4장. 교류와 주파수 영역
왼쪽 절반에만 찍고 오른쪽은 백지로 비웁니다 — 읽으면서 옆에 적어 보세요. 내용은 하나도 안 자릅니다.
2단으로 빽빽하게, 표시된 것만 — 시험 직전에 훑는 배치입니다.
정현파와 RMS
RMS는 "같은 열을 내는 DC 전압"입니다. 노이즈를 다룰 때는 거의 항상 RMS로 이야기합니다.
위상°주파수Hz시간s전압 (순시값)V피크 전압V
거리 또는 두께m시간s온도 또는 주기전압 (순시값)V실효값 전압V
평균 전력W저항Ω실효값 전압V
대역폭Hz입력 환산 전압 잡음 밀도V/√Hz주파수Hz잡음 전체 전압 (순시값)V
이동도m²/V·s잡음 전압 (실효값)V
대역폭Hz−3 dB 대역폭Hz주파수 (noise)Hz
피크 전압V
피크투피크 전압V
신호 대 잡음비dB
입력 환산 전압 잡음 밀도V/√Hz
실효값 전압V피크 전압V
대역폭Hz잡음 주파수Hz
이동도m²/V·s잡음 전압 (실효값)V
이동도m²/V·s컨덕턴스S
이동도m²/V·s전압 (순시값) (잡음, input)V
입력 환산 전압 잡음 밀도V/√Hz
⚠️ 이상과 실제
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 멀티미터가 RMS 표시 | 저가 멀티미터는 "평균 정류(rectification) + 1.11배" — 정현파에서만 정확. 왜곡된 파형이나 잡음은 크게 틀림. True RMS 제품이 필요 |
| 잡음 밀도가 평탄 | 저주파에서 1/f 잡음이 급증 (12-01) |
| 잡음 피크 = rms | 피크는 rms의 3~4배 |
| 파형이 순수 정현파 | 고조파 왜곡(THD)이 존재 |
⚖️ 고르는 기준
| 선택 | ✅ 좋아지는 것 | ⚠️ 나빠지는 것 |
|---|---|---|
| 대역폭을 좁힘 | 잡음이 로 감소 | 신호가 왜곡·감쇠, 응답 느려짐 |
| 대역폭을 넓힘 | 신호 충실도, 빠른 응답 | 잡음 증가, 에일리어싱(aliasing) 위험 |
| 필터 차수를 높임 | 잡음 대역폭이 신호 대역에 근접 → 효율적 잡음 제거 | 부품 증가, 위상 왜곡·군지연(group delay), 링잉, 안정성 |
| 평균화(averaging) | 회 평균으로 잡음 감소 | 시간 해상도 손실, 실시간성 저하 |
페이저와 복소 임피던스
미분방정식을 복소수 나눗셈으로 바꿔주는 도구. AC 회로도 옴의 법칙으로 풀 수 있게 됩니다.
각주파수rad/s위상°잡음 전압 밀도V/√Hz허수 단위시간s전압 (순시값)V전압V피크 전압V
각주파수rad/s위상°거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz허수 단위시간s피크 전압V
전류A전압V임피던스Ω
허수 단위저항Ω임피던스Ω
저항Ω임피던스Ω
정전용량F주파수Hz
허수 단위임피던스Ω
임피던스Ω
각주파수rad/s정전용량F허수 단위저항Ω컬렉터 임피던스Ω
각주파수rad/s정전용량F저항Ω
각주파수rad/s전기 이중층 용량F허수 단위전하 전달 저항Ω신호원 저항Ω전극 임피던스Ω
각주파수rad/s전기 이중층 용량F허수 단위전하 전달 저항Ω
정전용량F주파수Hz컬렉터 임피던스Ω
정전용량F차단 주파수Hz저항Ω
허수 단위임피던스Ω
전압 변화량V이동도m²/V·s전압V
⚠️ 이상과 실제
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 페이저는 정상상태(steady state)에만 유효 | 과도 상태에서는 라플라스 변환 필요 |
| 선형 회로 가정 | 반도체는 비선형 → 소신호 근사에서만 |
| 임피던스는 이상적 | 기생 R·L·C가 더해져 주파수에 따라 크게 벗어남 |
| 단일 주파수 | 실제 신호는 여러 주파수 성분의 합 |
⚖️ 고르는 기준
| 선택 | ✅ 좋아지는 것 | ⚠️ 나빠지는 것 |
|---|---|---|
| 높은 입력 임피던스 | 신호원 로딩(loading) 최소 | 잡음·간섭(interference)에 민감, 입력 용량의 영향이 상대적으로 커짐 |
| 낮은 출력 임피던스 | 부하·케이블 영향 감소, 대역폭(bandwidth) 확보 | 구동 전류 필요 → 전력 소비 |
| 임피던스 정합 (50 Ω) | 반사(reflection) 없음, 최대 전력 전달 | 신호 절반 손실, 측정에는 부적합 |
| 직렬 저항 추가 | 발진 억제, 용량성 부하로부터 출력 보호 | 신호 감쇠, 대역폭 저하 |
주파수 응답과 필터
원하는 주파수만 통과시킵니다. 측정 회로에서 필터는 노이즈 제거와 에일리어싱(aliasing) 방지라는 두 가지 필수 역할을 합니다.
각주파수rad/s정전용량F차단 주파수Hz허수 단위저항Ω
각주파수rad/s정전용량F차단 주파수Hz허수 단위저항Ω
이득신호 주파수Hz샘플링 주파수Hz비트 수 또는 개수
신호 주파수Hz샘플링 주파수Hz
비트 수 또는 개수
비트 수 또는 개수
정전용량F차단 주파수Hz저항Ω
⚠️ 이상과 실제
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 필터가 소스/부하와 독립 | 소스 임피던스가 R에 더해지고, 부하가 병렬로 붙어 차단주파수(cutoff frequency)가 이동 |
| 이상적 차단 | 실제로는 완만한 롤오프 |
| 부품 값이 정확 | R ±1%, C ±10% → 가 ±11% 변동 |
| 커패시터(capacitor)가 이상적 | ESL 때문에 고주파에서 필터링이 멈춤 (11-02) |
| 위상 왜곡 무시 | 군지연이 파형을 변형 |
⚖️ 고르는 기준
| 선택 | ✅ 좋아지는 것 | ⚠️ 나빠지는 것 |
|---|---|---|
| 패시브 RC 필터 | 간단, 저렴, 전력 불필요, 잡음 추가 없음, 큰 신호에도 포화 없음 | 이득 <1, 소스/부하 임피던스에 영향받음, 급격한 차단 어려움 |
| 액티브 필터 (OP앰프) | 급격한 차단, 이득 제공, 단 간 격리 | 전력 소비, OP앰프 잡음·왜곡 추가, 큰 신호에서 포화, 발진 가능 |
| LC 필터 | 손실 적음, 급격한 차단, 고주파에 유리 | 인덕터가 크고 비쌈, 자기장 누설, 공진·링잉 |
| 차수를 높임 | 급격한 차단, 잡음 대역폭 감소 | 위상 왜곡·군지연 증가, 링잉, 부품 증가, 감도(부품 오차에 민감) |
| 차단주파수를 낮춤 | 잡음 감소 | 신호 왜곡, 세틀링 시간 증가 |
⚖️ 고르는 기준
| 응답 | ✅ | ⚠️ | 언제 |
|---|---|---|---|
| 버터워스 | 통과대역이 최대 평탄 | 위상 비선형, 계단 응답에 오버슈트 | 범용 |
| 베셀 | 군지연이 평탄 → 파형 보존 | 차단이 완만 | 파형이 중요한 측정(스파이크, 과도) |
| 체비셰프 | 급격한 차단 | 통과대역 리플, 심한 위상 왜곡, 링잉 | 주파수 분리가 중요할 때 |
| 타원(Cauer) | 가장 급격 | 양쪽 리플, 최악의 위상 | 좁은 전이대역 |
dB와 보드선도
dB는 곱셈을 덧셈으로 바꾸는 도구. 보드선도(Bode plot)는 회로의 주파수 특성을 직선 몇 개로 그리는 방법입니다.
입력 전압V출력 전압V
입력 전력W출력 전력W
주파수 (0dB)Hz
이득 대역폭 곱Hz
컨덕턴스S
−3 dB 대역폭Hz
컨덕턴스 (stage)S
비트 수 또는 개수
주파수 (stage)Hz전체 주파수Hz비트 수 또는 개수
⚠️ 이상과 실제
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 직선 근사가 정확 | 극 근처에서 3 dB 오차 |
| 단일 극 | 기생 성분(parasitic)이 추가 극을 만듦 → 고주파에서 위상이 더 빠르게 떨어짐 |
| GBW가 일정 | 매우 높은 이득/낮은 이득에서 벗어남 |
| 위상 여유가 데이터시트대로 | 부하 용량, PCB 기생, 온도로 크게 달라짐 |
⚖️ 고르는 기준
| 선택 | ✅ 좋아지는 것 | ⚠️ 나빠지는 것 |
|---|---|---|
| 1단에 큰 게인 | 부품 적음, 후단 잡음의 영향 최소화 (첫 단이 잡음을 지배) | GBW 제약으로 대역폭 급감, 큰 옵셋이 증폭되어 포화(saturation), 안정성 저하 |
| 여러 단으로 분산 | 대역폭 확보, 각 단 안정, 단 사이에 필터 삽입 가능 | 부품·전력·면적 증가, 각 단의 잡음이 누적(단, 첫 단이 지배적) |
| 첫 단 게인을 크게 (나머지는 작게) | 노이즈 성능 최적 (프리즈 공식) | 첫 단에서 포화 위험, 큰 간섭(interference)이 있으면 불리 |
| 위상 여유를 크게 (60°+) | 안정, 오버슈트(overshoot) 없음 | 대역폭 손실, 응답 느림 |
| 위상 여유를 작게 | 대역폭 최대 | 링잉(ringing), 온도·부품 변화로 발진 위험 |
공진과 Q
LC가 만나면 특정 주파수에서 임피던스(impedance)가 극단으로 갑니다. 원하면 필터, 원하지 않으면 링잉(ringing)과 노이즈 증폭입니다.
정전용량F공진 주파수Hz인덕턴스H
대역폭Hz정전용량F−3 dB 대역폭Hz공진 주파수Hz인덕턴스H전하 / 품질 계수저항Ω
정전용량F등가 직렬 인덕턴스H주파수 (SRF)Hz인덕턴스 ()H
공진 주파수Hz
공진 주파수Hz
전하 / 품질 계수
전하 / 품질 계수
공진 주파수Hz
주파수 (SRF)Hz
임피던스Ω
공진 주파수Hz
정전용량F인덕턴스H전하 / 품질 계수저항Ω
⚠️ 이상과 실제
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| LC만 고려 | 기생 성분이 예상치 못한 공진을 만듦 |
| Q는 계산값 | 코어 손실, 표피 효과, 유전 손실로 실제 Q는 더 낮음 |
| 공진 주파수 고정 | 온도·DC 바이어스로 L·C가 변해 이동 |
| 하나의 공진 | 실제로는 여러 공진이 존재 (분포 정수 효과) |
⚖️ 고르는 기준
| 선택 | ✅ 좋아지는 것 | ⚠️ 나빠지는 것 |
|---|---|---|
| 높은 Q | 좁은 대역 선택성, 낮은 손실, 정확한 주파수 | 링잉, 공진 주파수에서 노이즈 증폭, 부품 오차에 민감, 느린 기동 |
| 낮은 Q (댐핑 추가) | 링잉 없음, 안정, 노이즈 증폭 없음 | 손실 증가, 선택성 저하, 전압 강하 |
| 댐핑 저항 직렬 | Q 감소, 안전 | DC 손실과 전압 강하 — 전원 필터에서 특히 부담 |
| 댐핑 저항 병렬 (커패시터에 직렬 RC) | DC 손실 없이 댐핑 | 부품 추가, 고주파에서만 동작 |
| ESR 있는 커패시터 | 자연스러운 댐핑 | 리플(ripple) 전압 증가, 발열 |
s영역과 전달함수
를 로 바꾸면 정상상태만 보던 눈이 과도까지 보게 됩니다. 극점 하나가 곧 시정수 하나입니다.
각주파수rad/s전도도S/m잡음 전압 밀도V/√Hz허수 단위시간s
정전용량F인덕턴스H저항Ω컬렉터 임피던스Ω부하 임피던스Ω임피던스 (R)Ω
입력 전압V출력 전압V
정전용량F저항Ω
시정수s정전용량F거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz컨덕턴스 (소신호)S전류 (순시값)A비트 수 또는 개수저항Ω입력 전압V출력 전압V
시정수s차단 주파수Hz
이득 대역폭 곱Hz
주파수 (-3)Hz
부하 정전용량F분리 저항Ω출력 저항Ω임피던스Ω
⚠️ 이상과 실제
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 극점이 두세 개 | 실제 회로에는 기생 성분이 만드는 극점이 수십 개 있습니다 |
| 극점 위치가 고정 | 온도·부하·전원에 따라 움직입니다 |
| 선형 시스템 | 슬루율·포화에 걸리면 자체가 무의미해집니다 |
| 전달함수만 알면 됨 | 초기 조건(커패시터에 남은 전하)은 에 안 들어 있습니다 |
| 영점은 위상을 되돌림 | RHP 영점은 반대로 깎습니다 |
⚖️ 고르는 기준
| 선택 | 얻는 것 | 잃는 것 |
|---|---|---|
| 극점을 낮게 (큰 RC) | 노이즈 대역 좁힘 | 느려짐, 긴 꼬리 |
| 극점을 높게 | 빠른 정착 | 노이즈·에일리어싱 증가 |
| 극점을 두 개로 나눔 | 차단이 가팔라짐 | 위상 지연 −180°, 발진 위험 |
| 영점으로 보상 | 위상 회복, 안정 | 고주파 잡음 통과, 부품 추가 |
| 단을 버퍼로 분리 | 극점이 계산대로 | 부품·전류·잡음 추가 |
2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간
출렁임의 정체는 숫자 하나, 감쇠비 입니다. 오버슈트도 정착 시간도 위상 여유도 전부 여기서 나옵니다.
비트 수 또는 개수
비트 수 또는 개수
전하 / 품질 계수
정전용량F인덕턴스H저항Ω
정전용량F인덕턴스H비트 수 또는 개수저항Ω
허수 단위비트 수 또는 개수
거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz비트 수 또는 개수시간s
거리 또는 두께m피크 시간s
잡음 전압 밀도V/√Hz피크 상호 인덕턴스H
위상°거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz비트 수 또는 개수시간s
거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz비트 수 또는 개수피크 시간s
유전율F/m비트 수 또는 개수신호원 시간s
비트 수 또는 개수신호원 시간s
부하 정전용량F피크 주파수Hz출력 저항Ω
부하 정전용량F주파수 (z)Hz분리 저항Ω
분리 저항Ω
잡음 전압 밀도V/√Hz피크 상호 인덕턴스H
잡음 전압 밀도V/√Hz
이동도m²/V·s신호원 시간s
⚠️ 이상과 실제
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 극점이 딱 두 개 | OP앰프에는 세 번째·네 번째 극점이 있어 PM이 계산보다 나쁩니다 |
| 가 고정 | 이 케이블 길이·손 위치로 변하면 도 같이 변합니다 |
| 선형 | 슬루율 한계에 걸리면 큰 신호의 정착은 이 식과 무관해집니다 |
| 오버슈트만 보면 됨 | 정착은 오버슈트보다 훨씬 오래 갑니다 — 꼬리가 오차 창에 들어와야 끝입니다 |
| 계단 응답으로 다 안다 | 열 시정수(수십 ms~s)에 의한 긴 꼬리는 스코프 화면에서 안 보입니다 |
⚖️ 고르는 기준
| 감쇠를 얻는 방법 | 얻는 것 | 잃는 것 |
|---|---|---|
| 직렬 저항 (댐핑) | 링잉 억제, 부품 하나 | DC 강하, 열, 출력 임피던스 상승 |
| 병렬 RC 스너버 | DC 손실 없음 | 부품 둘, 값 맞추기 까다로움 |
| ESR 있는 커패시터 | 부품 추가 없음 | 리플 증가, 값 산포 큼 |
| 피드백 보상 () | 손실 없음, 정밀 | 대역폭 감소 |
| 를 크게 (1 이상) | 확실히 안 넘침 | 느려짐 — 정착이 오히려 늦음 |
필터 근사 — 버터워스·베셀·체비셰프
같은 차수로 평탄함·급준함·파형 보존 셋을 다 가질 수는 없습니다. 무엇을 버릴지 정하는 것이 필터 근사를 고르는 일입니다.
비트 수 또는 개수
각주파수rad/s허수 단위비트 수 또는 개수
각주파수rad/s위상°거리 또는 두께m컨덕턴스 (소신호)S
1번 정전용량F2번 정전용량F차단 주파수Hz전하 / 품질 계수저항Ω
1번 정전용량F2번 정전용량F전하 / 품질 계수
잡음 전압 밀도V/√Hz
잡음 전압 밀도V/√Hz결합 계수 또는 상수전하 / 품질 계수
잡음 전압 밀도V/√Hz결합 계수 또는 상수전하 / 품질 계수
⚠️ 이상과 실제
| 이상 | 실제 | 왜 |
|---|---|---|
| 근사를 고르면 그 응답이 나옴 | 부품 오차로 Q 가 흔들림 | 5 % 저항이면 Q 도 5 % |
| 4차는 2차 둘 | Q 가 다른 2차 둘 | 극점 위치가 다름 |
| 체비셰프가 항상 급준 | 통과대역 리플을 감수한 것 | 공짜가 아님 |
| 베셀은 성능이 나쁨 | 파형을 지킴 | 목적이 다름 |
| 차수를 올리면 좋아짐 | 오버슈트·정착시간이 나빠짐 | 주파수↔시간 |
| OP앰프는 이상적 | GBW 가 부족하면 Q 가 변함 | 7-06 |
⚖️ 고르는 기준
| 차수를 올림 | 체비셰프로 바꿈 | |
|---|---|---|
| 부품 | 늘어남 | 그대로 |
| 통과대역 | 평탄 유지 | 리플 생김 |
| 오버슈트 | 조금 늘어남 | 많이 늘어남 |
| 부품 오차 민감도 | 조금 | 크게 늘어남 (Q 가 높아짐) |
연습문제
인쇄하면 답이 접힌 채로 나옵니다 — 그대로 문제지가 됩니다. 위의 “답도 함께 인쇄” 를 켜면 풀이까지 펴서 나옵니다.
- 정현파와 RMS오실로스코프에서 V인 정현파를 봤습니다. RMS는?
풀이
- 정현파와 RMS잡음 밀도 8 nV/√Hz인 증폭기를 대역폭 1 kHz(1차 RC 필터)로 제한했습니다. 출력 잡음(rms)은?
연습 4-01-2 — 8 nV/√Hz 를 1 kHz 로 자르면 얼마가 남나 풀이
잡음 등가 대역폭:
약 0.32 µV(rms). 피크로는 3σ 기준 약 0.95 µV까지 나타납니다.
- 정현파와 RMS50 µV(rms) 신호를 12비트 ADC(입력 범위 ±1 V)로 읽습니다. 잡음 피크 여유를 4σ로 잡을 때, 필요한 게인과 그때의 잡음 요구사항은?
풀이
게인: 신호를 ADC 범위에 맞춥니다. 신호 피크를 rms의 4배(생체 신호는 버스트가 있음)로 보고 200 µV(peak)라 하면, 여유를 두어 ±0.5 V를 목표로:
ADC 분해능(resolution): 12비트, ±1 V → LSB =
입력 환산으로는
잡음 요구사항: 입력 환산 잡음(input-referred noise)이 ADC의 LSB보다 작아야 ADC 분해능이 의미가 있습니다.
즉 입력 환산 잡음 0.2 µV(rms) 이하가 목표입니다. 대역폭 5 kHz(잡음 대역 7.85 kHz) 기준:
2.2 nV/√Hz 이하의 초저잡음 증폭기가 필요합니다. 그리고 1-05에서 봤듯 소스 저항이 300 Ω만 넘어도 저항 열잡음만으로 이 한계에 걸립니다 — 전극 임피던스가 MΩ급이면 애초에 불가능합니다.
그래서 목표를 현실적으로 재설정해야 합니다. 전극(electrode) 임피던스(impedance)가 정해져 있으면 열잡음이 바닥을 정하고, 그 바닥에 맞춰 ADC 분해능과 대역폭을 정하는 것이 올바른 순서입니다. 이 역산 과정이 16-00 방법론 3단계입니다.
- 페이저와 복소 임피던스10 nF 커패시터의 1 kHz, 100 kHz에서의 임피던스는?
연습 4-02-1 — 10 nF 의 임피던스 풀이
1 kHz:
100 kHz:
주파수가 100배면 임피던스는 1/100.
- 페이저와 복소 임피던스과 직렬. 차단주파수와 그 지점의 위상은?
풀이
차단주파수에서 이므로
- 페이저와 복소 임피던스전극 임피던스가 1 kHz에서 200 kΩ, 10 Hz에서 5 MΩ입니다. 입력 바이어스 전류 10 pA인 증폭기를 쓰면 각 주파수에서의 옵셋 오차는? 그리고 이것이 왜 중요합니까?
연습 4-02-3 — 전극 임피던스와 바이어스 전류 옵셋 풀이
바이어스 전류가 만드는 DC 옵셋은 DC 임피던스(가장 낮은 주파수 극한)에 비례합니다. 10 Hz 값으로 근사하면:
50 µV의 DC 옵셋. ECoG 신호 자체와 같은 크기입니다!
왜 중요한가:
- 이 옵셋이 게인 1000배 증폭되면 50 mV가 되어 출력 레인지를 잡아먹습니다
- 채널마다 전극 임피던스가 다르면 채널별로 옵셋이 달라 보정이 어렵습니다
- 전극 임피던스가 시간에 따라 변하면 옵셋이 드리프트합니다
해결:
- 바이어스 전류가 더 낮은 소자 (fA급 CMOS 입력)
- AC 커플링으로 DC 옵셋 차단 (3-01)
- DC 서보 루프로 능동 제거 (13-05)
이 문제가 생체 측정 프론트엔드 설계에서 가장 골치 아픈 부분 중 하나입니다.
- 주파수 응답과 필터 kHz인 저역통과 RC를 만드세요. nF일 때 R은?
연습 4-03-1 — f_c = 1 kHz 저역통과 만들기 풀이
E24에서 16 kΩ을 씁니다. ( Hz)
- 주파수 응답과 필터1차 LPF ( kHz)가 10 kHz에서 감쇠하는 양은?
풀이
이므로 −20 dB/decade에서 −20 dB (1/10 진폭).
정확히는:
- 주파수 응답과 필터신경 스파이크(폭 ~1 ms, 300 Hz~5 kHz)를 측정합니다. 4차 버터워스 LPF(5 kHz)와 4차 베셀 LPF(5 kHz) 중 어느 것을 써야 하고, 왜입니까?
풀이
베셀을 써야 합니다.
이유: 스파이크는 넓은 주파수 대역에 걸친 성분들이 특정 위상 관계로 합쳐진 파형입니다. 필터의 군지연(group delay)이 주파수에 따라 다르면 각 성분이 다른 시간에 도착해 파형 모양이 변형됩니다.
- 버터워스 4차: 통과대역 이득은 평탄하지만 군지연이 주파수에 따라 크게 변함 → 스파이크에 링잉(ringing) 이 생기고 폭이 넓어짐
- 베셀 4차: 군지연이 평탄 → 파형 모양이 보존됨. 대신 차단이 완만해서 5 kHz 위 감쇠가 버터워스보다 약함
실무적 함의: 스파이크 분류(spike sorting)는 파형 모양으로 뉴런을 구분하므로, 필터가 파형을 왜곡하면 분류 정확도가 떨어집니다.
보완: 베셀의 완만한 차단이 걱정되면 오버샘플링으로 보완합니다. 샘플링률을 높이면 아날로그 필터의 부담이 줄고, 디지털에서 원하는 특성(선형 위상 FIR)으로 다시 필터링할 수 있습니다.
- dB와 보드선도전압 이득이 250배입니다. dB로는?
풀이
암산: 250 = 2 × 125 ≈ 2 × 128 = 2 × 2⁷ = 2⁸ → 8 × 6 dB = 48 dB ✅
- dB와 보드선도GBW 5 MHz OP앰프로 이득 200배 증폭기를 만들면 대역폭은? 5 kHz 신호에 충분합니까?
연습 4-04-2 — 이득 200배면 대역이 얼마나 남나 풀이
5 kHz 신호에는 충분해 보이지만, −3 dB 지점의 1/5이라 이미 위상이 11° 지연되고 이득도 약간 떨어집니다. 파형 충실도가 중요하면 여유가 부족합니다.
권장: 신호 대역의 최소 10배, 파형 보존이 중요하면 20~50배의 대역폭을 확보하세요. 5 kHz라면 50~250 kHz 대역폭 → 이득을 100배 이하로 낮추거나 GBW가 더 큰 OP앰프를 씁니다.
- dB와 보드선도86 dB의 총 게인이 필요합니다. GBW 10 MHz OP앰프로 최소 200 kHz 대역폭을 확보하려면 몇 단이 필요합니까?
풀이
각 단의 최대 이득 (대역폭 200 kHz 확보):
필요 단수:
3단, 각 28.7 dB(27배) 로 설계합니다. 각 단 대역폭은 kHz.
⚠️ 다단의 대역폭 축소 효과: 개의 동일한 1차 단을 직렬로 연결하면 전체 −3 dB 대역폭이 줄어듭니다.
: kHz거의 목표에 맞습니다. 여유를 두려면 각 단 게인을 조금 낮추거나 4단으로 갑니다.
- 공진과 Q, 의 공진 주파수는?
풀이
- 공진과 Q10 µF 커패시터의 ESL이 2 nH입니다. 자기공진 주파수는? 그리고 10 MHz 노이즈에 대한 임피던스는?
연습 4-05-2 — 10 µF 의 자기공진과 10 MHz 임피던스 풀이
10 MHz는 SRF보다 훨씬 위이므로 인덕터로 동작합니다:
이상적 커패시터라면 이어야 하므로 79배 나쁩니다.
따라서 10 MHz 노이즈를 잡으려면 10 µF으로는 안 되고, SRF가 더 높은 작은 커패시터(100 nF, SRF ~30 MHz)가 필요합니다.
- 공진과 Q저잡음 아날로그 전원에 페라이트 비드(2.2 µH) + 22 µF 커패시터로 필터를 만들었습니다. 공진 주파수와 위험성은? 어떻게 개선합니까?
연습 4-05-3 — 페라이트 비드 + 22 µF 의 위험 풀이
위험: 스위칭 레귤레이터의 리플이나 부하 과도가 이 주파수 근처에 있으면, Q가 높은 경우 노이즈가 오히려 증폭됩니다. 세라믹 커패시터는 ESR이 매우 낮아(수 mΩ) Q가 수십에 달할 수 있습니다.
Q ≈ 32 → 공진에서 30 dB 증폭. 심각합니다.
개선 방법:
- 댐핑 저항 직렬 삽입 — 1~3 Ω. 단, DC 전압 강하 발생 (100 mA면 0.1~0.3 V)
- RC 댐핑 네트워크 병렬 — 커패시터에 직렬 RC(예: 1 Ω + 100 µF)를 병렬로. DC 손실 없이 공진만 댐핑 ← 권장
- ESR이 있는 커패시터 사용 — 폴리머나 전해를 세라믹과 병렬로
- 비드를 손실이 큰 것으로 — 공진 주파수 대역에서 저항 성분이 큰 비드 선택
자세한 전원 필터 설계 → 16-03 저잡음 전원
- s영역과 전달함수 의 차단 주파수와 시정수는?
연습 4-06-1 — H(s) = 100/(s+100) 이 무슨 회로인가 풀이
극점 rad/s.
- s영역과 전달함수 는 어떤 필터입니까?
풀이
원점에 영점, 에 극점.
- (DC): — DC를 막습니다
- : — 고주파는 통과
고역통과 필터입니다. AC 커플링이 이 꼴이고, 전극의 DC 오프셋을 막는 데
씁니다 (13-05). - s영역과 전달함수어떤 증폭기의 개루프 이득이 DC에서 이고 극점이 10 Hz에 하나 있습니다. GBW는 얼마이고, 이득 100으로 쓰면 대역폭은?
풀이
이득이 1이 되는 주파수:
GBW는 상수이므로 이득 100에서
극점이 하나뿐이므로 위상 지연이 최대 −90° 이고, 그래서 이 증폭기는
어떤 이득으로 써도 발진하지 않습니다. OP앰프 안에 일부러 큰 커패시터를 넣어
극점을 낮게 만드는(지배극 보상) 이유가 이것입니다. - s영역과 전달함수7-07은 용량성 부하에 직렬 저항 를 넣으라고 합니다. 가 극점과 영점을 각각 어디에 만드는지 쓰고, 왜 안정성이 좋아지는지 설명하세요.
풀이
OP앰프 출력 저항 , 직렬 , 부하 일 때 부하가 보는
임피던스는- 영점:
- 극점:
이면 영점이 항상 극점보다 높은 주파수에 있습니다.
극점이 −90° 를 깎은 뒤 영점이 +90° 를 되돌리므로, 두 주파수 사이에서만
위상이 내려갔다가 회복합니다. 루프 이득이 1이 되는 지점이 영점 위에
오도록 를 잡으면 위상 여유가 살아납니다.대가는 가 피드백 루프 밖에 있다는 것입니다 — 부하 전류가
흐르면 에서 전압이 떨어지고, 그만큼 DC 정확도를 잃습니다. - 2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간 인 회로의 오버슈트는?
연습 4-07-1 — ζ = 0.5 의 오버슈트 풀이
약 16%.
- 2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간오버슈트를 2% 이하로 만들려면 위상 여유가 최소 얼마여야 합니까?
풀이
풀면 . 근사식 에서
PM ≈ 78° 이상.
실무에서 "PM 60°면 충분"이라고들 하지만, 그것은 오버슈트 9%를 받아들인다는
뜻입니다. 정밀 측정에서 2%를 요구하면 훨씬 보수적으로 잡아야 합니다. - 2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간12비트 ADC 앞단이 s 인 1차 회로일 때 필요한 정착 시간을 구하고, 같은 대역폭의 2차 회로()로 바꾸면 왜 더 오래 걸리는지 설명하세요.
풀이
1차:
2차 (): 포락선의 시정수는 입니다. 같은
dB 대역폭을 유지하려면 이 커지지만, 가 작아 포락선
자체는 크게 빨라지지 않습니다.더 중요한 것은 오버슈트 37% 라는 점입니다. 12비트 정착 창은 최종값의
인데, 응답이 그 창을 위아래로 여러 번 통과한 뒤에야
머무릅니다. 창 안에 "들어왔다"가 아니라 "들어와서 머문다"가 조건이므로,
울림이 충분히 잦아들 때까지 기다려야 합니다.결론: 정착이 중요한 자리에서는 대역폭을 넓히는 것보다 를
0.7~0.8로 맞추는 것이 먼저입니다. - 2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간어떤 LDO가 의 ESR이 너무 낮으면 발진한다고 데이터시트에 적혀 있습니다. ESR이 왜 안정성에 도움이 되는지 이 문서의 언어로 설명하세요.
풀이
LDO는 부귀환 루프이고, 출력 커패시터가 그 루프 안에 있습니다.
은 극점을 만들어 위상을 −90° 더 깎습니다. 패스 소자의 극점과
합쳐지면 위상이 −180°에 닿아 이 됩니다.ESR은 커패시터와 직렬이므로 임피던스가 이고,
에서 영점을 만듭니다. 영점은 위상을 +90°
되돌려 주므로, 이 영점을 교차 주파수 근처에 두면 PM이 회복됩니다.그래서 데이터시트가 "ESR 0.1~2 Ω" 같은 범위를 주는 것입니다 — 너무 낮으면
영점이 너무 높은 주파수에 있어 도움이 안 되고, 너무 높으면 리플이 커집니다.세라믹 커패시터는 ESR이 수 mΩ 이라 옛날 LDO에서 발진했고, 요즘 "세라믹
안정(ceramic-stable)" LDO는 내부에서 보상을 따로 해 이 문제를 없앤 것입니다
(8-02). - 필터 근사 — 버터워스·베셀·체비셰프심전도 프론트엔드의 저역통과(150 Hz)를 설계합니다. 버터워스와 베셀 중 어느 것을 쓰겠습니까?
연습 4-08-1 — 심전도 150 Hz 저역통과, 버터워스냐 베셀이냐 풀이
베셀입니다.
심전도에서 판단 근거는 파형의 모양입니다 — QRS 폭, ST 분절의 높이, T 파의 대칭성. 이것들은 여러 주파수 성분의 상대적 시간 관계로 정해집니다.
통과대역 군지연 변화 QRS 에 미치는 영향 버터워스 ±20 % 고주파 성분이 늦게 도착 → QRS 가 퍼지고 비대칭 베셀 ±1 % 통째로 지연될 뿐 모양 유지 대가: 베셀은 차단이 무릅니다. 150 Hz 에서 −3 dB 를 맞추면 300 Hz 에서 버터워스보다 몇 dB 덜 감쇠합니다.
벌충: 차수를 하나 올립니다. 4차 베셀이 2차 버터워스보다 급준하면서도 군지연이 평탄합니다. 부품이 늘지만 파형을 지키는 값입니다.
실제 심전도 규격(AAMI EC11)이 저역통과의 위상 응답을 규정하는 이유가 이것입니다.
- 필터 근사 — 버터워스·베셀·체비셰프4차 버터워스를 살렌-키 두 단으로 만듭니다. Q 0.541 단과 Q 1.31 단 중 어느 것을 앞에 두겠습니까?
풀이
Q 가 낮은 단(0.541)을 앞에 둡니다.
왜:
Q 1.31 단은 차단 근처에서 피킹이 있습니다.
그 단을 앞에 두면 차단 근처의 큰 신호가 3 dB 더 커진 채로 뒷단에 들어갑니다. 그러면
문제 왜 포화 출력 범위를 먼저 넘음 슬루레이트 큰 진폭이 빠르게 변함 왜곡 위 둘의 결과 Q 가 낮은 단을 먼저 두면 그 성분이 이미 줄어든 뒤 고Q 단에 들어갑니다.
반대 논리도 있습니다 — 잡음.
고Q 단이 뒤에 있으면 그 단의 잡음이 앞단 이득으로 안 나눠집니다. 하지만 필터의 이득은 대개 1 이라 잡음 지수의 캐스케이드 관점에서 큰 차이가 없고, 포화 쪽 위험이 훨씬 큽니다.
결론: 낮은 Q 먼저. 신호가 큰 경우일수록 확실합니다.
- 필터 근사 — 버터워스·베셀·체비셰프체비셰프 1 dB 4차 필터를 5 % 저항으로 만들었더니 통과대역 리플이 2.5 dB 나왔습니다. 왜?
풀이
Q 가 부품 오차에 민감하기 때문입니다.
살렌-키에서 이고, 저항 비도 함께 들어갑니다. 부품이 각각 5 % 틀리면 Q 는 RSS 로 약 7 % 흔들립니다.
리플은 Q 에 훨씬 민감합니다.
4차 체비셰프 1 dB 의 두 번째 단은 Q ≈ 3.56 입니다. 이 단의 피크는
Q 가 7 % 올라 3.81 이 되면
두 단이 각각 이렇게 어긋나고 서로 상쇄되지 않으면 리플이 배로 늘어납니다.
대책:
방법 효과 1 % 부품 Q 흔들림 1.4 % → 리플 거의 설계대로 차수를 올리고 리플을 줄임 (0.1 dB 5차) Q 가 낮아져 둔감해짐 버터워스로 바꿈 Q 최대 1.31 로 훨씬 둔감 디지털로 옮김 계수 오차 0 (13-11) 여기서 배울 것: 급준함을 근사로 사면 부품 정밀도로 갚습니다. 체비셰프를 쓰려면 1 % 이하 부품이 사실상 필수이고, 그 값이면 차수를 하나 올린 버터워스가 대개 더 쌉니다.