저잡음 전원
한 줄 요약 — 측정 시스템의 잡음 바닥은 전원이 정합니다. 계층적으로 방어하고, 각 층이 다른 주파수를 담당합니다.
설계 요구
| 항목 | 목표 |
|---|---|
| AFE 전원 잡음 | < 5 µVrms (10 Hz~100 kHz) |
| 기준전압 잡음 | < 3 µVrms |
| 출력 임피던스 | < 0.1 Ω (관심 대역) |
| 효율 | 배터리 수명 고려 |
계층적 구조
💡 단계마다 담당 주파수가 다릅니다. 벅이 만든 잡음을 π 필터가 고주파에서 깎고, LDO가 저주파에서 눌러 주고, 마지막 100 nF가 IC 바로 옆에서 순간 전류를 댑니다. 하나로는 전 대역을 못 덮습니다.
각 층이 다른 주파수 대역을 담당합니다. 한 가지로 전 대역을 커버할 수 없습니다.
단계별 설계
1. 벅 컨버터 (효율)
| 항목 | 선택 | 근거 |
|---|---|---|
| 스위칭 주파수 | 고정 500 kHz~1 MHz | 필터 부담↓, 예측 가능 |
| 스프레드 스펙트럼 | 끄기 | 노이즈가 광대역으로 퍼지면 제거 불가 (8-03) |
| 인덕터 | 차폐형 | 자기장 누설 방지 |
| 레이아웃 | 핫 루프 최소 | 방사 EMI의 지배 요인 |
| 배치 | AFE에서 최대한 멀리 | 유도 결합 |
2. π 필터 (고주파 담당)
C정전용량capacitanceFf_sw스위칭 주파수switching frequencyHzf_0공진 주파수resonant frequencyHzL인덕턴스inductanceH예: = 500 kHz → kHz = 1 µH, = 10 µF → = 50.3 kHz ✅
⚠️ 반드시 댐핑이 필요합니다 (4-05):
C정전용량capacitanceFL인덕턴스inductanceHQ전하 / 품질 계수charge / quality factorR저항resistanceΩQ = 31.6 → 공진에서 +30 dB — 필터가 노이즈를 30배 키웁니다!
RC 병렬 댐핑:
mu이동도mobilitym²/V·sC정전용량capacitanceFC_d드레인 정전용량drain capacitanceFL인덕턴스inductanceHR_d드레인 저항drain resistanceΩDC 손실 없이 Q를 1 근처로 낮춥니다 ✅
3. 초저잡음 LDO (저주파 담당)
| 품번 | 잡음 | PSRR @ 1 MHz | 비고 |
|---|---|---|---|
| LT3042 | 0.8 µVrms | 79 dB | 전류원 기반, 최고급 |
| LT3045 | 0.8 µVrms | 76 dB | 500 mA |
| ADM7150 | 1.7 µVrms | 60 dB | |
| TPS7A4700 | 4.2 µVrms | 54 dB | |
| 일반 LDO | 50~200 µVrms | 30 dB | ❌ |
필수: NR/BYP 핀에 커패시터 (없으면 잡음 10배)
4. 블록별 RC 격리
C정전용량capacitanceFf_c차단 주파수cutoff frequencyHzR저항resistanceΩ전압 강하: 5 mA 소비 시 50 mV — 허용 가능
💡 저항 하나로 수십 dB의 노이즈 감소를 얻습니다. 가장 비용 효율적인 방법입니다 (8-04).
⚠️ 페라이트 비드(ferrite bead)로 대체하면 DC 강하는 없지만 LC 공진(resonance)공진 resonance인덕터와 커패시터의 임피던스가 서로 상쇄되는 주파수로, 그 자리에서 전압이나 전류가 크게 솟습니다.자세히 보기 → 위험이 생깁니다. 뒤 커패시터(capacitor)와의 공진을 확인하세요.
★ 잡음 계산 — 전체 예산
가정: 벅 리플(ripple)리플 ripple직류가 되다 만 나머지 교류분으로, 평활 커패시터가 얼마나 큰지로 정해집니다.자세히 보기 → 30 mVpp @ 500 kHz
| 단계 | 감쇠 | 남는 잡음 |
|---|---|---|
| 벅 출력 | — | 30 mVpp ≈ 10.6 mVrms |
| π 필터 (500 kHz에서 −40 dB) | 100배 | 106 µVrms |
| LT3042 (PSRR 79 dB @ 500 kHz 근처 ~70 dB) | 3162배 | 0.034 µVrms |
| LDO 자체 잡음 | — | 0.8 µVrms |
| RC 격리 (500 kHz에서 −50 dB) | — | (이미 작음) |
| 합계 (RSS) | ~0.8 µVrms ✅ |
LDO 자체 잡음이 지배합니다 — 이상적인 상태입니다. 목표 5 µVrms를 크게 만족합니다.
π 필터가 없다면? LDO 입력에 10.6 mVrms가 그대로 들어와, PSRR 70 dB로 3.4 µVrms가 남습니다. 여전히 목표 안이지만 여유가 크게 줄어듭니다.
기준전압 — 별도 관리
ADC 기준전압(voltage reference)은 시스템 정확도의 상한입니다 (8-06).
RC 필터가 REF IC 앞뒤로 하나씩 붙는 것이 요점입니다. 앞의 것은 LDO 잡음을 막고, 뒤의 것은 REF IC 자신의 잡음을 깎습니다.
| 항목 | 요구 |
|---|---|
| 초기 정확도 | ±0.05~0.1% |
| 온도 드리프트 | < 10 ppm/°C |
| 잡음 (0.1~10 Hz) | < 3 µVpp |
| 배치 | 발열 부품에서 멀리, 온도 안정 |
| 배선 | 켈빈 연결 (force/sense 분리) |
계산 — 16비트에서
LSB = V
기준전압 잡음이 3 µVrms면 피크 9 µV — LSB의 24%. 허용 가능합니다.
일반 LDO(50 µVrms)를 기준으로 쓰면 피크 150 µV = LSB의 4배 → 실효 분해능이 14비트로 떨어집니다.
⚖️ 전원 선택 트레이드오프
| 방식 | 잡음 | 효율 | 크기 | 적합 |
|---|---|---|---|---|
| 배터리 + LDO | 최저 | — | 중간 | 최고 정밀, 이식형 |
| 리니어 (변압기) | 낮음 | 낮음 | 큼 | 실험실 |
| 벅 + π + 초저잡음 LDO | 낮음 | 높음 | 작음 | 실용적 최선 |
| 벅 + 일반 LDO | 중간 | 높음 | 작음 | 디지털용 |
| 벅 직접 | 높음 | 최고 | 최소 | ❌ AFE 불가 |
세부 트레이드오프
| 선택 | ✅ | ⚠️ |
|---|---|---|
| 초저잡음 LDO | 잡음 1 µVrms | 비쌈(수천 원), 전류 제한, 드롭아웃 |
| π 필터 | 고주파 −40 dB | 공진 위험(댐핑 필수), 인덕터 자기장 |
| RC 격리 | 저렴, 확실 | 전압 강하, 전류 클수록 불리 |
| 페라이트 비드 | DC 강하 없음 | LC 공진, DC 전류로 특성 저하 |
| 블록별 LDO | 완전 격리 | 부품·면적·비용 |
| 레일 공유 | 저렴 | 블록 간 결합 |
레이아웃 규칙
| 규칙 | 이유 |
|---|---|
| 벅의 핫 루프를 최소로 | 방사 EMI의 지배 요인 (8-03) |
| 차폐형 인덕터 | 자기장 누설 |
| AFE와 물리적 거리 | 유도 결합 () |
| 전력 접지와 아날로그 접지를 한 점에서 | 공통 임피던스 결합 방지 (12-03) |
| LDO 출력 커패시터를 IC 옆에 | 안정성 |
| 기준전압 IC를 온도 안정 위치에 | 드리프트 |
| 스위칭 노드 아래 플레인 유지 | 리턴 경로 |
시뮬레이션으로 확인
# examples/16-case-studies/lc-filter-damped.yaml
meta:
name: 댐핑된 π 필터 (전원 노이즈 제거)
lesson: docs/16-case-studies/03-low-noise-power.md
note: RD/CD를 제거하면 50kHz에서 노이즈가 30dB 증폭되는 것을 확인
components:
- {ref: VN, type: vac, value: 1, label: 벅 리플}
- {ref: C1, type: c, value: 10u, params: {esr: 0.005}}
- {ref: L1, type: l, value: 1u, params: {dcr: 0.05}}
- {ref: C2, type: c, value: 10u, params: {esr: 0.005}}
- {ref: RD, type: r, value: 0.33, label: 댐핑 저항}
- {ref: CD, type: c, value: 47u, label: 댐핑 커패시터}
- {ref: RL, type: r, value: 33, label: 100mA 부하}
nets:
IN: [VN.p, C1.1, L1.1]
OUT: [L1.2, C2.1, RD.1, RL.1]
DAMP: [RD.2, CD.1]
GND: [VN.n, C1.2, C2.2, CD.2, RL.2]
analyses:
- {type: ac, sweep: dec, points: 100, fstart: 1k, fstop: 10MEG}
expect:
- {measure: gain_db, node: OUT, at: 50k, analysis: ac, max: 3}
- {measure: gain_db, node: OUT, at: 500k, analysis: ac, max: -35}댐핑 없이: 50 kHz에서 +30 dB (노이즈 30배 증폭) ❌ 댐핑 있이: 50 kHz에서 +2 dB 이하 ✅
검증 방법
| 항목 | 방법 |
|---|---|
| 전원 잡음 | 오실로스코프 AC 커플링 + 20 MHz BW 제한 + 스프링 접지 |
| 정밀 측정 | 저잡음 프리앰프 + FFT (또는 스펙트럼 애널라이저) |
| 스위칭 주파수 성분 | FFT에서 와 고조파 확인 |
| AFE 영향 | 전원을 배터리로 바꿔 잡음 플로어 비교 ← 가장 확실한 진단 |
| 부하 과도응답 | 전자 부하로 스텝 부하, 출력 전압 관찰 |
| PSRR 실측 | 입력에 사인파 주입, 출력에서 크기 측정 |
💡 “배터리로 바꿨을 때 잡음이 줄어드는가?” 가 전원 문제인지 아닌지를 판별하는 결정적 시험입니다.
🔌 실제 쓰임새 — 어느 시스템에 어느 전원 구조가 필요한가
전원 구조는 신호 크기와 목표 잡음 플로어(noise floor)잡음 플로어 noise floor신호가 없을 때 남아 있는 잡음의 크기로, 이보다 작은 신호는 아무리 증폭해도 안 보입니다.자세히 보기 →가 결정합니다. 과하게 만들면 비용·부피·발열이 낭비되고, 부족하면 앞단에서 아무리 잘 만들어도 성능이 나오지 않습니다.
| 시스템 | 신호 크기 | 필요한 전원 구조 | 근거 |
|---|---|---|---|
| MCU + 온도 센서 (12비트) | 수십 mV | LDO 하나 + 디커플링 | LSB가 mV급이라 전원 잡음이 묻힘 |
| 오디오 프리앰프 | mV | LDO + LC 필터, 아날로그·디지털 레일 분리 | 가청대역 잡음이 그대로 들림 |
| 스트레인 게이지 / 로드셀 | µV~mV | 저잡음 LDO + 기준전압 별도, 비율계측(ratiometric) | 여기(excitation) 전압의 드리프트가 곧 측정 오차 |
| 생체전위 (ECoG·EEG·EMG) | µV | 벅 → LDO 2단 + 페라이트 + 레일 완전 분리, 배터리 SHOULD | 목표 잡음 밀도(noise density)잡음 밀도 noise density1 Hz 폭당 잡음의 크기로, 여기에 √대역폭을 곱해야 실제 잡음 전압이 됩니다.자세히 보기 →가 수십 nV/√Hz — 16-01 |
| 포토다이오드 TIA (저광량) | pA~nA | 저잡음 LDO + 바이어스 전압 전용 필터 | 바이어스 잡음이 접합 용량을 통해 입력으로 |
| 모터·액추에이터 동반 시스템 | — | 측정계와 전원 완전 분리 | 스위칭 노이즈 결합(coupling) — 16-05 |
판단 기준
| # | 단계 | 결과 |
|---|---|---|
| 1 | 목표 입력 환산 잡음을 정한다 | → reference/noise-budget.md |
| 2 | 총 이득을 곱해 출력 환산으로 바꾼다 | 출력에서 허용되는 잡음 |
| 3 | 그 값을 소자의 PSRR로 나눈다 | 허용 전원 잡음 |
| 4 | 후보 전원의 데이터시트 잡음과 비교 | 통과 / 탈락 |
예: 입력 환산 목표 1 µV rms, 총 이득 1000 → 출력 1 mV rms. OP앰프 PSRR이 1 kHz에서 60 dB(1000배)라면 허용 전원 잡음은 1 mV rms. 일반 벅 컨버터의 리플(수십 mV)은 탈락, LDO(수십 µV)는 통과입니다.
⚠️ PSRR은 주파수가 올라가면 급락합니다. 100 kHz에서 20 dB(10배)밖에 안 되는 소자가 흔합니다. 스위칭 주파수가 그 대역에 있으면 LDO를 써도 소용없으므로, LC 필터로 먼저 깎아야 합니다.
⚠️ 이상과 실제의 차이
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| LDO가 모든 잡음 제거 | 고주파에서 PSRR 급락 |
| LC 필터가 잡음 감소 | 공진에서 증폭 — 댐핑 필수 |
| 레일 분리 = 격리 | 접지·기생 용량(parasitic capacitance)기생 용량 parasitic capacitance부품·배선·케이블이 원치 않게 갖는 커패시턴스로, 고임피던스 신호원에서 대역폭을 가장 먼저 잡아먹습니다.자세히 보기 →으로 결합 |
| 데이터시트 잡음값 | 부하·온도·레이아웃에 의존 |
| 전원은 부수적 | 시스템 성능의 하한 |
연습문제
문제 1. = 2.2 µH, = 22 µF 필터의 공진 주파수와 Q(ESR 5 mΩ)는? 댐핑 설계는?
exercises/16-03-lc-damping.yaml풀이
f_0공진 주파수resonant frequencyHzQ전하 / 품질 계수charge / quality factorQ = 63 → 공진에서 +36 dB. 매우 위험합니다.
RC 댐핑:
mu이동도mobilitym²/V·sC정전용량capacitanceFC_d드레인 정전용량drain capacitanceFC정전용량capacitanceFL인덕턴스inductanceHR_d드레인 저항drain resistanceΩQ가 1 근처로 떨어집니다.
문제 2. AFE 잡음이 예상보다 큽니다. 전원 문제인지 어떻게 확인합니까?
exercises/16-03-supply-culprit.yaml풀이
결정적 시험: 배터리로 바꿔봅니다.
- AFE 전원만 배터리(예: 리튬 셀 + 저잡음 LDO)로 교체
- 잡음 플로어를 다시 측정
- 잡음이 줄면 전원 문제, 그대로면 다른 원인(전극(electrode), 증폭기, 간섭(interference))
추가 진단:
| 시험 | 확인 |
|---|---|
| FFT에서 스위칭 주파수 성분 | 벅 리플이 침투했는가 |
| 전원 잡음 직접 측정 | 얼마나 큰가 |
| LDO NR 커패시터 확인 | 빠뜨리지 않았는가 |
| 디커플링 배치 확인 | IC 핀 옆에 있는가 |
| 접지 리턴 경로 추적 | 디지털 전류가 아날로그 접지를 지나는가 |
| 벅을 끄고 배터리 직결 | 스위칭이 원인인지 |
주의: 오실로스코프(oscilloscope)로 전원 잡음을 측정할 때 프로브(probe) 접지 리드가 노이즈를 픽업합니다. 스프링 접지를 쓰고 20 MHz 대역 제한을 켜세요 (14-02).
이전 ← 02 아날로그 프론트엔드 3종 | 다음 → 04 MCU/DAQ 인터페이스