치트시트

2장. 회로 해석법

문서 7개 · 수식 79개 · 회로 18개 · 함정 8개 · 문제 19개

왼쪽 절반에만 찍고 오른쪽은 백지로 비웁니다 — 읽으면서 옆에 적어 보세요. 내용은 하나도 안 자릅니다.

2단으로 빽빽하게, 표시된 것만 — 시험 직전에 훑는 배치입니다.

키르히호프 법칙 (KCL·KVL)

전하는 사라지지 않고(KCL), 에너지는 한 바퀴 돌면 제자리(KVL). 이 둘이 모든 회로 해석의 기초입니다.

전류A입력 전류A출력 전류A

2번 전류A

전압V

전압 (R1)V전압 (R2)V

전류A

전압 (x)V

전압 (x)V

전압 (x)V

전압 (x)V

전류A

전류A

전압 (x)V

이득대역폭 또는 자속밀도대역폭 또는 자속밀도 (peak)거리 또는 두께m주파수Hz시간s전압V

이득

이동도m²/V·s전압V

두 전원 회로 (KCL 검산) 회로도R11kΩR32kΩV110VV25VR21kΩN1MIDN2GND
두 전원 회로 (KCL 검산)

⚠️ 이상과 실제

이상실제
노드는 전하를 저장 안 함기생 용량이 있어 과도 상태에서 전류가 잠시 다르게 흐름
루프 전압 합 = 0변화하는 자기장이 통과하면 유도 전압이 생겨 성립하지 않음
배선은 전압 강하 없음저항·인덕턴스(inductance)로 전압 강하 발생
노드는 한 점물리적으로 퍼져 있어 위치마다 전위가 다름

⚖️ 고르는 기준

방법✅ 유리한 경우⚠️ 불리한 경우
노드 해석전류원이 많음, 노드가 적음, 전압을 알고 싶을 때부유 전압원(접지에 닿지 않은 전압원)에 슈퍼노드 필요
메시 해석전압원이 많음, 루프가 적음, 전류를 알고 싶을 때두 메시가 공유하는 전류원에 슈퍼메시 필요, 평면 회로에만 적용 쉬움
중첩전원이 몇 개 안 되고 각각의 기여를 알고 싶을 때전원이 많으면 계산 폭증, 비선형 소자에 사용 불가
테브난 등가(Thévenin equivalent)부하를 바꿔가며 볼 때회로 내부 전류를 알 수 없음

노드 해석

노드 전압을 미지수로 놓고 KCL을 세웁니다. 회로가 복잡해도 기계적으로 풀 수 있는 방법입니다.

1번 저항Ω2번 저항Ω3번 저항Ω전압 (A)V전압 (x)V전압 (y)V

전압 (A)V베이스 전압V

전압 (A)V베이스 전압V

신호원 전압V전압 (A)V베이스 전압V

11번 컨덕턴스S12번 컨덕턴스S21번 컨덕턴스S22번 컨덕턴스S전류 (순시값)A전류 (A)A베이스 전류A저항 (소신호)Ω시간s전압 (A)V베이스 전압V

전압 (A)V

전압 (A)V

전압 변화량V베이스 전류A테브난 등가 저항Ω전압V

노드 해석 예제 회로도R11kΩR22kΩV110VR31kΩR42kΩR52kΩVINABGND
노드 해석 예제

⚠️ 이상과 실제

이상실제
노드는 완전한 등전위물리적으로 퍼져 있어 배선(trace) 저항만큼 차이
저항만 고려기생 용량(parasitic capacitance)이 있어 주파수에 따라 결과가 달라짐
해가 하나비선형 소자(다이오드(diode)·트랜지스터)는 여러 해가 있을 수 있음 — SPICE가 수렴에 실패하는 이유

⚖️ 고르는 기준

✅ 유리⚠️ 불리
노드 해석(nodal analysis)전류원 많을 때, 노드 수 적을 때, 전압을 직접 얻음, 컴퓨터 구현에 적합부유 전압원에 슈퍼노드 필요 (전류원은 KCL 에 그대로 들어가므로 오히려 쉽습니다)
메시 해석(mesh analysis)전압원 많을 때, 루프 수 적을 때, 전류를 직접 얻음공유 전류원에 슈퍼메시 필요, 비평면 회로에 적용 어려움

메시 해석

루프 전류를 미지수로 놓고 KVL을 세웁니다. 전류가 궁금할 때, 전류원이 많을 때 유리합니다.

1번 전류A2번 전류A저항 (a)Ω저항 (b)Ω신호원 전압V

1번 전류A2번 전류A

1번 전류A2번 전류A

1번 전류A2번 전류A

1번 전류A2번 전류A

1번 전류A

1번 전류A2번 전류A

신호원 전류A1번 전류A2번 전류A

전류 (loop)A

전압 (noise)V

두 메시 회로 회로도R11kΩ메시1 단독R32kΩ메시2 단독V110VV25VR21kΩ두 메시 공유AMIDBGND
두 메시 회로

⚠️ 이상과 실제

이상실제
루프에는 저항만루프 자체가 인덕턴스를 가짐 (면적에 비례)
KVL 성립외부 자기장이 통과하면 유도 전압이 추가됨
루프 전류는 계산값고주파에서는 전류가 최소 인덕턴스 경로로 흐름 (계산과 다름)

⚖️ 고르는 기준

회로 구조✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
루프를 작게 (메시 면적 축소)자기 결합(coupling) 감소 → 유도 노이즈 감소, 인덕턴스(inductance) 감소배치 자유도 감소
루프를 여러 개로 분리전류 경로 분리 → 공통 임피던스 결합(common impedance coupling) 감소배선 복잡, 면적 증가
하나의 큰 리턴 루프배선(trace) 단순모든 전류가 섞여 서로 간섭(interference) — 측정 회로에서 최악

중첩의 원리

전원이 여러 개면 하나씩만 켜서 풀고 더합니다. 선형 회로에서만 성립하며, 노이즈 해석의 기본 도구입니다.

전압 (( ))V전체 전압V

전압 (A1)V

전압 (A2)V

전압 (A)V

전압 (A)V

전압 (A)V

이득 (n1)이득 (n2)전압 이득전압 (n1)V전압 (n2)V출력 전압V신호 전압V

이동도m²/V·s잡음 전압 (순시값)V

이동도m²/V·s잡음 전압 (실효값)V

이동도m²/V·s잡음 전압 (실효값)V

중첩의 원리 회로도R11kΩR22kΩV110VV25VR32kΩN1AN2GND
중첩의 원리

⚠️ 이상과 실제

이상실제
회로가 선형반도체는 비선형. 신호가 커지면 중첩이 깨짐
전원을 끄면 이상적 단락/개방실제 전원은 유한한 출력 임피던스(impedance)를 가짐
잡음원이 서로 무관상관된(correlated) 잡음은 RSS가 아니라 직접 더해야 함 (전원 노이즈가 여러 경로로 들어오는 경우)

⚖️ 고르는 기준

방법✅ 유리⚠️ 불리
중첩각 전원의 기여를 분리해서 볼 수 있음 — 노이즈 예산의 핵심 도구전원이 개면 회로를 번 풀어야 함, 비선형 불가, 전력 계산 불가
노드/메시 해석(mesh analysis)한 번에 전부 계산어느 전원이 얼마나 기여했는지 알 수 없음

테브난·노턴 등가

아무리 복잡한 선형 회로도 밖에서 보면 전압원 하나 + 저항 하나입니다. 이 단순화가 측정 회로 설계의 언어입니다.

전류 (short)A테브난 등가 저항Ω전압 (open)V

전류 (N)A테브난 등가 저항Ω저항 (N)Ω임계 전압V

임계 전압V

테브난 등가 저항Ω

부하 저항Ω출력 전압V

이동도m²/V·s테브난 등가 저항Ω임계 전압V

테브난 등가 저항Ω부하 저항Ω

최대 전력W테브난 등가 저항Ω임계 전압V

각주파수rad/s전기 이중층 용량F허수 단위전하 전달 저항Ω신호원 저항Ω전극 임피던스Ω

임계 전압V

테브난 등가 저항Ω

출력 전압V

차단 주파수Hz

차단 주파수Hz

테브난 등가 검증 회로도R110kΩV15VR210kΩRL10kΩVINOUTGND
테브난 등가 검증

⚠️ 이상과 실제

이상실제
는 순수 저항실제로는 복소 임피던스 — 주파수에 따라 변함
주파수 무관전극 임피던스는 주파수에 크게 의존 (저주파에서 훨씬 큼)
등가는 선형 회로에만비선형 소자가 있으면 동작점 근처에서만 유효
단자 밖에서만 유효내부 전력 소비는 등가회로로 계산할 수 없음

⚠️ 이상과 실제

기호의미
용액 저항 (주파수 무관)
전하 전달 저항
전기 이중층 용량

⚖️ 고르는 기준

방법✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
분압 저항값을 낮춤 감소 → 부하 영향·잡음 감소, 대역폭(bandwidth) 증가전류 소비 증가, 신호원에 부담
버퍼(볼티지 팔로워(voltage follower)) 추가가 사실상 0에 가까워짐, 부하 영향 완전 제거부품·전력·비용, 버퍼의 옵셋·잡음·대역폭 제한이 추가됨
소스 팔로워간단하고 빠름, 픽셀 안에 넣을 수 있을 만큼 작음이득 <1, Vgs 옵셋, 바이어스 전류원 필요 (6-06)
전압 레퍼런스 IC낮은 + 높은 정확도·안정도비쌈, 전류 소비, 자체 노이즈
출력에 커패시터고주파 감소(임피던스 하강)DC 는 그대로, 응답 느려짐, 버퍼 출력이면 발진 위험 (7-07)

출력 임피던스와 로딩

측정 회로에서 가장 먼저, 그리고 가장 자주 만나는 개념. "출력 임피던스(impedance) ≪ 입력 임피던스" 를 지키면 절반은 성공입니다.

전압 (received)V신호원 전압V입력 임피던스Ω출력 임피던스Ω

입력 임피던스Ω출력 임피던스Ω

입력 임피던스Ω출력 임피던스Ω

입력 정전용량F차단 주파수Hz출력 저항Ω

차단 주파수Hz

차단 주파수Hz

시정수s

소스 임피던스가 대역폭을 결정한다 회로도RS1MΩ전극 임피던스V11VCIN100pF케이블+입력 용량RIN10GΩ증폭기 입력 저항SRCINGND
소스 임피던스가 대역폭을 결정한다

⚠️ 이상과 실제

이상실제
은 상수주파수에 따라 변함. OP앰프 출력 임피던스는 고주파에서 상승(피드백 이득이 줄어서)
은 상수입력 용량 때문에 주파수가 높을수록 감소
연결해도 회로가 안 변함연결하는 순간 부하가 되어 회로가 바뀜
데이터시트 값 그대로PCB·케이블 기생이 더해짐

⚖️ 고르는 기준

수단✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것언제
OP앰프 볼티지 팔로워(voltage follower) 거의 0, 정확도 높음, 설계 간단전력 소비, 대역폭 제한(GBW), 옵셋·잡음 추가, 크기보드 레벨
소스 팔로워 (MOSFET 1개)매우 작고 빠름, 픽셀 안에 집적 가능이득 <1, Vgs 옵셋과 온도 드리프트, 바이어스 전류원 필요집적 어레이 (16-01)
이미터 팔로워 (BJT)전류 구동력 큼베이스 전류가 신호원에 부담 → 고임피던스에 부적합전력 구동
저항값을 낮춤부품 추가 없음전류 소비 증가, 신호원 부담분압기
케이블을 짧게 / 저용량 케이블용량 감소 → 대역폭 증가배치 제약, 특수 케이블은 비쌈항상 우선 고려
드리븐 실드 (액티브 가드)케이블 용량을 사실상 무효화회로 복잡, 발진 위험초고임피던스 측정 (12-06)

종속전원과 시험전압법

트랜지스터도 OP앰프도 소신호로 보면 종속전원 하나입니다. 이걸 다룰 줄 알면 6·7장의 모든 모델이 그냥 회로가 됩니다.

전달 컨덕턴스S컬렉터 저항Ω전압 (순시값)V출력 전압 (순시값)V

전압 이득전달 컨덕턴스S컬렉터 저항Ω입력 전압 (순시값)V출력 전압 (순시값)V

전달 컨덕턴스S전류 (순시값) (x)A전압 (순시값) (gs)V전압 (순시값) (x)V

전달 컨덕턴스S전류 (순시값) (x)A출력 저항Ω전압 (순시값) (x)V

저항Ω신호원 전압 (순시값)V

전류 이득 (BJT)전류 (순시값) (x)A저항 (소신호)Ω이미터 저항Ω전압 (순시값) (e)V전압 (순시값) (x)V

전류 이득 (BJT)전류 (순시값) (x)A저항 (소신호)Ω입력 저항Ω이미터 저항Ω전압 (순시값) (x)V

입력 저항Ω

전달 컨덕턴스S출력 저항Ω

주파수 (-3)Hz

전류 이득 (BJT)전달 컨덕턴스S컬렉터 전류A저항 (소신호)Ω열전압 (≈26 mV)V

전류 이득 (BJT)저항 (소신호)Ω입력 저항Ω이미터 저항Ω

전압 제어 전류원의 출력 임피던스 회로도VX1V시험전압RD1kΩVG2V게이트 바이어스VP5VM12N7002VCCVCCDGSGND
전압 제어 전류원의 출력 임피던스

⚠️ 이상과 실제

이상실제
이 상수바이어스 전류에 따라 변합니다 ()
전류원의 출력 임피던스가 ∞ 가 병렬로 있습니다 (얼리 효과)
제어가 즉시소자 내부 용량 때문에 고주파에서 위상이 밀립니다
소신호 모델이 항상 맞음작은 신호에서만 맞습니다. 크게 흔들면 비선형이 드러납니다

⚖️ 고르는 기준

방법✅ 유리⚠️ 불리
노드 해석 + 제어식종속전원이 몇 개든 기계적으로 풀림손으로 하면 식이 금방 커짐
시험전압법임피던스는 이것뿐이득은 못 구함
전원 변환식을 크게 줄여 줌어디를 바꿀지 감이 필요
바로 SPICE실수 없음왜 그런지 안 남음 — 값을 바꿀 때 감이 없습니다

연습문제

인쇄하면 답이 접힌 채로 나옵니다 — 그대로 문제지가 됩니다. 위의 “답도 함께 인쇄” 를 켜면 풀이까지 펴서 나옵니다.

  1. 키르히호프 법칙 (KCL·KVL)한 노드에 5 mA와 3 mA가 들어오고, 2 mA가 나갑니다. 남은 한 가지의 전류는?
    풀이

    5+3=2+I⇒I=6 mA (나가는 방향)5 + 3 = 2 + I \quad\Rightarrow\quad I = 6\ \text{mA (나가는 방향)}

  2. 키르히호프 법칙 (KCL·KVL)12 V 전원에 3 kΩ, 2 kΩ, 1 kΩ이 직렬입니다. 각 저항 양단 전압은?
    연습 2-01-2 — 직렬 세 개의 전압 분배 회로도R13kΩR22kΩV112VR31kΩVINABGND
    연습 2-01-2 — 직렬 세 개의 전압 분배
    풀이

    I=123000+2000+1000=2 mAI = \frac{12}{3000+2000+1000} = 2\ \text{mA}

    V1=6V_1 = 6 V, V2=4V_2 = 4 V, V3=2V_3 = 2 V. 합 12 V ✅

    (분압 공식으로도 바로: 전체의 1/2, 1/3, 1/6)

  3. 키르히호프 법칙 (KCL·KVL)아래 회로에서 를 구하세요.
    직렬 + 병렬 두 갈래 회로도R12kΩV112VR24kΩR34kΩVINMIDGND
    직렬 + 병렬 두 갈래
    풀이

    R2R_2와 R3R_3가 병렬입니다: 4k∥4k=2 kΩ4\text{k}\parallel4\text{k} = 2\ \text{k}\Omega

    분압:

    Vx=12×20002000+2000=6 VV_x = 12 \times \frac{2000}{2000+2000} = 6\ \text{V}

    검산 (KCL): IR1=(12−6)/2000=3I_{R1} = (12-6)/2000 = 3 mA. IR2=IR3=6/4000=1.5I_{R2} = I_{R3} = 6/4000 = 1.5 mA. 합 3 mA ✅

  4. 키르히호프 법칙 (KCL·KVL)어떤 회로 루프가 20 cm × 10 cm 면적을 갖고, 주변에 60 Hz 자기장 가 수직으로 통과합니다. 유도되는 전압은?
    풀이

    패러데이 법칙:

    V=dΦdt=AdBdt=A⋅Bpeak⋅2πfV = \frac{d\Phi}{dt} = A\frac{dB}{dt} = A \cdot B_{peak} \cdot 2\pi f

    A=0.2×0.1=0.02 m2A = 0.2 \times 0.1 = 0.02\ \text{m}^2

    V=0.02×1×10−6×2π×60≈7.5 μV (peak)V = 0.02 \times 1\times10^{-6} \times 2\pi \times 60 \approx 7.5\ \mu\text{V (peak)}

    약 7.5 µV. 우리가 재려는 ECoG 신호(50 µV)의 15%에 해당합니다!

    루프 면적을 1/10로 줄이면(신호선과 리턴선을 나란히 붙이면) 유도 전압도 1/10인 0.75 µV가 됩니다.

    이것이 12-05에서 "신호선과 리턴선을 최대한 붙여라"라고 하는 이유의 정량적 근거입니다. 꼬임선(twisted pair)이 효과적인 이유도 같습니다 — 꼬으면 인접 루프의 유도 전압이 서로 상쇄됩니다.

  5. 노드 해석아래 회로에서 를 노드 해석으로 구하세요.
    연습 2-02-1 — 노드 해석으로 V_A 구하기 회로도R11kΩV15VR21kΩR31kΩVINAGND
    연습 2-02-1 — 노드 해석으로 V_A 구하기
    풀이

    VA−51000+VA1000+VA1000=0\frac{V_A-5}{1000} + \frac{V_A}{1000} + \frac{V_A}{1000} = 0

    (VA−5)+VA+VA=0⇒3VA=5⇒VA≈1.667 V(V_A-5) + V_A + V_A = 0 \Rightarrow 3V_A = 5 \Rightarrow V_A \approx 1.667\ \text{V}

    검산 (분압): R2∥R3=500 ΩR_2\parallel R_3 = 500\ \Omega, VA=5×5001500=1.667V_A = 5\times\frac{500}{1500} = 1.667 V ✅

  6. 노드 해석고임피던스 노드(테브난 저항 10 MΩ)에 OP앰프 입력 바이어스 전류(input bias current) 1 nA가 흘러 들어옵니다. 이 노드의 전압 오차는?
    연습 2-02-2 — 테브난 10 MΩ 에 바이어스 전류 1 nA 회로도R120MΩV13.3VR220MΩIB1nA입력 바이어스 전류VINOUTGND
    연습 2-02-2 — 테브난 10 MΩ 에 바이어스 전류 1 nA
    풀이

    노드에서 KCL: 바이어스 전류가 들어오면 그만큼 저항을 통해 빠져나가야 하고, 그 과정에서 전압이 생깁니다.

    ΔV=IB×Rth=1×10−9×10×106=0.01 V=10 mV\Delta V = I_B \times R_{th} = 1\times10^{-9} \times 10\times10^{6} = 0.01\ \text{V} = 10\ \text{mV}

    10 mV 오차. 50 µV 신호를 재는 회로라면 신호의 200배입니다.

    이것이 고임피던스 측정에서 입력 바이어스 전류가 pA급인 FET/CMOS 입력 OP앰프가 필수인 이유입니다 → 7-06, 13-03

  7. 메시 해석아래 회로를 메시 해석으로 풀어 의 전류를 구하세요.
    직렬 + 병렬 두 갈래 회로도R12kΩV112VR24kΩR34kΩVINMIDGND
    직렬 + 병렬 두 갈래
    풀이

    메시 1 (12V-R1-R2), 메시 2 (R2-R3), 둘 다 시계 방향.

    메시 1: 12=2000I1+4000(I1−I2)12 = 2000I_1 + 4000(I_1-I_2) → 12=6000I1−4000I212 = 6000I_1 - 4000I_2
    메시 2: 0=4000I2+4000(I2−I1)0 = 4000I_2 + 4000(I_2-I_1) → 0=8000I2−4000I10 = 8000I_2 - 4000I_1 → I1=2I2I_1 = 2I_2

    대입: 12=12000I2−4000I2=8000I212 = 12000I_2 - 4000I_2 = 8000I_2 → I2=1.5I_2 = 1.5 mA, I1=3I_1 = 3 mA

    R2R_2의 전류 = I1−I2=1.5I_1 - I_2 = 1.5 mA. 양단 전압 = 1.5mA×4k=61.5\text{mA}\times4\text{k} = 6 V

    검산 (분압): R2∥R3=2R_2\parallel R_3 = 2 kΩ, V=12×22+2=6V = 12\times\frac{2}{2+2} = 6 V ✅

  8. 메시 해석두 장비를 각각 벽 콘센트에 꽂고 신호선으로 연결했습니다. 두 장비의 접지 사이에 0.5 V의 전위차가 있고 접지 경로의 저항이 0.2 Ω이라면 순환 전류는? 이 전류가 0.05 Ω의 신호 케이블 실드에 흐르면 신호에 얼마의 간섭이 실립니까?
    풀이

    Iloop=0.5 V0.2 Ω=2.5 AI_{loop} = \frac{0.5\ \text{V}}{0.2\ \Omega} = 2.5\ \text{A}

    실드 저항 0.05 Ω에서:

    Vnoise=2.5×0.05=125 mVV_{noise} = 2.5 \times 0.05 = 125\ \text{mV}

    125 mV의 간섭이 신호에 직접 더해집니다. 이것이 접지 루프(ground loop) 문제이고, 오디오·계측에서 험(hum)의 주된 원인입니다.

    해결:

    • 한쪽 접지를 끊는다 (안전상 주의)
    • 아이솔레이션(광절연, 변압기, 절연(isolation) 증폭기)
    • 차동 신호(differential signaling) 전송 (12-07)

    자세한 내용 → 12-03, 12-08

  9. 중첩의 원리5 V 전원과 2 mA 전류원이 있는 회로에서 중첩을 쓸 때, 전류원만 볼 때 전압원은 어떻게 처리합니까?
    연습 2-04-1 — 전압원은 단락, 전류원은 개방 회로도R12kΩV15VR23kΩI12mA전류원INOUTGND
    연습 2-04-1 — 전압원은 단락, 전류원은 개방
    풀이

    단락(short) 합니다. 전압원 자리를 도선으로 대체합니다.

    반대로 전압원만 볼 때는 전류원을 개방(open) 합니다.

  10. 중첩의 원리어떤 증폭기 출력에 세 개의 잡음 기여가 있습니다: 저항 열잡음 2 µV, OP앰프 전압잡음 8 µV, 전원 리플 기여 3 µV. 전체 잡음은? 그리고 저항을 절반으로 줄여 열잡음을 1.4 µV로 낮추면 전체는 얼마나 개선됩니까?
    풀이

    현재:

    vn=22+82+32=4+64+9=77≈8.77 μVv_n = \sqrt{2^2+8^2+3^2} = \sqrt{4+64+9} = \sqrt{77} \approx 8.77\ \mu\text{V}

    저항 개선 후:

    vn=1.42+82+32=1.96+64+9=74.96≈8.66 μVv_n = \sqrt{1.4^2+8^2+3^2} = \sqrt{1.96+64+9} = \sqrt{74.96} \approx 8.66\ \mu\text{V}

    개선폭은 1.3%로 거의 없습니다.

    이유: OP앰프 잡음 8 µV가 지배적이기 때문입니다. 저항을 아무리 줄여도 소용없고, 더 낮은 잡음의 OP앰프로 바꿔야 합니다.

    이것이 노이즈 예산 계산을 먼저 해야 하는 이유입니다. 계산 없이 감으로 개선하면 엉뚱한 곳에 노력을 씁니다. → 13-02

  11. 테브난·노턴 등가, 인 분압기에 12 V를 걸었습니다. 테브난 등가는?
    연습 2-05-1 — 1k·3k 분압기의 테브난 등가 회로도R11kΩV112VR23kΩRL750Ω확인용 부하 = R_thVINOUTGND
    연습 2-05-1 — 1k·3k 분압기의 테브난 등가
    풀이

    Vth=12×30004000=9 VV_{th} = 12\times\frac{3000}{4000} = 9\ \text{V}

    Rth=1k∥3k=30004=750 ΩR_{th} = 1\text{k}\parallel3\text{k} = \frac{3000}{4} = 750\ \Omega

    9 V + 750 Ω 직렬

  12. 테브난·노턴 등가위 회로에 1 kΩ 부하를 달면 출력 전압은?
    풀이

    Vout=9×1000750+1000=5.14 VV_{out} = 9 \times \frac{1000}{750+1000} = 5.14\ \text{V}

    무부하 9 V에서 43% 떨어집니다. 부하(1k1\text{k})가 RthR_{th}(750 Ω750\ \Omega)와 비슷해서 그렇습니다.

  13. 테브난·노턴 등가전극 임피던스가 1 kHz에서 500 kΩ입니다. 이 신호를 입력 임피던스 10 MΩ, 입력 용량 5 pF인 증폭기로 받습니다. (a) DC 감쇠율은? (b) 대역폭은? (c) 소스 팔로워로 출력 임피던스를 1 kΩ으로 낮추면 대역폭은?
    연습 2-05-3 — 전극 500 kΩ 을 10 MΩ·5 pF 로 받기 회로도RS500kΩ전극 임피던스VS1VRIN10MΩ증폭기 입력 저항CIN5pF증폭기 입력 용량SRCINGND
    연습 2-05-3 — 전극 500 kΩ 을 10 MΩ·5 pF 로 받기
    풀이

    (a) DC 감쇠:

    10M500k+10M=0.952→4.8% 감쇠\frac{10\text{M}}{500\text{k}+10\text{M}} = 0.952 \rightarrow \text{4.8\% 감쇠}

    (b) 대역폭: 소스 저항 500 kΩ과 입력 용량 5 pF (입력 저항 10 MΩ은 병렬이지만 훨씬 커서 무시)

    fc=12π×500×103×5×10−12≈63.7 kHzf_c = \frac{1}{2\pi \times 500\times10^3 \times 5\times10^{-12}} \approx 63.7\ \text{kHz}

    (c) 소스 팔로워 후 (1 kΩ):

    fc=12π×1000×5×10−12≈31.8 MHzf_c = \frac{1}{2\pi \times 1000 \times 5\times10^{-12}} \approx 31.8\ \text{MHz}

    500배 개선. 그리고 이건 5 pF 기준입니다. 실제 케이블은 100 pF/m 수준이므로 1 m 케이블이면:

    • 버퍼 없음: fc=3.2f_c = 3.2 kHz — MUA 대역(300 Hz~5 kHz)조차 못 씀
    • 버퍼 있음: fc=1.6f_c = 1.6 MHz — 충분

    이 계산 하나가 "왜 픽셀마다 트랜지스터(transistor)를 넣는가"에 대한 답입니다. 신호를 증폭하기 위해서가 아니라 임피던스를 낮춰서 신호를 밖으로 꺼내기 위해서입니다. → 16-01

  14. 출력 임피던스와 로딩출력 임피던스 50 kΩ인 센서를 입력 임피던스 100 kΩ인 회로에 연결했습니다. 신호는 몇 % 전달됩니까?
    풀이

    100k50k+100k=0.667→66.7%\frac{100\text{k}}{50\text{k}+100\text{k}} = 0.667 \rightarrow \textbf{66.7\%}

    33% 손실입니다. 게인으로 보상할 수는 있지만, 센서 임피던스가 온도나 개체에 따라 변하면 보정이 불가능해집니다. 버퍼를 넣는 것이 옳습니다.

  15. 출력 임피던스와 로딩100 kΩ 소스에 1 m 케이블(100 pF/m)을 연결하면 대역폭은? 10 kHz 신호를 왜곡 없이 보려면 어떻게 해야 합니까?
    연습 2-06-2 — 100 kΩ 소스에 1 m 케이블 회로도RS100kΩ소스 임피던스VS1VCC100pF케이블 1 mRIN1GΩ뒷단 입력SRCINGND
    연습 2-06-2 — 100 kΩ 소스에 1 m 케이블
    풀이

    fc=12π×105×100×10−12=15.9 kHzf_c = \frac{1}{2\pi \times 10^5 \times 100\times10^{-12}} = 15.9\ \text{kHz}

    10 kHz는 fcf_c 아래이긴 하지만, −3 dB 지점의 63%에 있어 이미 약 2 dB 감쇠하고 위상(phase)이 32° 지연됩니다. 파형이 눈에 띄게 왜곡됩니다.

    해결 (효과 순):

    1. 소스 옆에 버퍼 → 출력 임피던스 100 Ω이면 fc=16f_c = 16 MHz ✅ 최선
    2. 케이블을 10 cm로 단축 → fc=159f_c = 159 kHz ✅
    3. 저용량 케이블 (30 pF/m) → fc=53f_c = 53 kHz △
    4. 드리븐 실드 → 용량 사실상 무효화 ✅ (복잡)
  16. 출력 임피던스와 로딩MCU ADC의 데이터시트에 "권장 소스 임피던스 ≤ 10 kΩ"이라고 되어 있습니다. 왜 이런 제한이 있습니까?
    연습 2-06-3 — ADC 샘플링 커패시터를 채우는 시간 회로도RS10kΩ소스 임피던스RSW1kΩ샘플 스위치 저항VSCSH10pF샘플링 커패시터SRCMIDCAPGND
    연습 2-06-3 — ADC 샘플링 커패시터를 채우는 시간
    풀이

    ADC는 내부에 샘플링 커패시터(보통 수 pF ~ 수십 pF)가 있고, 샘플링 순간 이 커패시터를 입력 전압까지 충전해야 합니다.

    충전 시정수는 τ=(Rsource+Rswitch)×Csample\tau = (R_{source} + R_{switch}) \times C_{sample} 입니다.

    예: Csample=10C_{sample} = 10 pF, Rswitch=1R_{switch} = 1 kΩ, Rsource=10R_{source} = 10 kΩ

    τ=11k×10p=110 ns\tau = 11\text{k} \times 10\text{p} = 110\ \text{ns}

    12비트 정확도(1/4096)를 얻으려면 약 9τ≈1 μs9\tau \approx 1\ \mu\text{s}의 획득 시간(acquisition time)이 필요합니다.

    소스 임피던스가 100 kΩ이면 τ=1.01 μs\tau = 1.01\ \mu\text{s}, 필요한 획득 시간은 약 9 µs. 설정된 샘플링 시간이 그보다 짧으면 커패시터가 다 충전되지 않아 측정값이 실제보다 낮게 나옵니다.

    해결: ① 소스 임피던스를 낮춘다 ② 샘플링 시간을 늘린다 ③ ADC 입력 옆에 커패시터(100 nF)를 달아 전하를 공급한다 ④ ADC 드라이버(버퍼)를 넣는다

    자세한 계산 → 10-03 ADC 입력 설계

  17. 종속전원과 시험전압법 = 5 mS 인 소자의 소스 팔로워 출력 임피던스는? 이 값이 1 nF 부하와 만나면 대역폭은?
    풀이

    Rout=1gm=10.005=200 ΩR_{out} = \frac{1}{g_m} = \frac{1}{0.005} = 200\ \Omega

    f−3dB=12π⋅200⋅10−9≈796 kHzf_{-3\mathrm{dB}} = \frac{1}{2\pi \cdot 200 \cdot 10^{-9}} \approx 796\ \text{kHz}

    약 800 kHz. gmg_m 을 키우면(전류를 더 흘리면) 임피던스가 내려가 대역이
    넓어집니다 — 전력과 속도를 맞바꾸는 것이고, 이것이 아날로그 설계의
    가장 기본적인 저울입니다.

  18. 종속전원과 시험전압법이미터에 220 Ω 을 단 증폭기( = 100, = 2 mA)의 입력 임피던스는?
    연습 2-07-2 — 이미터 저항이 입력 임피던스를 β 배로 키운다 회로도R191kΩ바이어스 위RC2.2kΩVCC12VR210kΩ바이어스 아래RE220Ω이미터 저항IB1A1 A → 전압이 곧 임피던스Q12N3904VPBASEOUTEMITGND
    연습 2-07-2 — 이미터 저항이 입력 임피던스를 β 배로 키운다
    풀이

    gm=ICVT=0.0020.026=77 mS,rπ=βgm=1000.077=1.3 kΩg_m = \frac{I_C}{V_T} = \frac{0.002}{0.026} = 77\ \text{mS}, \qquad r_\pi = \frac{\beta}{g_m} = \frac{100}{0.077} = 1.3\ \text{k}\Omega

    Rin=rπ+(β+1)RE=1300+101×220=1300+22220≈23.5 kΩR_{in} = r_\pi + (\beta+1)R_E = 1300 + 101 \times 220 = 1300 + 22220 \approx 23.5\ \text{k}\Omega

    RER_E 없이는 1.3 kΩ 이던 것이 23.5 kΩ 이 됩니다. 18배입니다.

    ⚠️ 대신 이득이 −gmRC-g_m R_C 에서 ≈−RC/RE\approx -R_C/R_E 로 떨어집니다. RCR_C = 2.2 kΩ
    이면 169 → 10 입니다.

  19. 종속전원과 시험전압법중첩의 원리로 소신호 회로를 풀려는데, 종속전원 도 "전원이니까" 껐습니다. 무슨 일이 일어납니까?
    풀이

    증폭이 사라집니다. 남는 것은 rπr_\pi·RCR_C 같은 수동 소자뿐이라 이득이
    0 이 나옵니다.

    중첩은 독립전원을 하나씩 켜는 방법입니다. 종속전원은 입력이 아니라
    소자가 어떻게 행동하는지를 적어 놓은 것 — 회로의 구조 자체입니다.
    이걸 끄는 것은 트랜지스터를 뽑아 놓고 회로를 푸는 것과 같습니다.

    같은 이유로 테브난 저항을 구할 때도 종속전원은 그대로 둡니다. 그래서
    저항 묶기로는 안 되고 시험전압법이 필요한 것입니다.