이미터 공통 증폭기

한 줄 요약 — 전압 이득 Av=−gmRCA_v = -g_m R_C. 바이어스를 β\beta에 의존하지 않게 만드는 것이 설계의 핵심입니다.


기본 구조

이미터 공통 증폭기 (기본 구조) 회로도RC5.6kΩ컬렉터 저항VCC12VVB2.2V베이스 바이어스RE1.5kΩ이미터 저항Q12N3904VPCOLBASEEMITGND
이미터 공통 증폭기 (기본 구조)워크벤치에서 열기 →
부품어디에 붙나하는 일
RCR_CVCC ↔ 컬렉터전류를 전압으로 바꾼다. 컬렉터 전류가 늘면 RCR_C에서 더 떨어져 OUT이 내려간다 → 출력이 반전되는 이유
Q1가운데베이스 전압의 작은 변화를 컬렉터 전류의 큰 변화로 바꾼다
RER_E이미터 ↔ GND부귀환. ICI_C가 늘면 이미터 전압이 올라 VBEV_{BE}가 줄어들어 다시 억제한다 → 온도·β\beta 변화에 안정

💡 신호는 베이스로 들어가 컬렉터로 나옵니다. 이미터는 (교류적으로) 입력과 출력이 공유하는 공통 단자라서 “이미터 공통(common emitter)“입니다.


2단계 해석 — 바이어스와 신호를 분리

1단계 (DC 바이어스): 커패시터(capacitor)를 개방, 신호원 제거 → 동작점(operating point) ICI_C, VCEV_{CE} 계산 2단계 (AC 소신호): 커패시터를 단락(short), DC 전원을 접지 → 이득·임피던스(impedance)임피던스 impedance교류에서의 저항으로, 크기뿐 아니라 전압과 전류의 시간 차이(위상)까지 담은 복소수입니다.ZC=1jωC,ZL=jωLZ_C = \frac{1}{j\omega C},\quad Z_L = j\omega L자세히 보기 → 계산

이것이 2-04 중첩에서 말한 “비선형은 DC로, 신호는 선형으로” 접근입니다.


전압 이득

이미터 저항이 바이패스되지 않은 경우

Av=−RCre+RE≈−RCRE(RE≫re)A_v = -\frac{R_C}{r_e + R_E} \approx -\frac{R_C}{R_E} \quad (R_E \gg r_e)
기호
A_v전압 이득voltage gain
R_C컬렉터 저항collector resistanceΩ
r_e이미터 내부 저항intrinsic emitter resistanceΩ
R_E이미터 저항emitter resistanceΩ

이득이 저항 비율로만 정해집니다. β\beta, 온도, 개체차에 무관 — 이것이 큰 장점입니다.

이미터 저항을 커패시터로 바이패스한 경우

Av=−RCre=−gmRC=−ICRCVTA_v = -\frac{R_C}{r_e} = -g_m R_C = -\frac{I_C R_C}{V_T}
기호
A_v전압 이득voltage gain
g_m전달 컨덕턴스transconductanceS
I_C컬렉터 전류collector currentA
R_C컬렉터 저항collector resistanceΩ
r_e이미터 내부 저항intrinsic emitter resistanceΩ
V_T열전압 (≈26 mV)thermal voltageV

이득이 훨씬 커지지만, ICI_C와 온도에 의존하게 됩니다.

바이패스 없음바이패스 있음
이득작음 (10~50)큼 (수백)
안정성우수 (저항비)나쁨 (온도·ICI_C 의존)
선형성우수나쁨 (왜곡)
입력 임피던스높음 (βRE\beta R_E)낮음 (βre\beta r_e)
대역폭(bandwidth)넓음좁음 (밀러 효과(Miller effect)밀러 효과 Miller effect입력과 출력을 잇는 작은 커패시터가 이득 배만큼 부풀어 입력에 보이는 현상으로, 대역폭을 깎아먹는 주범입니다.Cin=Cf (1+Av)C_{in} = C_f\,(1+A_v)자세히 보기 → 큼)

💡 이미터 저항(디제너레이션(degeneration))은 이득을 희생해서 안정성·선형성·대역폭을 얻는 것입니다. 이것이 부귀환(negative feedback)부귀환 negative feedback출력의 일부를 되돌려 빼면 이득은 줄지만 정확도·선형성·대역폭·임피던스가 모두 좋아집니다.ACL=A1+AβA_{CL} = \frac{A}{1+A\beta}자세히 보기 → 의 가장 단순한 형태이고, OP앰프의 원리와 같습니다 (7-01).


바이어싱 — 분압 바이어스가 표준

β\beta에 의존하지 않는 안정된 동작점을 만들려면:

이미터 공통 증폭기 (분압 바이어스) 회로도R1100kΩRC5.6kΩCIN10µFVCC12VR222kΩRE1.5kΩVIN10mVQ12N3904VPBASECOLEMITSRCGND
이미터 공통 증폭기 (분압 바이어스)워크벤치에서 열기 →
부품어디에 붙나하는 일
R1, R2VCC ↔ 베이스 ↔ GND분압으로 베이스 전압을 고정한다. β\beta가 100이든 300이든 베이스 전압은 그대로
RER_E이미터 ↔ GND고정된 베이스 전압에서 VE=VB−0.7V_E = V_B - 0.7이 정해지고, IE=VE/REI_E = V_E/R_E로 전류가 확정된다
RCR_CVCC ↔ 컬렉터확정된 전류를 출력 전압으로 바꾼다
CINC_{IN}신호원 ↔ 베이스직류 바이어스는 막고 교류 신호만 통과시킨다

설계 규칙

  1. 분압기(voltage divider) 전류를 IBI_B의 10배 이상으로 → 베이스 전류의 영향 제거 Idivider≥10IB=10ICβI_{divider} \geq 10 I_B = \frac{10 I_C}{\beta}
    기호
    beta전류 이득 (BJT)current gain
    I_divider전류 (divider)current (divider)A
    I_B베이스 전류base currentA
    I_C컬렉터 전류collector currentA
  2. VE≈1∼2V_E \approx 1\sim2 V → VBEV_{BE}의 온도 변화(−2 mV/°C)를 상대적으로 작게
  3. VB=VE+0.7V_B = V_E + 0.7
  4. RE=VE/ICR_E = V_E / I_C
  5. RCR_C는 VC≈VCC/2V_C \approx V_{CC}/2가 되도록 (최대 스윙)

왜 이게 안정한가

VBV_B가 분압기로 고정되면:

IC≈IE=VB−0.7REI_C \approx I_E = \frac{V_B - 0.7}{R_E}
기호
I_C컬렉터 전류collector currentA
I_E이미터 전류emitter currentA
R_E이미터 저항emitter resistanceΩ
V_B베이스 전압base voltageV

β\beta가 전혀 들어가지 않습니다. β\beta가 50이든 300이든 동작점이 같습니다.

온도가 올라 VBEV_{BE}가 떨어지면? IEI_E가 늘어나고 VEV_E가 올라가는데, VBV_B가 고정이므로 VBEV_{BE}가 줄어들어 IEI_E를 다시 낮춥니다 — 자동 보상입니다.


계산 예제

VCC=12V_{CC} = 12 V, IC=1I_C = 1 mA 목표, βmin=100\beta_{min} = 100

1) VE=1.5V_E = 1.5 V로 선택

RE=1.50.001=1.5 kΩR_E = \frac{1.5}{0.001} = 1.5\ \text{k}\Omega
기호
R_E이미터 저항emitter resistanceΩ

2) VB=1.5+0.7=2.2V_B = 1.5+0.7 = 2.2 V

3) 분압기 전류: IB=1mA/100=10 μAI_B = 1\text{mA}/100 = 10\ \mu\text{A} → 분압 전류 100 µA 이상

R1+R2=12100μ=120 kΩR_1 + R_2 = \frac{12}{100\mu} = 120\ \text{k}\Omega
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
R_11번 저항resistance 1Ω
R_22번 저항resistance 2Ω
R2R1+R2=2.212=0.183⇒R2=22 kΩ, R1=98 kΩ→100 kΩ\frac{R_2}{R_1+R_2} = \frac{2.2}{12} = 0.183 \Rightarrow R_2 = 22\ \text{k}\Omega,\ R_1 = 98\ \text{k}\Omega \rightarrow 100\ \text{k}\Omega
기호
R_11번 저항resistance 1Ω
R_22번 저항resistance 2Ω

4) RCR_C: VC=6V_C = 6 V 목표

RC=12−60.001=6 kΩ→5.6 kΩR_C = \frac{12-6}{0.001} = 6\ \text{k}\Omega \rightarrow 5.6\ \text{k}\Omega
기호
R_C컬렉터 저항collector resistanceΩ

5) 이득:

re=26 mV1 mA=26 Ωr_e = \frac{26\ \text{mV}}{1\ \text{mA}} = 26\ \Omega
기호
r_e이미터 내부 저항intrinsic emitter resistanceΩ

바이패스 없음: Av=−5600/(26+1500)=−3.7A_v = -5600/(26+1500) = -3.7 바이패스 있음: Av=−5600/26=−215A_v = -5600/26 = -215

부분 바이패스 (이미터를 RE1=100 ΩR_{E1}=100\ \Omega + RE2=1.4kR_{E2}=1.4\text{k}로 나누고 RE2R_{E2}만 바이패스):

Av=−560026+100=−44A_v = -\frac{5600}{26+100} = -44
기호
A_v전압 이득voltage gain

→ 이득과 안정성의 절충. 실무에서 자주 쓰는 기법입니다.


시뮬레이션으로 확인

이미터 공통 증폭기 (분압 바이어스) 회로도R1100kΩRC5.6kΩCIN10µFVCC12VR222kΩRE1.5kΩVIN10mVQ12N3904VPBASECOLEMITSRCGND
이미터 공통 증폭기 (분압 바이어스)워크벤치에서 열기 →
# examples/06-transistor/common-emitter.yaml
meta:
  name: 이미터 공통 증폭기 (분압 바이어스)
  lesson: docs/06-transistor/03-common-emitter.md
components:
  - {ref: VCC, type: vdc, value: 12}
  - {ref: R1,  type: r, value: 100k}
  - {ref: R2,  type: r, value: 22k}
  - {ref: RC,  type: r, value: 5.6k, sweep: {min: 560, max: 56k}}
  - {ref: RE,  type: r, value: 1.5k, sweep: {min: 150, max: 15k}}
  - {ref: Q1,  type: q_npn, model: 2N3904}
  - {ref: VIN, type: vac, value: 0.01}
  - {ref: CIN, type: c, value: 10u}
nets:
  VP:   [VCC.p, R1.1, RC.1]
  BASE: [R1.2, R2.1, Q1.b, CIN.2]
  COL:  [RC.2, Q1.c]
  EMIT: [Q1.e, RE.1]
  SRC:  [VIN.p, CIN.1]
  GND:  [VCC.n, R2.2, RE.2, VIN.n]
analyses:
  - {type: op}
  - {type: ac, sweep: dec, points: 20, fstart: 10, fstop: 10MEG}
expect:
  - {measure: v, node: EMIT, value: 1.5, tol: 15%}
  - {measure: v, node: COL,  value: 6.0, tol: 20%}

Q1의 모델을 β\beta가 다른 것으로 바꿔도 동작점이 거의 변하지 않는지 확인해보세요. 그것이 분압 바이어스의 가치입니다.


⚖️ 부품 트레이드오프

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
이미터 저항 (디제너레이션)이득 안정, 선형성 개선, 대역폭 증가, 입력 임피던스 증가이득 감소, 출력 스윙 감소, 저항의 열잡음(thermal noise)열잡음 thermal noise모든 저항이 온도 때문에 내는 피할 수 없는 잡음으로, 측정의 바닥을 정합니다.en=4kBTRe_n = \sqrt{4k_BTR}자세히 보기 → 추가
이미터 바이패스 커패시터이득 최대온도·개체차에 취약, 왜곡, 대역폭 저하, 저주파 차단(cutoff)
큰 RCR_C이득 증가출력 임피던스 증가 → 다음 단 로딩(loading)로딩 loading뒷단이 앞단에서 전류를 끌어가면서 신호가 줄어드는 현상으로, 고임피던스 신호원에서 특히 심합니다.자세히 보기 →, 대역폭 저하(밀러+부하 용량)
큰 ICI_Cgmg_m↑ 이득↑, 대역폭↑, 전압 잡음↓전력 소비, 전류 잡음↑, 발열
분압 저항을 작게바이어스 안정전류 소비 증가, 입력 임피던스 감소(신호원 로딩)
분압 저항을 크게입력 임피던스 유지, 저전력베이스 전류 영향으로 바이어스 불안정, 열잡음 증가

⚠️ 분압 바이어스의 저항은 신호원 입장에서 병렬 부하입니다. 고임피던스 신호원을 받을 때는 이 저항이 신호를 감쇠시킵니다. 이것이 이미터 공통(common emitter) 증폭기를 고임피던스 신호원의 첫 단으로 쓰기 어려운 이유이고, 06 소스 팔로워나 FET 입력이 필요한 이유입니다.


🔌 실제 쓰임새

용도비고
소신호 전압 증폭요즘은 대부분 OP앰프로 대체
고주파 증폭OP앰프의 GBW로 부족한 대역 (RF, 광통신)
저잡음 프리앰프개별 트랜지스터(transistor)가 OP앰프보다 낮은 잡음 가능
차동쌍계측 증폭기(instrumentation amplifier)계측 증폭기 instrumentation amplifier두 입력 모두 임피던스가 높으면서 차동만 증폭하는 구조로, 전극 측정의 표준 첫 단입니다.자세히 보기 →·OP앰프의 입력단
전류-전압 변환
레벨 시프트

💡 왜 아직도 개별 트랜지스터를 쓰는가: 극한의 저잡음(< 1 nV/√Hz), 극한의 고주파(GHz), 또는 집적 회로 안에서(액티브 어레이의 픽셀!) 필요할 때입니다. 보드 레벨의 일반적인 증폭은 OP앰프가 압도적으로 편리합니다.


⚠️ 이상과 실제의 차이

이상실제
이득이 −RC/RE-R_C/R_Erer_e와 얼리 효과(ror_o)로 약간 다름
대역폭 무한밀러 효과로 크게 제한 (04)
선형큰 신호에서 왜곡(지수 특성)
동작점 고정온도 드리프트
잡음 없음트랜지스터 잡음 + 저항 열잡음

연습문제

문제 1. RC=4.7 kΩR_C = 4.7\ \text{k}\Omega, RE=470 ΩR_E = 470\ \Omega(바이패스 없음). 이득은?

연습 6-03-1 — 이미터 저항이 이득을 고정합니다 회로도R1100kΩRC4.7kΩCIN10µFVCC12VR215kΩRE470Ω이미터 저항 — 이득을 정합니다VIN10mVQ12N3904VPBSRCCEGND
연습 6-03-1 — 이미터 저항이 이득을 고정합니다워크벤치에서 열기 →
풀이

ICI_C를 1 mA로 가정하면 re=26 Ωr_e = 26\ \Omega:

Av=−470026+470=−9.5A_v = -\frac{4700}{26+470} = -9.5
기호
A_v전압 이득voltage gain

RE≫reR_E \gg r_e 근사로는 −4700/470=−10-4700/470 = -10. 오차 5%로 잘 맞습니다.

문제 2. 위 회로에서 온도가 올라 rer_e가 30 Ω이 되면 이득 변화는?

exercises/06-03-gain-drift.yaml
풀이 Av=−470030+470=−9.4A_v = -\frac{4700}{30+470} = -9.4
기호
A_v전압 이득voltage gain

1% 변화. 이미터 저항 덕분에 매우 안정적입니다.

만약 바이패스했다면? −4700/26=−181-4700/26 = -181에서 −4700/30=−157-4700/30 = -157로 13% 변화합니다.

이것이 디제너레이션의 가치입니다.

문제 3. 이 증폭기의 입력 임피던스는? (β=150, R1=100R_1 = 100 k, R2=22R_2 = 22 k, RE=1.5R_E = 1.5 k, 바이패스 없음)

exercises/06-03-input-impedance.yaml
풀이

트랜지스터 베이스에서 본 저항:

rin(base)=β(re+RE)=150×(26+1500)≈229 kΩr_{in(base)} = \beta(r_e + R_E) = 150 \times (26+1500) \approx 229\ \text{k}\Omega
기호
beta전류 이득 (BJT)current gain
r_in(base)저항 (소신호) (in(base))small-signal resistance (in(base))Ω
r_e이미터 내부 저항intrinsic emitter resistanceΩ
R_E이미터 저항emitter resistanceΩ

전체 입력 임피던스 (분압 저항과 병렬):

Zin=R1∥R2∥rin(base)=100k∥22k∥229kZ_{in} = R_1 \parallel R_2 \parallel r_{in(base)} = 100\text{k} \parallel 22\text{k} \parallel 229\text{k}
기호
r_in(base)저항 (소신호) (in(base))small-signal resistance (in(base))Ω
R_11번 저항resistance 1Ω
R_22번 저항resistance 2Ω
Z_in입력 임피던스input impedanceΩ
100k∥22k=18 kΩ100\text{k}\parallel22\text{k} = 18\ \text{k}\Omega 18k∥229k≈16.7 kΩ18\text{k}\parallel229\text{k} \approx 16.7\ \text{k}\Omega

약 17 kΩ.

분압 저항이 입력 임피던스를 지배합니다. 트랜지스터 자체는 229 kΩ인데 바이어스 저항 때문에 17 kΩ으로 떨어졌습니다.

전극(1 MΩ) 신호를 받으면? 분압으로 17/(1000+17)=1.7%17/(1000+17) = 1.7\%만 전달됩니다 — 사실상 신호가 사라집니다.

이것이 고임피던스 신호원에 이미터 공통 증폭기를 쓸 수 없는 이유이고, 소스 팔로워(FET)소스 팔로워 source follower전압 이득이 1인데도 쓰는 이유는 높은 임피던스를 낮은 임피던스로 바꿔 주기 때문입니다.자세히 보기 → 가 필요한 이유입니다 → 06


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