치트시트

4장. 교류와 주파수 영역

문서 8개 · 수식 111개 · 회로 19개 · 함정 8개 · 문제 26개

왼쪽 절반에만 찍고 오른쪽은 백지로 비웁니다 — 읽으면서 옆에 적어 보세요. 내용은 하나도 안 자릅니다.

2단으로 빽빽하게, 표시된 것만 — 시험 직전에 훑는 배치입니다.

정현파와 RMS

RMS는 "같은 열을 내는 DC 전압"입니다. 노이즈를 다룰 때는 거의 항상 RMS로 이야기합니다.

위상°주파수Hz시간s전압 (순시값)V피크 전압V

거리 또는 두께m시간s온도 또는 주기전압 (순시값)V실효값 전압V

평균 전력W저항Ω실효값 전압V

대역폭Hz입력 환산 전압 잡음 밀도V/√Hz주파수Hz잡음 전체 전압 (순시값)V

이동도m²/V·s잡음 전압 (실효값)V

대역폭Hz−3 dB 대역폭Hz주파수 (noise)Hz

피크 전압V

피크투피크 전압V

신호 대 잡음비dB

입력 환산 전압 잡음 밀도V/√Hz

실효값 전압V피크 전압V

대역폭Hz잡음 주파수Hz

이동도m²/V·s잡음 전압 (실효값)V

이동도m²/V·s컨덕턴스S

이동도m²/V·s전압 (순시값) (잡음, input)V

입력 환산 전압 잡음 밀도V/√Hz

정현파의 RMS 확인 회로도V1R11kΩINGND
정현파의 RMS 확인

⚠️ 이상과 실제

이상실제
멀티미터가 RMS 표시저가 멀티미터는 "평균 정류(rectification) + 1.11배" — 정현파에서만 정확. 왜곡된 파형이나 잡음은 크게 틀림. True RMS 제품이 필요
잡음 밀도가 평탄저주파에서 1/f 잡음이 급증 (12-01)
잡음 피크 = rms피크는 rms의 3~4배
파형이 순수 정현파고조파 왜곡(THD)이 존재

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
대역폭을 좁힘잡음이 로 감소신호가 왜곡·감쇠, 응답 느려짐
대역폭을 넓힘신호 충실도, 빠른 응답잡음 증가, 에일리어싱(aliasing) 위험
필터 차수를 높임잡음 대역폭이 신호 대역에 근접 → 효율적 잡음 제거부품 증가, 위상 왜곡·군지연(group delay), 링잉, 안정성
평균화(averaging)회 평균으로 잡음 감소시간 해상도 손실, 실시간성 저하

페이저와 복소 임피던스

미분방정식을 복소수 나눗셈으로 바꿔주는 도구. AC 회로도 옴의 법칙으로 풀 수 있게 됩니다.

각주파수rad/s위상°잡음 전압 밀도V/√Hz허수 단위시간s전압 (순시값)V전압V피크 전압V

각주파수rad/s위상°거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz허수 단위시간s피크 전압V

전류A전압V임피던스Ω

허수 단위저항Ω임피던스Ω

저항Ω임피던스Ω

정전용량F주파수Hz

허수 단위임피던스Ω

임피던스Ω

각주파수rad/s정전용량F허수 단위저항Ω컬렉터 임피던스Ω

각주파수rad/s정전용량F저항Ω

각주파수rad/s전기 이중층 용량F허수 단위전하 전달 저항Ω신호원 저항Ω전극 임피던스Ω

각주파수rad/s전기 이중층 용량F허수 단위전하 전달 저항Ω

정전용량F주파수Hz컬렉터 임피던스Ω

정전용량F차단 주파수Hz저항Ω

허수 단위임피던스Ω

전압 변화량V이동도m²/V·s전압V

RC 직렬 임피던스와 위상 회로도R11kΩV11VC1100nFINOUTGND
RC 직렬 임피던스와 위상

⚠️ 이상과 실제

이상실제
페이저는 정상상태(steady state)에만 유효과도 상태에서는 라플라스 변환 필요
선형 회로 가정반도체는 비선형 → 소신호 근사에서만
임피던스는 이상적기생 R·L·C가 더해져 주파수에 따라 크게 벗어남
단일 주파수실제 신호는 여러 주파수 성분의 합

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
높은 입력 임피던스신호원 로딩(loading) 최소잡음·간섭(interference)에 민감, 입력 용량의 영향이 상대적으로 커짐
낮은 출력 임피던스부하·케이블 영향 감소, 대역폭(bandwidth) 확보구동 전류 필요 → 전력 소비
임피던스 정합 (50 Ω)반사(reflection) 없음, 최대 전력 전달신호 절반 손실, 측정에는 부적합
직렬 저항 추가발진 억제, 용량성 부하로부터 출력 보호신호 감쇠, 대역폭 저하

주파수 응답과 필터

원하는 주파수만 통과시킵니다. 측정 회로에서 필터는 노이즈 제거와 에일리어싱(aliasing) 방지라는 두 가지 필수 역할을 합니다.

각주파수rad/s정전용량F차단 주파수Hz허수 단위저항Ω

각주파수rad/s정전용량F차단 주파수Hz허수 단위저항Ω

이득신호 주파수Hz샘플링 주파수Hz비트 수 또는 개수

신호 주파수Hz샘플링 주파수Hz

비트 수 또는 개수

비트 수 또는 개수

정전용량F차단 주파수Hz저항Ω

RC 저역통과 필터 회로도R11.59kΩV11VC1100nFINOUTGND
RC 저역통과 필터
RC 고역통과 필터 회로도C1100nFV11VR11.59kΩINOUTGND
RC 고역통과 필터

⚠️ 이상과 실제

이상실제
필터가 소스/부하와 독립소스 임피던스가 R에 더해지고, 부하가 병렬로 붙어 차단주파수(cutoff frequency)가 이동
이상적 차단실제로는 완만한 롤오프
부품 값이 정확R ±1%, C ±10% → 가 ±11% 변동
커패시터(capacitor)가 이상적ESL 때문에 고주파에서 필터링이 멈춤 (11-02)
위상 왜곡 무시군지연이 파형을 변형

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
패시브 RC 필터간단, 저렴, 전력 불필요, 잡음 추가 없음, 큰 신호에도 포화 없음이득 <1, 소스/부하 임피던스에 영향받음, 급격한 차단 어려움
액티브 필터 (OP앰프)급격한 차단, 이득 제공, 단 간 격리전력 소비, OP앰프 잡음·왜곡 추가, 큰 신호에서 포화, 발진 가능
LC 필터손실 적음, 급격한 차단, 고주파에 유리인덕터가 크고 비쌈, 자기장 누설, 공진·링잉
차수를 높임급격한 차단, 잡음 대역폭 감소위상 왜곡·군지연 증가, 링잉, 부품 증가, 감도(부품 오차에 민감)
차단주파수를 낮춤잡음 감소신호 왜곡, 세틀링 시간 증가

⚖️ 고르는 기준

응답✅⚠️언제
버터워스통과대역이 최대 평탄위상 비선형, 계단 응답에 오버슈트범용
베셀군지연이 평탄 → 파형 보존차단이 완만파형이 중요한 측정(스파이크, 과도)
체비셰프급격한 차단통과대역 리플, 심한 위상 왜곡, 링잉주파수 분리가 중요할 때
타원(Cauer)가장 급격양쪽 리플, 최악의 위상좁은 전이대역

dB와 보드선도

dB는 곱셈을 덧셈으로 바꾸는 도구. 보드선도(Bode plot)는 회로의 주파수 특성을 직선 몇 개로 그리는 방법입니다.

입력 전압V출력 전압V

입력 전력W출력 전력W

주파수 (0dB)Hz

이득 대역폭 곱Hz

컨덕턴스S

−3 dB 대역폭Hz

컨덕턴스 (stage)S

비트 수 또는 개수

주파수 (stage)Hz전체 주파수Hz비트 수 또는 개수

보드선도 확인 (2차 필터) 회로도R11.59kΩR215.9kΩV11VC1100nFC210nFINMIDOUTGND
보드선도 확인 (2차 필터)

⚠️ 이상과 실제

이상실제
직선 근사가 정확극 근처에서 3 dB 오차
단일 극기생 성분(parasitic)이 추가 극을 만듦 → 고주파에서 위상이 더 빠르게 떨어짐
GBW가 일정매우 높은 이득/낮은 이득에서 벗어남
위상 여유가 데이터시트대로부하 용량, PCB 기생, 온도로 크게 달라짐

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
1단에 큰 게인부품 적음, 후단 잡음의 영향 최소화 (첫 단이 잡음을 지배)GBW 제약으로 대역폭 급감, 큰 옵셋이 증폭되어 포화(saturation), 안정성 저하
여러 단으로 분산대역폭 확보, 각 단 안정, 단 사이에 필터 삽입 가능부품·전력·면적 증가, 각 단의 잡음이 누적(단, 첫 단이 지배적)
첫 단 게인을 크게 (나머지는 작게)노이즈 성능 최적 (프리즈 공식)첫 단에서 포화 위험, 큰 간섭(interference)이 있으면 불리
위상 여유를 크게 (60°+)안정, 오버슈트(overshoot) 없음대역폭 손실, 응답 느림
위상 여유를 작게대역폭 최대링잉(ringing), 온도·부품 변화로 발진 위험

공진과 Q

LC가 만나면 특정 주파수에서 임피던스(impedance)가 극단으로 갑니다. 원하면 필터, 원하지 않으면 링잉(ringing)과 노이즈 증폭입니다.

정전용량F공진 주파수Hz인덕턴스H

대역폭Hz정전용량F−3 dB 대역폭Hz공진 주파수Hz인덕턴스H전하 / 품질 계수저항Ω

정전용량F등가 직렬 인덕턴스H주파수 (SRF)Hz인덕턴스 ()H

공진 주파수Hz

공진 주파수Hz

전하 / 품질 계수

전하 / 품질 계수

공진 주파수Hz

주파수 (SRF)Hz

임피던스Ω

공진 주파수Hz

정전용량F인덕턴스H전하 / 품질 계수저항Ω

LC 공진과 Q 회로도R1100mΩ댐핑 저항L110µHV11VC11µFINMIDOUTGND
LC 공진과 Q

⚠️ 이상과 실제

이상실제
LC만 고려기생 성분이 예상치 못한 공진을 만듦
Q는 계산값코어 손실, 표피 효과, 유전 손실로 실제 Q는 더 낮음
공진 주파수 고정온도·DC 바이어스로 L·C가 변해 이동
하나의 공진실제로는 여러 공진이 존재 (분포 정수 효과)

⚖️ 고르는 기준

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
높은 Q좁은 대역 선택성, 낮은 손실, 정확한 주파수링잉, 공진 주파수에서 노이즈 증폭, 부품 오차에 민감, 느린 기동
낮은 Q (댐핑 추가)링잉 없음, 안정, 노이즈 증폭 없음손실 증가, 선택성 저하, 전압 강하
댐핑 저항 직렬Q 감소, 안전DC 손실과 전압 강하 — 전원 필터에서 특히 부담
댐핑 저항 병렬 (커패시터에 직렬 RC)DC 손실 없이 댐핑부품 추가, 고주파에서만 동작
ESR 있는 커패시터자연스러운 댐핑리플(ripple) 전압 증가, 발열

s영역과 전달함수

를 로 바꾸면 정상상태만 보던 눈이 과도까지 보게 됩니다. 극점 하나가 곧 시정수 하나입니다.

각주파수rad/s전도도S/m잡음 전압 밀도V/√Hz허수 단위시간s

정전용량F인덕턴스H저항Ω컬렉터 임피던스Ω부하 임피던스Ω임피던스 (R)Ω

입력 전압V출력 전압V

정전용량F저항Ω

시정수s정전용량F거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz컨덕턴스 (소신호)S전류 (순시값)A비트 수 또는 개수저항Ω입력 전압V출력 전압V

시정수s차단 주파수Hz

이득 대역폭 곱Hz

주파수 (-3)Hz

부하 정전용량F분리 저항Ω출력 저항Ω임피던스Ω

극점 두 개의 보드선도 회로도R110kΩR21kΩV11VC1100nFC210nFINMIDOUTGND
극점 두 개의 보드선도

⚠️ 이상과 실제

이상실제
극점이 두세 개실제 회로에는 기생 성분이 만드는 극점이 수십 개 있습니다
극점 위치가 고정온도·부하·전원에 따라 움직입니다
선형 시스템슬루율·포화에 걸리면 자체가 무의미해집니다
전달함수만 알면 됨초기 조건(커패시터에 남은 전하)은 에 안 들어 있습니다
영점은 위상을 되돌림RHP 영점은 반대로 깎습니다

⚖️ 고르는 기준

선택얻는 것잃는 것
극점을 낮게 (큰 RC)노이즈 대역 좁힘느려짐, 긴 꼬리
극점을 높게빠른 정착노이즈·에일리어싱 증가
극점을 두 개로 나눔차단이 가팔라짐위상 지연 −180°, 발진 위험
영점으로 보상위상 회복, 안정고주파 잡음 통과, 부품 추가
단을 버퍼로 분리극점이 계산대로부품·전류·잡음 추가

2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간

출렁임의 정체는 숫자 하나, 감쇠비 입니다. 오버슈트도 정착 시간도 위상 여유도 전부 여기서 나옵니다.

비트 수 또는 개수

비트 수 또는 개수

전하 / 품질 계수

정전용량F인덕턴스H저항Ω

정전용량F인덕턴스H비트 수 또는 개수저항Ω

허수 단위비트 수 또는 개수

거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz비트 수 또는 개수시간s

거리 또는 두께m피크 시간s

잡음 전압 밀도V/√Hz피크 상호 인덕턴스H

위상°거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz비트 수 또는 개수시간s

거리 또는 두께m잡음 전압 밀도V/√Hz비트 수 또는 개수피크 시간s

유전율F/m비트 수 또는 개수신호원 시간s

비트 수 또는 개수신호원 시간s

부하 정전용량F피크 주파수Hz출력 저항Ω

부하 정전용량F주파수 (z)Hz분리 저항Ω

분리 저항Ω

잡음 전압 밀도V/√Hz피크 상호 인덕턴스H

잡음 전압 밀도V/√Hz

이동도m²/V·s신호원 시간s

RLC 감쇠비와 링잉 회로도R110Ω감쇠 저항L110mHV1C1100nFINMIDOUTGND
RLC 감쇠비와 링잉

⚠️ 이상과 실제

이상실제
극점이 딱 두 개OP앰프에는 세 번째·네 번째 극점이 있어 PM이 계산보다 나쁩니다
가 고정 이 케이블 길이·손 위치로 변하면 도 같이 변합니다
선형슬루율 한계에 걸리면 큰 신호의 정착은 이 식과 무관해집니다
오버슈트만 보면 됨정착은 오버슈트보다 훨씬 오래 갑니다 — 꼬리가 오차 창에 들어와야 끝입니다
계단 응답으로 다 안다열 시정수(수십 ms~s)에 의한 긴 꼬리는 스코프 화면에서 안 보입니다

⚖️ 고르는 기준

감쇠를 얻는 방법얻는 것잃는 것
직렬 저항 (댐핑)링잉 억제, 부품 하나DC 강하, 열, 출력 임피던스 상승
병렬 RC 스너버DC 손실 없음부품 둘, 값 맞추기 까다로움
ESR 있는 커패시터부품 추가 없음리플 증가, 값 산포 큼
피드백 보상 ()손실 없음, 정밀대역폭 감소
를 크게 (1 이상)확실히 안 넘침느려짐 — 정착이 오히려 늦음

필터 근사 — 버터워스·베셀·체비셰프

같은 차수로 평탄함·급준함·파형 보존 셋을 다 가질 수는 없습니다. 무엇을 버릴지 정하는 것이 필터 근사를 고르는 일입니다.

비트 수 또는 개수

각주파수rad/s허수 단위비트 수 또는 개수

각주파수rad/s위상°거리 또는 두께m컨덕턴스 (소신호)S

1번 정전용량F2번 정전용량F차단 주파수Hz전하 / 품질 계수저항Ω

1번 정전용량F2번 정전용량F전하 / 품질 계수

잡음 전압 밀도V/√Hz

잡음 전압 밀도V/√Hz결합 계수 또는 상수전하 / 품질 계수

잡음 전압 밀도V/√Hz결합 계수 또는 상수전하 / 품질 계수

베셀·버터워스·체비셰프 — ζ 하나가 다를 뿐 회로도R1447Ωζ 를 정합니다 (R = 2ζ√(L/C))L110mHV1C1100nFINMIDOUTGND
베셀·버터워스·체비셰프 — ζ 하나가 다를 뿐

⚠️ 이상과 실제

이상실제왜
근사를 고르면 그 응답이 나옴부품 오차로 Q 가 흔들림5 % 저항이면 Q 도 5 %
4차는 2차 둘Q 가 다른 2차 둘극점 위치가 다름
체비셰프가 항상 급준통과대역 리플을 감수한 것공짜가 아님
베셀은 성능이 나쁨파형을 지킴목적이 다름
차수를 올리면 좋아짐오버슈트·정착시간이 나빠짐주파수↔시간
OP앰프는 이상적GBW 가 부족하면 Q 가 변함7-06

⚖️ 고르는 기준

차수를 올림체비셰프로 바꿈
부품늘어남그대로
통과대역평탄 유지리플 생김
오버슈트조금 늘어남많이 늘어남
부품 오차 민감도조금크게 늘어남 (Q 가 높아짐)

연습문제

인쇄하면 답이 접힌 채로 나옵니다 — 그대로 문제지가 됩니다. 위의 “답도 함께 인쇄” 를 켜면 풀이까지 펴서 나옵니다.

  1. 정현파와 RMS오실로스코프에서 V인 정현파를 봤습니다. RMS는?
    풀이

    Vp=1 V,Vrms=12≈0.707 VV_p = 1\ \text{V}, \qquad V_{rms} = \frac{1}{\sqrt2} \approx 0.707\ \text{V}

  2. 정현파와 RMS잡음 밀도 8 nV/√Hz인 증폭기를 대역폭 1 kHz(1차 RC 필터)로 제한했습니다. 출력 잡음(rms)은?
    연습 4-01-2 — 8 nV/√Hz 를 1 kHz 로 자르면 얼마가 남나 회로도R13.9kΩ√(4kTR) = 8 nV/√HzVS1V신호C140.8nFf_-3dB = 1 kHzINOUTGND
    연습 4-01-2 — 8 nV/√Hz 를 1 kHz 로 자르면 얼마가 남나
    풀이

    잡음 등가 대역폭:

    Δfn=1.57×1000=1570 Hz\Delta f_n = 1.57 \times 1000 = 1570\ \text{Hz}

    vn=8×10−9×1570≈8×10−9×39.6=317 nV=0.317 μVv_n = 8\times10^{-9}\times\sqrt{1570} \approx 8\times10^{-9}\times39.6 = 317\ \text{nV} = 0.317\ \mu\text{V}

    약 0.32 µV(rms). 피크로는 3σ 기준 약 0.95 µV까지 나타납니다.

  3. 정현파와 RMS50 µV(rms) 신호를 12비트 ADC(입력 범위 ±1 V)로 읽습니다. 잡음 피크 여유를 4σ로 잡을 때, 필요한 게인과 그때의 잡음 요구사항은?
    풀이

    게인: 신호를 ADC 범위에 맞춥니다. 신호 피크를 rms의 4배(생체 신호는 버스트가 있음)로 보고 200 µV(peak)라 하면, 여유를 두어 ±0.5 V를 목표로:

    G=0.5 V200 μV=2500 배 (68 dB)G = \frac{0.5\ \text{V}}{200\ \mu\text{V}} = 2500\ \text{배} \ (68\ \text{dB})

    ADC 분해능(resolution): 12비트, ±1 V → LSB = 2/4096=488 μV2/4096 = 488\ \mu\text{V}

    입력 환산으로는 488μV/2500=0.195 μV488\mu\text{V}/2500 = 0.195\ \mu\text{V}

    잡음 요구사항: 입력 환산 잡음(input-referred noise)이 ADC의 LSB보다 작아야 ADC 분해능이 의미가 있습니다.

    vn,input<0.195 μV (rms)v_{n,input} < 0.195\ \mu\text{V (rms)}

    즉 입력 환산 잡음 0.2 µV(rms) 이하가 목표입니다. 대역폭 5 kHz(잡음 대역 7.85 kHz) 기준:

    en<0.195×10−67850≈2.2 nV/Hze_n < \frac{0.195\times10^{-6}}{\sqrt{7850}} \approx 2.2\ \text{nV}/\sqrt{\text{Hz}}

    2.2 nV/√Hz 이하의 초저잡음 증폭기가 필요합니다. 그리고 1-05에서 봤듯 소스 저항이 300 Ω만 넘어도 저항 열잡음만으로 이 한계에 걸립니다 — 전극 임피던스가 MΩ급이면 애초에 불가능합니다.

    그래서 목표를 현실적으로 재설정해야 합니다. 전극(electrode) 임피던스(impedance)가 정해져 있으면 열잡음이 바닥을 정하고, 그 바닥에 맞춰 ADC 분해능과 대역폭을 정하는 것이 올바른 순서입니다. 이 역산 과정이 16-00 방법론 3단계입니다.

  4. 페이저와 복소 임피던스10 nF 커패시터의 1 kHz, 100 kHz에서의 임피던스는?
    연습 4-02-1 — 10 nF 의 임피던스 회로도I11AC110nFZGND
    연습 4-02-1 — 10 nF 의 임피던스
    풀이

    ∣ZC∣=12πfC|Z_C| = \frac{1}{2\pi fC}

    1 kHz: 12π×103×10−8≈15.9 kΩ\frac{1}{2\pi\times10^3\times10^{-8}} \approx 15.9\ \text{k}\Omega

    100 kHz: 12π×105×10−8≈159 Ω\frac{1}{2\pi\times10^5\times10^{-8}} \approx 159\ \Omega

    주파수가 100배면 임피던스는 1/100.

  5. 페이저와 복소 임피던스과 직렬. 차단주파수와 그 지점의 위상은?
    풀이

    fc=12πRC=12π×104×10−9≈15.9 kHzf_c = \frac{1}{2\pi RC} = \frac{1}{2\pi\times10^4\times10^{-9}} \approx 15.9\ \text{kHz}

    차단주파수에서 ∣ZR∣=∣ZC∣=10 kΩ|Z_R| = |Z_C| = 10\ \text{k}\Omega이므로

    Z=10k−j10k,θ=−45°Z = 10\text{k} - j10\text{k}, \qquad \theta = -45°

  6. 페이저와 복소 임피던스전극 임피던스가 1 kHz에서 200 kΩ, 10 Hz에서 5 MΩ입니다. 입력 바이어스 전류 10 pA인 증폭기를 쓰면 각 주파수에서의 옵셋 오차는? 그리고 이것이 왜 중요합니까?
    연습 4-02-3 — 전극 임피던스와 바이어스 전류 옵셋 회로도RE5MΩ전극 임피던스 @10 HzVS0V신호 (여기서는 0)IB10pA입력 바이어스 전류SRCINGND
    연습 4-02-3 — 전극 임피던스와 바이어스 전류 옵셋
    풀이

    바이어스 전류가 만드는 DC 옵셋은 DC 임피던스(가장 낮은 주파수 극한)에 비례합니다. 10 Hz 값으로 근사하면:

    ΔV=10×10−12×5×106=50 μV\Delta V = 10\times10^{-12} \times 5\times10^{6} = 50\ \mu\text{V}

    50 µV의 DC 옵셋. ECoG 신호 자체와 같은 크기입니다!

    왜 중요한가:

    1. 이 옵셋이 게인 1000배 증폭되면 50 mV가 되어 출력 레인지를 잡아먹습니다
    2. 채널마다 전극 임피던스가 다르면 채널별로 옵셋이 달라 보정이 어렵습니다
    3. 전극 임피던스가 시간에 따라 변하면 옵셋이 드리프트합니다

    해결:

    • 바이어스 전류가 더 낮은 소자 (fA급 CMOS 입력)
    • AC 커플링으로 DC 옵셋 차단 (3-01)
    • DC 서보 루프로 능동 제거 (13-05)

    이 문제가 생체 측정 프론트엔드 설계에서 가장 골치 아픈 부분 중 하나입니다.

  7. 주파수 응답과 필터 kHz인 저역통과 RC를 만드세요. nF일 때 R은?
    연습 4-03-1 — f_c = 1 kHz 저역통과 만들기 회로도R116kΩE24 로 반올림한 값V11VC110nFINOUTGND
    연습 4-03-1 — f_c = 1 kHz 저역통과 만들기
    풀이

    R=12πfcC=12π×1000×10−8≈15.9 kΩR = \frac{1}{2\pi f_c C} = \frac{1}{2\pi\times1000\times10^{-8}} \approx 15.9\ \text{k}\Omega

    E24에서 16 kΩ을 씁니다. (fc=995f_c = 995 Hz)

  8. 주파수 응답과 필터1차 LPF ( kHz)가 10 kHz에서 감쇠하는 양은?
    풀이

    10fc10f_c이므로 −20 dB/decade에서 −20 dB (1/10 진폭).

    정확히는:

    ∣H∣=11+102=1101≈0.0995→−20.04 dB|H| = \frac{1}{\sqrt{1+10^2}} = \frac{1}{\sqrt{101}} \approx 0.0995 \rightarrow -20.04\ \text{dB}

  9. 주파수 응답과 필터신경 스파이크(폭 ~1 ms, 300 Hz~5 kHz)를 측정합니다. 4차 버터워스 LPF(5 kHz)와 4차 베셀 LPF(5 kHz) 중 어느 것을 써야 하고, 왜입니까?
    풀이

    베셀을 써야 합니다.

    이유: 스파이크는 넓은 주파수 대역에 걸친 성분들이 특정 위상 관계로 합쳐진 파형입니다. 필터의 군지연(group delay)이 주파수에 따라 다르면 각 성분이 다른 시간에 도착해 파형 모양이 변형됩니다.

    • 버터워스 4차: 통과대역 이득은 평탄하지만 군지연이 주파수에 따라 크게 변함 → 스파이크에 링잉(ringing) 이 생기고 폭이 넓어짐
    • 베셀 4차: 군지연이 평탄 → 파형 모양이 보존됨. 대신 차단이 완만해서 5 kHz 위 감쇠가 버터워스보다 약함

    실무적 함의: 스파이크 분류(spike sorting)는 파형 모양으로 뉴런을 구분하므로, 필터가 파형을 왜곡하면 분류 정확도가 떨어집니다.

    보완: 베셀의 완만한 차단이 걱정되면 오버샘플링으로 보완합니다. 샘플링률을 높이면 아날로그 필터의 부담이 줄고, 디지털에서 원하는 특성(선형 위상 FIR)으로 다시 필터링할 수 있습니다.

  10. dB와 보드선도전압 이득이 250배입니다. dB로는?
    풀이

    20log⁡10250=20×2.398≈48 dB20\log_{10}250 = 20 \times 2.398 \approx 48\ \text{dB}

    암산: 250 = 2 × 125 ≈ 2 × 128 = 2 × 2⁷ = 2⁸ → 8 × 6 dB = 48 dB ✅

  11. dB와 보드선도GBW 5 MHz OP앰프로 이득 200배 증폭기를 만들면 대역폭은? 5 kHz 신호에 충분합니까?
    연습 4-04-2 — 이득 200배면 대역이 얼마나 남나 회로도VIN100µVRG1kΩVP5VVN-5VRF199kΩ이득 = 1 + RF/RGU1OPA320VCCVCCVEEVEEINFBOUTGND
    연습 4-04-2 — 이득 200배면 대역이 얼마나 남나
    풀이

    f−3dB=5 MHz200=25 kHzf_{-3dB} = \frac{5\ \text{MHz}}{200} = 25\ \text{kHz}

    5 kHz 신호에는 충분해 보이지만, −3 dB 지점의 1/5이라 이미 위상이 11° 지연되고 이득도 약간 떨어집니다. 파형 충실도가 중요하면 여유가 부족합니다.

    권장: 신호 대역의 최소 10배, 파형 보존이 중요하면 20~50배의 대역폭을 확보하세요. 5 kHz라면 50~250 kHz 대역폭 → 이득을 100배 이하로 낮추거나 GBW가 더 큰 OP앰프를 씁니다.

  12. dB와 보드선도86 dB의 총 게인이 필요합니다. GBW 10 MHz OP앰프로 최소 200 kHz 대역폭을 확보하려면 몇 단이 필요합니까?
    풀이

    각 단의 최대 이득 (대역폭 200 kHz 확보):

    Gstage≤10 MHz200 kHz=50 배=34 dBG_{stage} \leq \frac{10\ \text{MHz}}{200\ \text{kHz}} = 50\ \text{배} = 34\ \text{dB}

    필요 단수:

    n≥86 dB34 dB=2.5→3단n \geq \frac{86\ \text{dB}}{34\ \text{dB}} = 2.5 \rightarrow \textbf{3단}

    3단, 각 28.7 dB(27배) 로 설계합니다. 각 단 대역폭은 10MHz/27=37010\text{MHz}/27 = 370 kHz.

    ⚠️ 다단의 대역폭 축소 효과: nn개의 동일한 1차 단을 직렬로 연결하면 전체 −3 dB 대역폭이 줄어듭니다.

    ftotal=fstage21/n−1f_{total} = f_{stage}\sqrt{2^{1/n}-1}
    n=3n=3: ftotal=370kHz×0.51=189f_{total} = 370\text{kHz}\times0.51 = 189 kHz

    거의 목표에 맞습니다. 여유를 두려면 각 단 게인을 조금 낮추거나 4단으로 갑니다.

  13. 공진과 Q, 의 공진 주파수는?
    풀이

    f0=12π10−4×10−7=12π10−11=12π×3.16×10−6≈50.3 kHzf_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{10^{-4}\times10^{-7}}} = \frac{1}{2\pi\sqrt{10^{-11}}} = \frac{1}{2\pi\times3.16\times10^{-6}} \approx 50.3\ \text{kHz}

  14. 공진과 Q10 µF 커패시터의 ESL이 2 nH입니다. 자기공진 주파수는? 그리고 10 MHz 노이즈에 대한 임피던스는?
    연습 4-05-2 — 10 µF 의 자기공진과 10 MHz 임피던스 회로도I11AC110µFZGND
    연습 4-05-2 — 10 µF 의 자기공진과 10 MHz 임피던스
    풀이

    fSRF=12π2×10−9×10−5=12π×1.41×10−7≈1.13 MHzf_{SRF} = \frac{1}{2\pi\sqrt{2\times10^{-9}\times10^{-5}}} = \frac{1}{2\pi\times1.41\times10^{-7}} \approx 1.13\ \text{MHz}

    10 MHz는 SRF보다 훨씬 위이므로 인덕터로 동작합니다:

    ∣Z∣=2π×107×2×10−9≈0.126 Ω|Z| = 2\pi \times 10^7 \times 2\times10^{-9} \approx 0.126\ \Omega

    이상적 커패시터라면 1/(2π×107×10−5)=0.0016 Ω1/(2\pi\times10^7\times10^{-5}) = 0.0016\ \Omega이어야 하므로 79배 나쁩니다.

    따라서 10 MHz 노이즈를 잡으려면 10 µF으로는 안 되고, SRF가 더 높은 작은 커패시터(100 nF, SRF ~30 MHz)가 필요합니다.

  15. 공진과 Q저잡음 아날로그 전원에 페라이트 비드(2.2 µH) + 22 µF 커패시터로 필터를 만들었습니다. 공진 주파수와 위험성은? 어떻게 개선합니까?
    연습 4-05-3 — 페라이트 비드 + 22 µF 의 위험 회로도RDCR50mΩ비드 DCRLB2.2µH페라이트 비드VIN1V전원 잡음C122µFINMIDOUTGND
    연습 4-05-3 — 페라이트 비드 + 22 µF 의 위험
    풀이

    f0=12π2.2×10−6×22×10−6=12π×6.96×10−6≈22.9 kHzf_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{2.2\times10^{-6}\times22\times10^{-6}}} = \frac{1}{2\pi\times6.96\times10^{-6}} \approx 22.9\ \text{kHz}

    위험: 스위칭 레귤레이터의 리플이나 부하 과도가 이 주파수 근처에 있으면, Q가 높은 경우 노이즈가 오히려 증폭됩니다. 세라믹 커패시터는 ESR이 매우 낮아(수 mΩ) Q가 수십에 달할 수 있습니다.

    Q=1RLC=10.012.2×10−622×10−6=100×0.316=31.6Q = \frac{1}{R}\sqrt{\frac{L}{C}} = \frac{1}{0.01}\sqrt{\frac{2.2\times10^{-6}}{22\times10^{-6}}} = 100\times0.316 = 31.6

    Q ≈ 32 → 공진에서 30 dB 증폭. 심각합니다.

    개선 방법:

    1. 댐핑 저항 직렬 삽입 — 1~3 Ω. 단, DC 전압 강하 발생 (100 mA면 0.1~0.3 V)
    2. RC 댐핑 네트워크 병렬 — 커패시터에 직렬 RC(예: 1 Ω + 100 µF)를 병렬로. DC 손실 없이 공진만 댐핑 ← 권장
    3. ESR이 있는 커패시터 사용 — 폴리머나 전해를 세라믹과 병렬로
    4. 비드를 손실이 큰 것으로 — 공진 주파수 대역에서 저항 성분이 큰 비드 선택

    자세한 전원 필터 설계 → 16-03 저잡음 전원

  16. s영역과 전달함수 의 차단 주파수와 시정수는?
    연습 4-06-1 — H(s) = 100/(s+100) 이 무슨 회로인가 회로도R110kΩ극의 위치를 정합니다V11VC11µFINOUTGND
    연습 4-06-1 — H(s) = 100/(s+100) 이 무슨 회로인가
    풀이

    극점 s=−100s = -100 rad/s.

    τ=1100=10 ms,fc=1002π≈15.9 Hz\tau = \frac{1}{100} = 10\ \text{ms}, \qquad f_c = \frac{100}{2\pi} \approx 15.9\ \text{Hz}

  17. s영역과 전달함수 는 어떤 필터입니까?
    풀이

    원점에 영점, −ωc-\omega_c 에 극점.

    • s→0s \to 0 (DC): H→0H \to 0 — DC를 막습니다
    • s→∞s \to \infty: H→1H \to 1 — 고주파는 통과

    고역통과 필터입니다. AC 커플링이 이 꼴이고, 전극의 DC 오프셋을 막는 데
    씁니다 (13-05).

  18. s영역과 전달함수어떤 증폭기의 개루프 이득이 DC에서 이고 극점이 10 Hz에 하나 있습니다. GBW는 얼마이고, 이득 100으로 쓰면 대역폭은?
    풀이

    H(s)=1051+s/(2π×10)H(s) = \frac{10^5}{1+s/(2\pi\times10)}

    이득이 1이 되는 주파수:

    GBW=105×10 Hz=1 MHz\mathrm{GBW} = 10^5 \times 10\ \text{Hz} = 1\ \text{MHz}

    GBW는 상수이므로 이득 100에서

    f−3dB=106100=10 kHzf_{-3\mathrm{dB}} = \frac{10^6}{100} = 10\ \text{kHz}

    극점이 하나뿐이므로 위상 지연이 최대 −90° 이고, 그래서 이 증폭기는
    어떤 이득으로 써도 발진하지 않습니다. OP앰프 안에 일부러 큰 커패시터를 넣어
    극점을 낮게 만드는(지배극 보상) 이유가 이것입니다.

  19. s영역과 전달함수7-07은 용량성 부하에 직렬 저항 를 넣으라고 합니다. 가 극점과 영점을 각각 어디에 만드는지 쓰고, 왜 안정성이 좋아지는지 설명하세요.
    풀이

    OP앰프 출력 저항 RoR_o, 직렬 RisoR_{iso}, 부하 CLC_L 일 때 부하가 보는
    임피던스는

    Z(s)=Ro+Riso+1/sCL⋅0    ⟶  Hload(s)=1+sRisoCL1+s(Ro+Riso)CLZ(s) = R_o + \frac{R_{iso} + 1/sC_L \cdot 0}{\;} \;\longrightarrow\; H_{load}(s) = \frac{1+sR_{iso}C_L}{1+s(R_o+R_{iso})C_L}

    • 영점: fz=12πRisoCLf_z = \dfrac{1}{2\pi R_{iso}C_L}
    • 극점: fp=12π(Ro+Riso)CLf_p = \dfrac{1}{2\pi (R_o+R_{iso})C_L}

    Riso>0R_{iso} > 0 이면 영점이 항상 극점보다 높은 주파수에 있습니다.

    극점이 −90° 를 깎은 뒤 영점이 +90° 를 되돌리므로, 두 주파수 사이에서만
    위상이 내려갔다가 회복합니다. 루프 이득이 1이 되는 지점이 영점 위에
    오도록 RisoR_{iso} 를 잡으면 위상 여유가 살아납니다.

    대가는 RisoR_{iso} 가 피드백 루프 밖에 있다는 것입니다 — 부하 전류가
    흐르면 RisoR_{iso} 에서 전압이 떨어지고, 그만큼 DC 정확도를 잃습니다.

  20. 2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간 인 회로의 오버슈트는?
    연습 4-07-1 — ζ = 0.5 의 오버슈트 회로도R1316Ωζ = R/(2√(L/C))L110mHV1C1100nFINMIDOUTGND
    연습 4-07-1 — ζ = 0.5 의 오버슈트
    풀이

    Mp=e−π(0.5)/1−0.25=e−1.5708/0.866=e−1.814≈0.163M_p = e^{-\pi(0.5)/\sqrt{1-0.25}} = e^{-1.5708/0.866} = e^{-1.814} \approx 0.163

    약 16%.

  21. 2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간오버슈트를 2% 이하로 만들려면 위상 여유가 최소 얼마여야 합니까?
    풀이

    0.02=e−πζ/1−ζ2  ⇒  πζ1−ζ2=3.910.02 = e^{-\pi\zeta/\sqrt{1-\zeta^2}} \;\Rightarrow\; \frac{\pi\zeta}{\sqrt{1-\zeta^2}} = 3.91

    풀면 ζ≈0.78\zeta \approx 0.78. 근사식 ζ≈PM/100\zeta \approx \mathrm{PM}/100 에서

    PM ≈ 78° 이상.

    실무에서 "PM 60°면 충분"이라고들 하지만, 그것은 오버슈트 9%를 받아들인다는
    뜻입니다. 정밀 측정에서 2%를 요구하면 훨씬 보수적으로 잡아야 합니다.

  22. 2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간12비트 ADC 앞단이 s 인 1차 회로일 때 필요한 정착 시간을 구하고, 같은 대역폭의 2차 회로()로 바꾸면 왜 더 오래 걸리는지 설명하세요.
    풀이

    1차:

    ts=0.693(12+1)×1 μs=9.0 μst_s = 0.693(12+1)\times1\ \mu\text{s} = 9.0\ \mu\text{s}

    2차 (ζ=0.3\zeta = 0.3): 포락선의 시정수는 1/ζωn1/\zeta\omega_n 입니다. 같은
    −3-3 dB 대역폭을 유지하려면 ωn\omega_n 이 커지지만, ζ\zeta 가 작아 포락선
    자체는 크게 빨라지지 않습니다.

    더 중요한 것은 오버슈트 37% 라는 점입니다. 12비트 정착 창은 최종값의
    ±0.012%\pm0.012\% 인데, 응답이 그 창을 위아래로 여러 번 통과한 뒤에야
    머무릅니다. 창 안에 "들어왔다"가 아니라 "들어와서 머문다"가 조건이므로,
    울림이 충분히 잦아들 때까지 기다려야 합니다.

    결론: 정착이 중요한 자리에서는 대역폭을 넓히는 것보다 ζ\zeta 를
    0.7~0.8로 맞추는 것
    이 먼저입니다.

  23. 2차 시스템 — 오버슈트와 정착 시간어떤 LDO가 의 ESR이 너무 낮으면 발진한다고 데이터시트에 적혀 있습니다. ESR이 왜 안정성에 도움이 되는지 이 문서의 언어로 설명하세요.
    풀이

    LDO는 부귀환 루프이고, 출력 커패시터가 그 루프 안에 있습니다.
    CoutC_{out} 은 극점을 만들어 위상을 −90° 더 깎습니다. 패스 소자의 극점과
    합쳐지면 위상이 −180°에 닿아 ζ→0\zeta \to 0 이 됩니다.

    ESR은 커패시터와 직렬이므로 임피던스가 ESR+1/jωC\mathrm{ESR} + 1/j\omega C 이고,
    f=1/(2π ESR C)f = 1/(2\pi\,\mathrm{ESR}\,C) 에서 영점을 만듭니다. 영점은 위상을 +90°
    되돌려 주므로, 이 영점을 교차 주파수 근처에 두면 PM이 회복됩니다.

    그래서 데이터시트가 "ESR 0.1~2 Ω" 같은 범위를 주는 것입니다 — 너무 낮으면
    영점이 너무 높은 주파수에 있어 도움이 안 되고, 너무 높으면 리플이 커집니다.

    세라믹 커패시터는 ESR이 수 mΩ 이라 옛날 LDO에서 발진했고, 요즘 "세라믹
    안정(ceramic-stable)" LDO는 내부에서 보상을 따로 해 이 문제를 없앤 것입니다
    (8-02).

  24. 필터 근사 — 버터워스·베셀·체비셰프심전도 프론트엔드의 저역통과(150 Hz)를 설계합니다. 버터워스와 베셀 중 어느 것을 쓰겠습니까?
    연습 4-08-1 — 심전도 150 Hz 저역통과, 버터워스냐 베셀이냐 회로도RA110kΩRA210kΩCA1150nFRB110kΩRB210kΩCB1122nFQ = 0.577 (베셀)V1CA275nFCB291.9nFVP5VVN-5VU1OPA320U2OPA320VCCVCCVCCVEEVEEVEEINA1A2BUTTB1B2BESSGND
    연습 4-08-1 — 심전도 150 Hz 저역통과, 버터워스냐 베셀이냐
    풀이

    베셀입니다.

    심전도에서 판단 근거는 파형의 모양입니다 — QRS 폭, ST 분절의 높이, T 파의 대칭성. 이것들은 여러 주파수 성분의 상대적 시간 관계로 정해집니다.

    통과대역 군지연 변화QRS 에 미치는 영향
    버터워스±20 %고주파 성분이 늦게 도착 → QRS 가 퍼지고 비대칭
    베셀±1 %통째로 지연될 뿐 모양 유지

    대가: 베셀은 차단이 무릅니다. 150 Hz 에서 −3 dB 를 맞추면 300 Hz 에서 버터워스보다 몇 dB 덜 감쇠합니다.

    벌충: 차수를 하나 올립니다. 4차 베셀이 2차 버터워스보다 급준하면서도 군지연이 평탄합니다. 부품이 늘지만 파형을 지키는 값입니다.

    실제 심전도 규격(AAMI EC11)이 저역통과의 위상 응답을 규정하는 이유가 이것입니다.

  25. 필터 근사 — 버터워스·베셀·체비셰프4차 버터워스를 살렌-키 두 단으로 만듭니다. Q 0.541 단과 Q 1.31 단 중 어느 것을 앞에 두겠습니까?
    풀이

    Q 가 낮은 단(0.541)을 앞에 둡니다.

    왜:

    Q 1.31 단은 차단 근처에서 피킹이 있습니다.

    ∣H∣peak=Q1−1/4Q2=1.311−0.146=1.42(+3.0 dB)|H|_{peak} = \frac{Q}{\sqrt{1 - 1/4Q^2}} = \frac{1.31}{\sqrt{1-0.146}} = 1.42 \quad(+3.0\ \text{dB})

    그 단을 앞에 두면 차단 근처의 큰 신호가 3 dB 더 커진 채로 뒷단에 들어갑니다. 그러면

    문제왜
    포화출력 범위를 먼저 넘음
    슬루레이트큰 진폭이 빠르게 변함
    왜곡위 둘의 결과

    Q 가 낮은 단을 먼저 두면 그 성분이 이미 줄어든 뒤 고Q 단에 들어갑니다.

    반대 논리도 있습니다 — 잡음.

    고Q 단이 뒤에 있으면 그 단의 잡음이 앞단 이득으로 안 나눠집니다. 하지만 필터의 이득은 대개 1 이라 잡음 지수의 캐스케이드 관점에서 큰 차이가 없고, 포화 쪽 위험이 훨씬 큽니다.

    결론: 낮은 Q 먼저. 신호가 큰 경우일수록 확실합니다.

  26. 필터 근사 — 버터워스·베셀·체비셰프체비셰프 1 dB 4차 필터를 5 % 저항으로 만들었더니 통과대역 리플이 2.5 dB 나왔습니다. 왜?
    풀이

    Q 가 부품 오차에 민감하기 때문입니다.

    살렌-키에서 Q∝C1/C2Q \propto \sqrt{C_1/C_2} 이고, 저항 비도 함께 들어갑니다. 부품이 각각 5 % 틀리면 Q 는 RSS 로 약 7 % 흔들립니다.

    리플은 Q 에 훨씬 민감합니다.

    4차 체비셰프 1 dB 의 두 번째 단은 Q ≈ 3.56 입니다. 이 단의 피크는

    ∣H∣peak≈Q=3.56(+11 dB)|H|_{peak} \approx Q = 3.56 \quad(+11\ \text{dB})

    Q 가 7 % 올라 3.81 이 되면

    20log⁡(3.81/3.56)=+0.6 dB20\log(3.81/3.56) = +0.6\ \text{dB}

    두 단이 각각 이렇게 어긋나고 서로 상쇄되지 않으면 리플이 배로 늘어납니다.

    대책:

    방법효과
    1 % 부품Q 흔들림 1.4 % → 리플 거의 설계대로
    차수를 올리고 리플을 줄임 (0.1 dB 5차)Q 가 낮아져 둔감해짐
    버터워스로 바꿈Q 최대 1.31 로 훨씬 둔감
    디지털로 옮김계수 오차 0 (13-11)

    여기서 배울 것: 급준함을 근사로 사면 부품 정밀도로 갚습니다. 체비셰프를 쓰려면 1 % 이하 부품이 사실상 필수이고, 그 값이면 차수를 하나 올린 버터워스가 대개 더 쌉니다.