrms 이하비쌈, 전류 제한, 드롭아웃드롭아웃 전압 dropout voltage리니어 레귤레이터가 정상 동작하려면 입출력 사이에 최소한 있어야 하는 전압 차입니다.자세히 보기 →
LC 필터고주파 크게 감쇠공진 위험(댐핑 필수), 인덕터 자기장
RC 필터 (직렬 저항)간단, 공진 없음전압 강하, 전류 클수록 불리
레일마다 개별 LDO블록 간 격리부품·면적·비용
AFE 전용 전원 분리최고 성능복잡

🔌 실제 쓰임새 — 권장 구성

일반 측정 시스템

공통 구간

어댑터 12 V보호벅 5 V효율 우선. 여기까지는 시끄러워도 된다

5 V에서 두 갈래로 갈라집니다.

갈래경로대상요점
디지털LDO 3.3 VMCU/디지털잡음 요구가 낮아 평범한 LDO로 충분
아날로그π필터 → LT3042 3.3 V → 10 Ω + 10 µFAFEπ필터로 벅 리플을 먼저 깎고, 초저잡음 LDO로 정제, 마지막 RC로 국부 격리
기준전압위 아날로그 레일 → REF ICADC 기준ADC 기준은 정확도가 곧 측정 정확도라 별도 IC로 만든다

💡 갈라지는 지점이 5 V (벅 출력) 라는 데 주목하세요. 디지털이 순간적으로 큰 전류를 당겨도 그 영향은 5 V 레일까지만 오고, 아날로그 쪽 LDO의 PSRR이 나머지를 눌러 줍니다.

최고 정밀 (연구용)

갈래경로대상요점
아날로그LDO ±5 V, 초저잡음AFE배터리는 애초에 스위칭 잡음이 없다 — 그래서 이 구성이 가장 조용하다
디지털LDO 3.3 VMCU측정 중에는 저전력 모드로 재워 디지털 잡음 자체를 없앤다

데이터는 광절연 또는 무선으로 내보내 접지 루프를 아예 만들지 않습니다 (12-03).


⚠️ 이상과 실제의 차이

이상실제
LDO가 모든 잡음 제거고주파에서 PSRR 급락
필터가 잡음을 줄임공진 주파수에서 증폭
레일 분리 = 격리접지와 기생 용량으로 결합
데이터시트 잡음값부하·온도·레이아웃에 따라 달라짐
전원은 부수적전원이 시스템 성능을 결정

연습문제

문제 1. 목표 입력 환산 잡음 0.5 µVrms, PSRR 65 dB @ 10 kHz. 허용 전원 잡음은?

exercises/08-06-allowed-supply-noise.yaml
풀이 Vsupply=0.5 μV×1065/20=0.5×1778≈889 μV rmsV_{supply} = 0.5\ \mu\text{V}\times10^{65/20} = 0.5\times1778 \approx 889\ \mu\text{V rms}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
V_supply전압 (supply)voltage (supply)V

약 0.9 mVrms. 일반 LDO로 가능하지만, 스위칭 리플이 이 대역에 있으면 필터가 필요합니다.

문제 2. L=2.2 μL = 2.2\ \muH, C=22 μC = 22\ \muF 필터의 공진(resonance)공진 resonance인덕터와 커패시터의 임피던스가 서로 상쇄되는 주파수로, 그 자리에서 전압이나 전류가 크게 솟습니다.f0=12πLCf_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}자세히 보기 → 주파수와 Q(ESR 5 mΩ)는? 댐핑 설계는?

연습 8-06-2 — LC 필터의 공진과 댐핑 회로도L12.2µHRD330mΩ댐핑 저항 ≈ Z_0VN1V전원 잡음C122µFCD100µF댐핑 커패시터RL5ΩINOUTDMPGND
연습 8-06-2 — LC 필터의 공진과 댐핑워크벤치에서 열기 →
풀이 f0=12π2.2×10−6×22×10−6=12π×6.96×10−6≈22.9 kHzf_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{2.2\times10^{-6}\times22\times10^{-6}}} = \frac{1}{2\pi\times6.96\times10^{-6}} \approx 22.9\ \text{kHz}
기호
f_0공진 주파수resonant frequencyHz
Q=10.0052.2×10−622×10−6=200×0.316=63Q = \frac{1}{0.005}\sqrt{\frac{2.2\times10^{-6}}{22\times10^{-6}}} = 200\times0.316 = 63
기호
Q전하 / 품질 계수charge / quality factor

Q = 63 → 공진에서 +36 dB. 매우 위험합니다.

RC 댐핑:

Cd=4C=88 μF→100 μFC_d = 4C = 88\ \mu\text{F} \rightarrow 100\ \mu\text{F}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
C정전용량capacitanceF
C_d드레인 정전용량drain capacitanceF
Rd=LC=2.2×10−622×10−6=0.316 Ω→0.33 ΩR_d = \sqrt{\frac{L}{C}} = \sqrt{\frac{2.2\times10^{-6}}{22\times10^{-6}}} = 0.316\ \Omega \rightarrow 0.33\ \Omega
기호
C정전용량capacitanceF
L인덕턴스inductanceH
R_d드레인 저항drain resistanceΩ

이렇게 하면 Q가 1 근처로 떨어집니다.

문제 3. 16비트 ADC(기준 2.5 V, 입력 ±2.5 V)로 측정합니다. 기준전압 잡음이 얼마 이하여야 ADC 분해능(resolution)분해능 resolutionADC 가 구분할 수 있는 가장 작은 전압 차이로, 비트 수와 기준전압으로 정해집니다.1 LSB=Vref/2n1\,\mathrm{LSB} = V_{ref}/2^n자세히 보기 →이 의미가 있습니까?

exercises/08-06-ref-noise-16bit.yaml
풀이 LSB=5 V65536=76.3 μV\text{LSB} = \frac{5\ \text{V}}{65536} = 76.3\ \mu\text{V}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s

기준전압 잡음은 비례 오차로 작용합니다. 풀스케일 근처에서 가장 큰 영향을 미치므로, 최악의 경우를 봅니다.

ΔVrefVref×Vfullscale<LSB2\frac{\Delta V_{ref}}{V_{ref}} \times V_{fullscale} < \frac{\text{LSB}}{2}
기호
Delta V전압 변화량voltage changeV
V_fullscale전압 (fullscale)voltage (fullscale)V
V_ref기준 전압reference voltageV
ΔVref<76.3 μV/25 V×2.5 V=19 μV\Delta V_{ref} < \frac{76.3\ \mu\text{V}/2}{5\ \text{V}}\times2.5\ \text{V} = 19\ \mu\text{V}
기호
Delta V전압 변화량voltage changeV
mu이동도mobilitym²/V·s
V_ref기준 전압reference voltageV

피크로 19 µV, rms로는 약 6 µVrms (피크를 3σ로 볼 때).

실무 목표: 기준전압 잡음 < 3 µVrms

달성 방법:

  • ADR4525 (0.1 Hz~10 Hz에서 2.1 µVpp) 같은 저잡음 레퍼런스
  • 출력에 10 Ω + 10 µF 필터 (고주파 제거)
  • ⚠️ 단, 레퍼런스의 출력 임피던스가 올라가므로 ADC가 요구하는 구동력을 확인해야 합니다. 필요하면 저잡음 버퍼 추가
  • 레퍼런스 IC를 온도가 안정된 곳에 배치 (발열 부품에서 멀리)
  • 기준전압 배선을 켈빈 연결(force/sense 분리)로

16비트 이상에서는 기준전압이 거의 항상 병목입니다. ADC를 24비트로 바꿔도 기준전압이 그대로면 실효 분해능은 변하지 않습니다. → 16-04


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