이미터 공통 증폭기
한 줄 요약 — 전압 이득 . 바이어스를 에 의존하지 않게 만드는 것이 설계의 핵심입니다.
기본 구조
| 부품 | 어디에 붙나 | 하는 일 |
|---|---|---|
| VCC ↔ 컬렉터 | 전류를 전압으로 바꾼다. 컬렉터 전류가 늘면 에서 더 떨어져 OUT이 내려간다 → 출력이 반전되는 이유 | |
| Q1 | 가운데 | 베이스 전압의 작은 변화를 컬렉터 전류의 큰 변화로 바꾼다 |
| 이미터 ↔ GND | 부귀환. 가 늘면 이미터 전압이 올라 가 줄어들어 다시 억제한다 → 온도· 변화에 안정 |
💡 신호는 베이스로 들어가 컬렉터로 나옵니다. 이미터는 (교류적으로) 입력과 출력이 공유하는 공통 단자라서 “이미터 공통(common emitter)“입니다.
2단계 해석 — 바이어스와 신호를 분리
1단계 (DC 바이어스): 커패시터(capacitor)를 개방, 신호원 제거 → 동작점(operating point) , 계산 2단계 (AC 소신호): 커패시터를 단락(short), DC 전원을 접지 → 이득·임피던스(impedance)임피던스 impedance교류에서의 저항으로, 크기뿐 아니라 전압과 전류의 시간 차이(위상)까지 담은 복소수입니다.자세히 보기 → 계산
이것이 2-04 중첩에서 말한 “비선형은 DC로, 신호는 선형으로” 접근입니다.
전압 이득
이미터 저항이 바이패스되지 않은 경우
A_v전압 이득voltage gainR_C컬렉터 저항collector resistanceΩr_e이미터 내부 저항intrinsic emitter resistanceΩR_E이미터 저항emitter resistanceΩ이득이 저항 비율로만 정해집니다. , 온도, 개체차에 무관 — 이것이 큰 장점입니다.
이미터 저항을 커패시터로 바이패스한 경우
A_v전압 이득voltage gaing_m전달 컨덕턴스transconductanceSI_C컬렉터 전류collector currentAR_C컬렉터 저항collector resistanceΩr_e이미터 내부 저항intrinsic emitter resistanceΩV_T열전압 (≈26 mV)thermal voltageV이득이 훨씬 커지지만, 와 온도에 의존하게 됩니다.
| 바이패스 없음 | 바이패스 있음 | |
|---|---|---|
| 이득 | 작음 (10~50) | 큼 (수백) |
| 안정성 | 우수 (저항비) | 나쁨 (온도· 의존) |
| 선형성 | 우수 | 나쁨 (왜곡) |
| 입력 임피던스 | 높음 () | 낮음 () |
| 대역폭(bandwidth) | 넓음 | 좁음 (밀러 효과(Miller effect)밀러 효과 Miller effect입력과 출력을 잇는 작은 커패시터가 이득 배만큼 부풀어 입력에 보이는 현상으로, 대역폭을 깎아먹는 주범입니다.자세히 보기 → 큼) |
💡 이미터 저항(디제너레이션(degeneration))은 이득을 희생해서 안정성·선형성·대역폭을 얻는 것입니다. 이것이 부귀환(negative feedback)부귀환 negative feedback출력의 일부를 되돌려 빼면 이득은 줄지만 정확도·선형성·대역폭·임피던스가 모두 좋아집니다.자세히 보기 → 의 가장 단순한 형태이고, OP앰프의 원리와 같습니다 (7-01).
바이어싱 — 분압 바이어스가 표준
에 의존하지 않는 안정된 동작점을 만들려면:
| 부품 | 어디에 붙나 | 하는 일 |
|---|---|---|
| R1, R2 | VCC ↔ 베이스 ↔ GND | 분압으로 베이스 전압을 고정한다. 가 100이든 300이든 베이스 전압은 그대로 |
| 이미터 ↔ GND | 고정된 베이스 전압에서 이 정해지고, 로 전류가 확정된다 | |
| VCC ↔ 컬렉터 | 확정된 전류를 출력 전압으로 바꾼다 | |
| 신호원 ↔ 베이스 | 직류 바이어스는 막고 교류 신호만 통과시킨다 |
설계 규칙
- 분압기(voltage divider) 전류를 의 10배 이상으로 → 베이스 전류의 영향 제거
기호
beta전류 이득 (BJT)current gainI_divider전류 (divider)current (divider)AI_B베이스 전류base currentAI_C컬렉터 전류collector currentA - V → 의 온도 변화(−2 mV/°C)를 상대적으로 작게
- 는 가 되도록 (최대 스윙)
왜 이게 안정한가
가 분압기로 고정되면:
I_C컬렉터 전류collector currentAI_E이미터 전류emitter currentAR_E이미터 저항emitter resistanceΩV_B베이스 전압base voltageV가 전혀 들어가지 않습니다. 가 50이든 300이든 동작점이 같습니다.
온도가 올라 가 떨어지면? 가 늘어나고 가 올라가는데, 가 고정이므로 가 줄어들어 를 다시 낮춥니다 — 자동 보상입니다.
계산 예제
V, mA 목표,
1) V로 선택
R_E이미터 저항emitter resistanceΩ2) V
3) 분압기 전류: → 분압 전류 100 µA 이상
mu이동도mobilitym²/V·sR_11번 저항resistance 1ΩR_22번 저항resistance 2ΩR_11번 저항resistance 1ΩR_22번 저항resistance 2Ω4) : V 목표
R_C컬렉터 저항collector resistanceΩ5) 이득:
r_e이미터 내부 저항intrinsic emitter resistanceΩ바이패스 없음: 바이패스 있음:
부분 바이패스 (이미터를 + 로 나누고 만 바이패스):
A_v전압 이득voltage gain→ 이득과 안정성의 절충. 실무에서 자주 쓰는 기법입니다.
시뮬레이션으로 확인
# examples/06-transistor/common-emitter.yaml
meta:
name: 이미터 공통 증폭기 (분압 바이어스)
lesson: docs/06-transistor/03-common-emitter.md
components:
- {ref: VCC, type: vdc, value: 12}
- {ref: R1, type: r, value: 100k}
- {ref: R2, type: r, value: 22k}
- {ref: RC, type: r, value: 5.6k, sweep: {min: 560, max: 56k}}
- {ref: RE, type: r, value: 1.5k, sweep: {min: 150, max: 15k}}
- {ref: Q1, type: q_npn, model: 2N3904}
- {ref: VIN, type: vac, value: 0.01}
- {ref: CIN, type: c, value: 10u}
nets:
VP: [VCC.p, R1.1, RC.1]
BASE: [R1.2, R2.1, Q1.b, CIN.2]
COL: [RC.2, Q1.c]
EMIT: [Q1.e, RE.1]
SRC: [VIN.p, CIN.1]
GND: [VCC.n, R2.2, RE.2, VIN.n]
analyses:
- {type: op}
- {type: ac, sweep: dec, points: 20, fstart: 10, fstop: 10MEG}
expect:
- {measure: v, node: EMIT, value: 1.5, tol: 15%}
- {measure: v, node: COL, value: 6.0, tol: 20%}Q1의 모델을 가 다른 것으로 바꿔도 동작점이 거의 변하지 않는지 확인해보세요. 그것이 분압 바이어스의 가치입니다.
⚖️ 부품 트레이드오프
| 선택 | ✅ 좋아지는 것 | ⚠️ 나빠지는 것 |
|---|---|---|
| 이미터 저항 (디제너레이션) | 이득 안정, 선형성 개선, 대역폭 증가, 입력 임피던스 증가 | 이득 감소, 출력 스윙 감소, 저항의 열잡음(thermal noise)열잡음 thermal noise모든 저항이 온도 때문에 내는 피할 수 없는 잡음으로, 측정의 바닥을 정합니다.자세히 보기 → 추가 |
| 이미터 바이패스 커패시터 | 이득 최대 | 온도·개체차에 취약, 왜곡, 대역폭 저하, 저주파 차단(cutoff) |
| 큰 | 이득 증가 | 출력 임피던스 증가 → 다음 단 로딩(loading)로딩 loading뒷단이 앞단에서 전류를 끌어가면서 신호가 줄어드는 현상으로, 고임피던스 신호원에서 특히 심합니다.자세히 보기 →, 대역폭 저하(밀러+부하 용량) |
| 큰 | ↑ 이득↑, 대역폭↑, 전압 잡음↓ | 전력 소비, 전류 잡음↑, 발열 |
| 분압 저항을 작게 | 바이어스 안정 | 전류 소비 증가, 입력 임피던스 감소(신호원 로딩) |
| 분압 저항을 크게 | 입력 임피던스 유지, 저전력 | 베이스 전류 영향으로 바이어스 불안정, 열잡음 증가 |
⚠️ 분압 바이어스의 저항은 신호원 입장에서 병렬 부하입니다. 고임피던스 신호원을 받을 때는 이 저항이 신호를 감쇠시킵니다. 이것이 이미터 공통(common emitter) 증폭기를 고임피던스 신호원의 첫 단으로 쓰기 어려운 이유이고, 06 소스 팔로워나 FET 입력이 필요한 이유입니다.
🔌 실제 쓰임새
| 용도 | 비고 |
|---|---|
| 소신호 전압 증폭 | 요즘은 대부분 OP앰프로 대체 |
| 고주파 증폭 | OP앰프의 GBW로 부족한 대역 (RF, 광통신) |
| 저잡음 프리앰프 | 개별 트랜지스터(transistor)가 OP앰프보다 낮은 잡음 가능 |
| 차동쌍 | 계측 증폭기(instrumentation amplifier)계측 증폭기 instrumentation amplifier두 입력 모두 임피던스가 높으면서 차동만 증폭하는 구조로, 전극 측정의 표준 첫 단입니다.자세히 보기 →·OP앰프의 입력단 |
| 전류-전압 변환 | |
| 레벨 시프트 |
💡 왜 아직도 개별 트랜지스터를 쓰는가: 극한의 저잡음(< 1 nV/√Hz), 극한의 고주파(GHz), 또는 집적 회로 안에서(액티브 어레이의 픽셀!) 필요할 때입니다. 보드 레벨의 일반적인 증폭은 OP앰프가 압도적으로 편리합니다.
⚠️ 이상과 실제의 차이
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 이득이 | 와 얼리 효과()로 약간 다름 |
| 대역폭 무한 | 밀러 효과로 크게 제한 (04) |
| 선형 | 큰 신호에서 왜곡(지수 특성) |
| 동작점 고정 | 온도 드리프트 |
| 잡음 없음 | 트랜지스터 잡음 + 저항 열잡음 |
연습문제
문제 1. , (바이패스 없음). 이득은?
풀이
를 1 mA로 가정하면 :
A_v전압 이득voltage gain근사로는 . 오차 5%로 잘 맞습니다.
문제 2. 위 회로에서 온도가 올라 가 30 Ω이 되면 이득 변화는?
exercises/06-03-gain-drift.yaml풀이
A_v전압 이득voltage gain1% 변화. 이미터 저항 덕분에 매우 안정적입니다.
만약 바이패스했다면? 에서 로 13% 변화합니다.
이것이 디제너레이션의 가치입니다.
문제 3. 이 증폭기의 입력 임피던스는? (β=150, k, k, k, 바이패스 없음)
exercises/06-03-input-impedance.yaml풀이
트랜지스터 베이스에서 본 저항:
beta전류 이득 (BJT)current gainr_in(base)저항 (소신호) (in(base))small-signal resistance (in(base))Ωr_e이미터 내부 저항intrinsic emitter resistanceΩR_E이미터 저항emitter resistanceΩ전체 입력 임피던스 (분압 저항과 병렬):
r_in(base)저항 (소신호) (in(base))small-signal resistance (in(base))ΩR_11번 저항resistance 1ΩR_22번 저항resistance 2ΩZ_in입력 임피던스input impedanceΩ약 17 kΩ.
분압 저항이 입력 임피던스를 지배합니다. 트랜지스터 자체는 229 kΩ인데 바이어스 저항 때문에 17 kΩ으로 떨어졌습니다.
전극(1 MΩ) 신호를 받으면? 분압으로 만 전달됩니다 — 사실상 신호가 사라집니다.
이것이 고임피던스 신호원에 이미터 공통 증폭기를 쓸 수 없는 이유이고, 소스 팔로워(FET)소스 팔로워 source follower전압 이득이 1인데도 쓰는 이유는 높은 임피던스를 낮은 임피던스로 바꿔 주기 때문입니다.자세히 보기 → 가 필요한 이유입니다 → 06
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