저잡음 전원

한 줄 요약 — 측정 시스템의 잡음 바닥은 전원이 정합니다. 계층적으로 방어하고, 각 층이 다른 주파수를 담당합니다.


설계 요구

항목목표
AFE 전원 잡음< 5 µVrms (10 Hz~100 kHz)
기준전압 잡음< 3 µVrms
출력 임피던스< 0.1 Ω (관심 대역)
효율배터리 수명 고려

계층적 구조

입력 12 V보호: 퓨즈 · 역전압 · TVS안전벌크 100 µF저주파 에너지 저장벅 컨버터 → 5 V효율 — 하지만 여기서 노이즈가 생긴다π 필터: C-L-C + 댐핑100 kHz ~ 10 MHz 담당초저잡음 LDO → 3.3 VDC ~ 100 kHz 담당10 Ω + 10 µF (블록별)블록 간 격리100 nF, IC 핀 옆1 MHz 이상 · 순간 전류AFE

💡 단계마다 담당 주파수가 다릅니다. 벅이 만든 잡음을 π 필터가 고주파에서 깎고, LDO가 저주파에서 눌러 주고, 마지막 100 nF가 IC 바로 옆에서 순간 전류를 댑니다. 하나로는 전 대역을 못 덮습니다.

각 층이 다른 주파수 대역을 담당합니다. 한 가지로 전 대역을 커버할 수 없습니다.


단계별 설계

1. 벅 컨버터 (효율)

항목선택근거
스위칭 주파수고정 500 kHz~1 MHz필터 부담↓, 예측 가능
스프레드 스펙트럼끄기노이즈가 광대역으로 퍼지면 제거 불가 (8-03)
인덕터차폐형자기장 누설 방지
레이아웃핫 루프 최소방사 EMI의 지배 요인
배치AFE에서 최대한 멀리유도 결합

2. π 필터 (고주파 담당)

f0=12πLC≤fsw10f_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}} \leq \frac{f_{sw}}{10}
기호
C정전용량capacitanceF
f_sw스위칭 주파수switching frequencyHz
f_0공진 주파수resonant frequencyHz
L인덕턴스inductanceH

예: fswf_{sw} = 500 kHz → f0≤50f_0 \leq 50 kHz LL = 1 µH, CC = 10 µF → f0f_0 = 50.3 kHz ✅

⚠️ 반드시 댐핑이 필요합니다 (4-05):

Q=1RLC=10.0110−610−5=31.6Q = \frac{1}{R}\sqrt{\frac{L}{C}} = \frac{1}{0.01}\sqrt{\frac{10^{-6}}{10^{-5}}} = 31.6
기호
C정전용량capacitanceF
L인덕턴스inductanceH
Q전하 / 품질 계수charge / quality factor
R저항resistanceΩ

Q = 31.6 → 공진에서 +30 dB — 필터가 노이즈를 30배 키웁니다!

RC 병렬 댐핑:

Cd=4C=47 μF,Rd=LC=0.32 Ω→0.33 ΩC_d = 4C = 47\ \mu\text{F}, \qquad R_d = \sqrt{\frac{L}{C}} = 0.32\ \Omega \rightarrow 0.33\ \Omega
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
C정전용량capacitanceF
C_d드레인 정전용량drain capacitanceF
L인덕턴스inductanceH
R_d드레인 저항drain resistanceΩ

DC 손실 없이 Q를 1 근처로 낮춥니다 ✅

3. 초저잡음 LDO (저주파 담당)

품번잡음PSRR @ 1 MHz비고
LT30420.8 µVrms79 dB전류원 기반, 최고급
LT30450.8 µVrms76 dB500 mA
ADM71501.7 µVrms60 dB
TPS7A47004.2 µVrms54 dB
일반 LDO50~200 µVrms30 dB❌

필수: NR/BYP 핀에 커패시터 (없으면 잡음 10배)

4. 블록별 RC 격리

fc=12πRC=12π×10×10×10−6=1.6 kHzf_c = \frac{1}{2\pi RC} = \frac{1}{2\pi\times10\times10\times10^{-6}} = 1.6\ \text{kHz}
기호
C정전용량capacitanceF
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz
R저항resistanceΩ

전압 강하: 5 mA 소비 시 50 mV — 허용 가능

💡 저항 하나로 수십 dB의 노이즈 감소를 얻습니다. 가장 비용 효율적인 방법입니다 (8-04).

⚠️ 페라이트 비드(ferrite bead)로 대체하면 DC 강하는 없지만 LC 공진(resonance)공진 resonance인덕터와 커패시터의 임피던스가 서로 상쇄되는 주파수로, 그 자리에서 전압이나 전류가 크게 솟습니다.f0=12πLCf_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}자세히 보기 → 위험이 생깁니다. 뒤 커패시터(capacitor)와의 공진을 확인하세요.


★ 잡음 계산 — 전체 예산

가정: 벅 리플(ripple)리플 ripple직류가 되다 만 나머지 교류분으로, 평활 커패시터가 얼마나 큰지로 정해집니다.Vr=If CV_r = \frac{I}{f\,C}자세히 보기 → 30 mVpp @ 500 kHz

단계감쇠남는 잡음
벅 출력—30 mVpp ≈ 10.6 mVrms
π 필터 (500 kHz에서 −40 dB)100배106 µVrms
LT3042 (PSRR 79 dB @ 500 kHz 근처 ~70 dB)3162배0.034 µVrms
LDO 자체 잡음—0.8 µVrms
RC 격리 (500 kHz에서 −50 dB)—(이미 작음)
합계 (RSS)~0.8 µVrms ✅

LDO 자체 잡음이 지배합니다 — 이상적인 상태입니다. 목표 5 µVrms를 크게 만족합니다.

π 필터가 없다면? LDO 입력에 10.6 mVrms가 그대로 들어와, PSRR 70 dB로 3.4 µVrms가 남습니다. 여전히 목표 안이지만 여유가 크게 줄어듭니다.


기준전압 — 별도 관리

ADC 기준전압(voltage reference)은 시스템 정확도의 상한입니다 (8-06).

LDO 3.3 V10 Ω + 10 µFREF IC 입력 격리 — 앞단 잡음 차단REF3025 (기준전압 IC)10 Ω + 10 µFREF IC 자체 잡음도 한 번 더 깎는다ADC 샘플링 전류가 크면 버퍼를 추가ADC REF

RC 필터가 REF IC 앞뒤로 하나씩 붙는 것이 요점입니다. 앞의 것은 LDO 잡음을 막고, 뒤의 것은 REF IC 자신의 잡음을 깎습니다.

항목요구
초기 정확도±0.05~0.1%
온도 드리프트< 10 ppm/°C
잡음 (0.1~10 Hz)< 3 µVpp
배치발열 부품에서 멀리, 온도 안정
배선켈빈 연결 (force/sense 분리)

계산 — 16비트에서

LSB = 2.5/65536=38 μ2.5/65536 = 38\ \muV

기준전압 잡음이 3 µVrms면 피크 9 µV — LSB의 24%. 허용 가능합니다.

일반 LDO(50 µVrms)를 기준으로 쓰면 피크 150 µV = LSB의 4배 → 실효 분해능이 14비트로 떨어집니다.


⚖️ 전원 선택 트레이드오프

방식잡음효율크기적합
배터리 + LDO최저—중간최고 정밀, 이식형
리니어 (변압기)낮음낮음큼실험실
벅 + π + 초저잡음 LDO낮음높음작음실용적 최선
벅 + 일반 LDO중간높음작음디지털용
벅 직접높음최고최소❌ AFE 불가

세부 트레이드오프

선택✅⚠️
초저잡음 LDO잡음 1 µVrms비쌈(수천 원), 전류 제한, 드롭아웃
π 필터고주파 −40 dB공진 위험(댐핑 필수), 인덕터 자기장
RC 격리저렴, 확실전압 강하, 전류 클수록 불리
페라이트 비드DC 강하 없음LC 공진, DC 전류로 특성 저하
블록별 LDO완전 격리부품·면적·비용
레일 공유저렴블록 간 결합

레이아웃 규칙

규칙이유
벅의 핫 루프를 최소로방사 EMI의 지배 요인 (8-03)
차폐형 인덕터자기장 누설
AFE와 물리적 거리유도 결합 (1/r31/r^3)
전력 접지와 아날로그 접지를 한 점에서공통 임피던스 결합 방지 (12-03)
LDO 출력 커패시터를 IC 옆에안정성
기준전압 IC를 온도 안정 위치에드리프트
스위칭 노드 아래 플레인 유지리턴 경로

시뮬레이션으로 확인

댐핑된 π 필터 (전원 노이즈 제거) 회로도L11µHRD330mΩ댐핑 저항VN1V벅 리플C110µFC210µFCD47µF댐핑 커패시터RL33Ω100mA 부하INOUTDAMPGND
댐핑된 π 필터 (전원 노이즈 제거)워크벤치에서 열기 →
# examples/16-case-studies/lc-filter-damped.yaml
meta:
  name: 댐핑된 π 필터 (전원 노이즈 제거)
  lesson: docs/16-case-studies/03-low-noise-power.md
  note: RD/CD를 제거하면 50kHz에서 노이즈가 30dB 증폭되는 것을 확인
components:
  - {ref: VN,  type: vac, value: 1, label: 벅 리플}
  - {ref: C1,  type: c, value: 10u, params: {esr: 0.005}}
  - {ref: L1,  type: l, value: 1u,  params: {dcr: 0.05}}
  - {ref: C2,  type: c, value: 10u, params: {esr: 0.005}}
  - {ref: RD,  type: r, value: 0.33, label: 댐핑 저항}
  - {ref: CD,  type: c, value: 47u,  label: 댐핑 커패시터}
  - {ref: RL,  type: r, value: 33,   label: 100mA 부하}
nets:
  IN:   [VN.p, C1.1, L1.1]
  OUT:  [L1.2, C2.1, RD.1, RL.1]
  DAMP: [RD.2, CD.1]
  GND:  [VN.n, C1.2, C2.2, CD.2, RL.2]
analyses:
  - {type: ac, sweep: dec, points: 100, fstart: 1k, fstop: 10MEG}
expect:
  - {measure: gain_db, node: OUT, at: 50k,  analysis: ac, max: 3}
  - {measure: gain_db, node: OUT, at: 500k, analysis: ac, max: -35}

댐핑 없이: 50 kHz에서 +30 dB (노이즈 30배 증폭) ❌ 댐핑 있이: 50 kHz에서 +2 dB 이하 ✅


검증 방법

항목방법
전원 잡음오실로스코프 AC 커플링 + 20 MHz BW 제한 + 스프링 접지
정밀 측정저잡음 프리앰프 + FFT (또는 스펙트럼 애널라이저)
스위칭 주파수 성분FFT에서 fswf_{sw}와 고조파 확인
AFE 영향전원을 배터리로 바꿔 잡음 플로어 비교 ← 가장 확실한 진단
부하 과도응답전자 부하로 스텝 부하, 출력 전압 관찰
PSRR 실측입력에 사인파 주입, 출력에서 크기 측정

💡 “배터리로 바꿨을 때 잡음이 줄어드는가?” 가 전원 문제인지 아닌지를 판별하는 결정적 시험입니다.


🔌 실제 쓰임새 — 어느 시스템에 어느 전원 구조가 필요한가

전원 구조는 신호 크기와 목표 잡음 플로어(noise floor)잡음 플로어 noise floor신호가 없을 때 남아 있는 잡음의 크기로, 이보다 작은 신호는 아무리 증폭해도 안 보입니다.자세히 보기 →가 결정합니다. 과하게 만들면 비용·부피·발열이 낭비되고, 부족하면 앞단에서 아무리 잘 만들어도 성능이 나오지 않습니다.

시스템신호 크기필요한 전원 구조근거
MCU + 온도 센서 (12비트)수십 mVLDO 하나 + 디커플링LSB가 mV급이라 전원 잡음이 묻힘
오디오 프리앰프mVLDO + LC 필터, 아날로그·디지털 레일 분리가청대역 잡음이 그대로 들림
스트레인 게이지 / 로드셀µV~mV저잡음 LDO + 기준전압 별도, 비율계측(ratiometric)여기(excitation) 전압의 드리프트가 곧 측정 오차
생체전위 (ECoG·EEG·EMG)µV벅 → LDO 2단 + 페라이트 + 레일 완전 분리, 배터리 SHOULD목표 잡음 밀도(noise density)잡음 밀도 noise density1 Hz 폭당 잡음의 크기로, 여기에 √대역폭을 곱해야 실제 잡음 전압이 됩니다.vn=enΔfv_n = e_n\sqrt{\Delta f}자세히 보기 →가 수십 nV/√Hz — 16-01
포토다이오드 TIA (저광량)pA~nA저잡음 LDO + 바이어스 전압 전용 필터바이어스 잡음이 접합 용량을 통해 입력으로
모터·액추에이터 동반 시스템—측정계와 전원 완전 분리스위칭 노이즈 결합(coupling) — 16-05

판단 기준

#단계결과
1목표 입력 환산 잡음을 정한다→ reference/noise-budget.md
2총 이득을 곱해 출력 환산으로 바꾼다출력에서 허용되는 잡음
3그 값을 소자의 PSRR로 나눈다허용 전원 잡음
4후보 전원의 데이터시트 잡음과 비교통과 / 탈락

예: 입력 환산 목표 1 µV rms, 총 이득 1000 → 출력 1 mV rms. OP앰프 PSRR이 1 kHz에서 60 dB(1000배)라면 허용 전원 잡음은 1 mV rms. 일반 벅 컨버터의 리플(수십 mV)은 탈락, LDO(수십 µV)는 통과입니다.

⚠️ PSRR은 주파수가 올라가면 급락합니다. 100 kHz에서 20 dB(10배)밖에 안 되는 소자가 흔합니다. 스위칭 주파수가 그 대역에 있으면 LDO를 써도 소용없으므로, LC 필터로 먼저 깎아야 합니다.


⚠️ 이상과 실제의 차이

이상실제
LDO가 모든 잡음 제거고주파에서 PSRR 급락
LC 필터가 잡음 감소공진에서 증폭 — 댐핑 필수
레일 분리 = 격리접지·기생 용량(parasitic capacitance)기생 용량 parasitic capacitance부품·배선·케이블이 원치 않게 갖는 커패시턴스로, 고임피던스 신호원에서 대역폭을 가장 먼저 잡아먹습니다.자세히 보기 →으로 결합
데이터시트 잡음값부하·온도·레이아웃에 의존
전원은 부수적시스템 성능의 하한

연습문제

문제 1. LL = 2.2 µH, CC = 22 µF 필터의 공진 주파수와 Q(ESR 5 mΩ)는? 댐핑 설계는?

exercises/16-03-lc-damping.yaml
풀이 f0=12π2.2×10−6×22×10−6≈22.9 kHzf_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{2.2\times10^{-6}\times22\times10^{-6}}} \approx 22.9\ \text{kHz}
기호
f_0공진 주파수resonant frequencyHz
Q=10.0052.2×10−622×10−6=200×0.316=63Q = \frac{1}{0.005}\sqrt{\frac{2.2\times10^{-6}}{22\times10^{-6}}} = 200\times0.316 = 63
기호
Q전하 / 품질 계수charge / quality factor

Q = 63 → 공진에서 +36 dB. 매우 위험합니다.

RC 댐핑:

Cd=4C=88 μF→100 μFC_d = 4C = 88\ \mu\text{F} \rightarrow 100\ \mu\text{F}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
C정전용량capacitanceF
C_d드레인 정전용량drain capacitanceF
Rd=L/C=0.316 Ω→0.33 ΩR_d = \sqrt{L/C} = 0.316\ \Omega \rightarrow 0.33\ \Omega
기호
C정전용량capacitanceF
L인덕턴스inductanceH
R_d드레인 저항drain resistanceΩ

Q가 1 근처로 떨어집니다.

문제 2. AFE 잡음이 예상보다 큽니다. 전원 문제인지 어떻게 확인합니까?

exercises/16-03-supply-culprit.yaml
풀이

결정적 시험: 배터리로 바꿔봅니다.

  1. AFE 전원만 배터리(예: 리튬 셀 + 저잡음 LDO)로 교체
  2. 잡음 플로어를 다시 측정
  3. 잡음이 줄면 전원 문제, 그대로면 다른 원인(전극(electrode), 증폭기, 간섭(interference))

추가 진단:

시험확인
FFT에서 스위칭 주파수 성분벅 리플이 침투했는가
전원 잡음 직접 측정얼마나 큰가
LDO NR 커패시터 확인빠뜨리지 않았는가
디커플링 배치 확인IC 핀 옆에 있는가
접지 리턴 경로 추적디지털 전류가 아날로그 접지를 지나는가
벅을 끄고 배터리 직결스위칭이 원인인지

주의: 오실로스코프(oscilloscope)로 전원 잡음을 측정할 때 프로브(probe) 접지 리드가 노이즈를 픽업합니다. 스프링 접지를 쓰고 20 MHz 대역 제한을 켜세요 (14-02).


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