잡음 지수와 최적 소스 임피던스
한 줄 요약 — 소자를 고를 때 보는 것은 “잡음이 낮은가”가 아니라 “내 신호원에서 잡음이 낮은가” 입니다. 그 답은 에 있습니다.
12-02가 두 식을 결론만 주고 지나갔습니다.
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hzk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/KNF잡음 지수noise figuredBR_S,opt저항 (신호원, opt)resistance (source, opt)ΩR_S신호원 저항source resistanceΩT온도 또는 주기temperature or period그리고 16-00 방법론의 3단계 — 회로를 그릴지 말지를 정하는 그 판정 — 은 잡음 대역폭 계수 를 표에서 꺼내 씁니다.
이 문서는 그 셋을 전부 직접 구합니다. 그러고 나면 소자 선택이 취향이 아니라 계산이 됩니다.
소자의 잡음은 왜 두 개인가
열잡음열잡음 thermal noise모든 저항이 온도 때문에 내는 피할 수 없는 잡음으로, 측정의 바닥을 정합니다.자세히 보기 →은 저항 하나면 값이 정해집니다. 그런데 증폭기의 잡음은 데이터시트에 두 개로 적혀 있습니다.
| 기호 | 이름 | 단위 | 어디서 나오나 |
|---|---|---|---|
| 전압잡음 | nV/√Hz | 입력단 트랜지스터의 채널 잡음 | |
| 전류잡음 | fA/√Hz | 입력 바이어스 전류의 산탄 잡음 |
두 개인 이유는 소자가 신호원에 무엇을 하느냐가 두 가지이기 때문입니다. 전압을 재면서 잡음 전압을 얹고, 동시에 전류를 조금 끌어가면서 잡음 전류를 흘립니다. 그 전류가 신호원의 임피던스를 지나면 전압으로 바뀝니다.
이것이 핵심입니다. 은 그 자체로는 작지만 가 크면 커집니다. 그래서 “이 OP앰프는 잡음이 낮다”는 말은 를 말하지 않으면 뜻이 없습니다.
입력에서 본 전체 잡음
셋을 모읍니다 — 서로 무관하므로 제곱합의 제곱근입니다.
e_n,total잡음 전체 잡음 전압 밀도noise total noise voltage densityV/√Hze_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hzk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/KR_S신호원 저항source resistanceΩT온도 또는 주기temperature or periodd거리 또는 두께distance or thicknessme잡음 전압 밀도noise voltage densityV/√Hze_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzg컨덕턴스 (소신호)small-signal conductanceSi전류 (순시값)instantaneous currentAi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hzk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/Kn비트 수 또는 개수number of bits or countR_S신호원 저항source resistanceΩT온도 또는 주기temperature or period잡음 지수 — 소자가 얼마나 더했나
신호원의 열잡음은 어차피 있는 것입니다. 아무리 좋은 소자를 써도 못 없앱니다. 그래서 진짜 물어야 할 것은 “소자가 그 위에 얼마나 더 얹었나” 입니다.
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√HzF잡음 지수noise figurei_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hzk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/KR_S신호원 저항source resistanceΩT온도 또는 주기temperature or periode_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hzk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/KNF잡음 지수noise figuredBR_S신호원 저항source resistanceΩT온도 또는 주기temperature or period| NF | 뜻 |
|---|---|
| 0 dB | 소자가 아무것도 안 더함 — 이론적 한계 |
| 3 dB | 소자 잡음 = 신호원 잡음 |
| 10 dB | 소자가 신호원보다 훨씬 시끄러움 |
💡 NF가 낮다는 것은 “신호원 잡음이 지배한다”는 뜻입니다. 그 상태에서는 소자를 더 좋은 것으로 바꿔도 개선되지 않습니다. 개선하려면 신호원을 바꾸거나 대역을 좁혀야 합니다.
★ 최적 소스 임피던스 — 직접 최소화
를 최소로 만드는 를 찾습니다. 로그는 단조증가이므로 괄호 안만 최소화하면 됩니다.
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzg컨덕턴스 (소신호)small-signal conductanceSi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hzk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/KR_S신호원 저항source resistanceΩT온도 또는 주기temperature or period미분해서 0:
d거리 또는 두께distance or thicknessme_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzg컨덕턴스 (소신호)small-signal conductanceSi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hzk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/KR_S신호원 저항source resistanceΩT온도 또는 주기temperature or periode_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√HzR_S,opt저항 (신호원, opt)resistance (source, opt)ΩR_S신호원 저항source resistanceΩ정말 최소인지 (2계 도함수)
d거리 또는 두께distance or thicknessme_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzg컨덕턴스 (소신호)small-signal conductanceSk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/KR_S신호원 저항source resistanceΩT온도 또는 주기temperature or period양수이므로 극소입니다. 그리고 이나 에서 이므로 유일한 최소입니다.
이 지점에서 두 항이 정확히 같아집니다.
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√HzR_S,opt저항 (신호원, opt)resistance (source, opt)Ω전압잡음의 기여와 전류잡음의 기여가 맞먹는 곳이 최적점입니다. 외울 필요가 없는 이유가 이것입니다 — “둘이 같아지는 곳”이 곧 답입니다.
최소 잡음 지수도 바로 나옵니다.
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hzk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/KNF잡음 지수noise figuredBT온도 또는 주기temperature or period여기에는 가 없습니다. 소자가 낼 수 있는 최선은 곱 하나로 정해지고, 그것이 소자의 진짜 품질 지표입니다.
최적점에서 벗어나면 얼마나 나빠지나
로 두면
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hzi_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hzr저항 (소신호)small-signal resistanceΩR_S신호원 저항source resistanceΩ| 최적 대비 | ||
|---|---|---|
| 1 | 2.00 | — |
| 2 또는 1/2 | 2.50 | +0.97 dB |
| 3 또는 1/3 | 3.33 | +2.2 dB |
| 10 또는 1/10 | 10.1 | +7.0 dB |
2배쯤 벗어나는 것은 1 dB도 안 됩니다. 최적점을 정확히 맞추려고 애쓸 필요는 없고, 자릿수가 맞는지만 보면 됩니다. 이것이 실무에서 중요한 결론입니다.
소자 고르기가 계산이 되는 지점
| 지배 항 | 골라야 할 소자 | 왜 | |
|---|---|---|---|
| < 1 kΩ | 바이폴라 입력 | 이 작음 ( 은 커도 가 작음) | |
| 1 k ~ 100 kΩ | 신호원 열잡음 | 아무거나 (NF 낮음) | 소자를 바꿔도 개선 안 됨 |
| > 100 kΩ | JFET·CMOS 입력 | 이 작음 |
16-00 4단계의 소자 선택 규칙이 이 표이고, 이제 그 근거가 위 유도입니다.
예: 전극 MΩ 인데 이 0.9 nV/√Hz 인 저잡음 바이폴라 (AD797, pA/√Hz)를 쓰면
mu이동도mobilitym²/V·si_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√HzR_S신호원 저항source resistanceΩ의 2,200배입니다. “가장 잡음이 낮은 OP앰프”를 골랐는데 최악의 선택이 된 것입니다. 이니 당연합니다.
★ 잡음 대역폭 — 1.57은 어디서 나오나
지금까지 를 썼습니다. 그런데 에 무엇을 넣어야 할까요? 필터는 차단 주파수에서 뚝 끊기지 않고 완만하게 내려갑니다. 그 꼬리로 새는 잡음까지 세야 합니다.
정의: 같은 양의 잡음을 통과시키는 벽돌담 필터의 폭.
Delta f대역폭bandwidthHzd거리 또는 두께distance or thicknessmf주파수frequencyHzf_n잡음 주파수noise frequencyHz1차 저역통과 로 해 봅니다.
Delta f대역폭bandwidthHzd거리 또는 두께distance or thicknessmf주파수frequencyHzf_c차단 주파수cutoff frequencyHzf_n잡음 주파수noise frequencyHz로 치환하면 ,
Delta f대역폭bandwidthHzd거리 또는 두께distance or thicknessmf_c차단 주파수cutoff frequencyHzf_n잡음 주파수noise frequencyHzDelta f대역폭bandwidthHzf_c차단 주파수cutoff frequencyHzf_n잡음 주파수noise frequencyHz1.57이 나왔습니다. 였습니다.
| 차수 | 왜 줄어드나 | |
|---|---|---|
| 1차 | 꼬리가 길어 많이 샘 | |
| 2차 | 1.111 | 더 가파름 |
| 3차 | 1.047 | |
| 4차 | 1.026 | |
| ∞ (벽돌담) | 1.000 | 안 샘 |
차수를 높이면 잡음 대역폭이 에 수렴합니다. 안티에일리어싱 필터를 높은 차수로 만들면 에일리어싱뿐 아니라 잡음도 같이 줄어드는 이유입니다.
⚠️ 를 그대로 에 넣으면 1차에서 57%를 과소평가합니다. 잡음 전압으로는 배, 약 2 dB 입니다. 노이즈 예산이 아슬아슬할 때 이것 때문에 판정이 뒤집힙니다.
계산 예제
예제 1 — 전극 앞단 소자 선택
kΩ (전극), 대역 1 Hz ~ 1 kHz (1차 LPF), 목표 SNR 20 dB, 신호 50 µV rms.
① 신호원 열잡음
e_n,S잡음 신호원 잡음 전압 밀도noise source noise voltage densityV/√Hzk_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/KR_S신호원 저항source resistanceΩT온도 또는 주기temperature or period② 잡음 대역폭
Delta f대역폭bandwidthHzf_n잡음 주파수noise frequencyHz③ 신호원만의 잡음
mu이동도mobilitym²/V·sv_n,S잡음 신호원 전압 (순시값)noise source instantaneous voltageV④ 허용 잡음
mu이동도mobilitym²/V·sv_n,allowed전압 (순시값) (잡음, allowed)instantaneous voltage (noise, allowed)V이므로 가능합니다. 여유는 배.
⑤ 소자에 허용되는 몫
mu이동도mobilitym²/V·se_n,device잡음 전압 밀도 (잡음, device)noise voltage density (noise, device)V/√Hzv_n,device전압 (순시값) (잡음, device)instantaneous voltage (noise, device)V신호원보다 3배 시끄러워도 됩니다 — 소자 선택이 아주 편한 경우입니다.
⑥ 그래도 은 확인
kΩ 이므로 이 pA/√Hz 보다 훨씬 작아야 합니다. 바이폴라(수 pA)는 탈락, JFET/CMOS(수십 fA)는 통과.
예제 2 — 왜 대역을 좁히는 것이 소자를 바꾸는 것보다 강한가
위에서 대역을 1 kHz → 100 Hz 로 줄이면 이 배 작아지므로 잡음이 3.16배(10 dB) 개선됩니다.
소자를 40 nV/√Hz 에서 4 nV/√Hz 로 바꿔도, 신호원 열잡음 40.7 nV/√Hz 가 남아 있으므로 전체는
거의 0입니다. 16-00이 ”❌ 판정이 나오면 회로를 설계하지 말고 대역을 줄이거나 신호원을 바꾸라”고 하는 이유가 이 비교입니다.
시뮬레이션으로 확인
# examples/12-noise-si/optimum-source.yaml
meta:
name: 최적 소스 임피던스
lesson: docs/12-noise-si/09-noise-figure.md
note: RS를 45 / 450 / 4.5k Ω 로 바꿔 가며 잡음 지수가 최소가 되는 지점을 찾는다
components:
- {ref: VP, type: vdc, value: 15}
- {ref: VN, type: vdc, value: -15}
- {ref: VS, type: vac, value: 1}
- {ref: RS, type: r, value: 450, label: 신호원 저항}
- {ref: R1, type: r, value: 1k}
- {ref: R2, type: r, value: 99k, label: 이득 100}
- {ref: U1, type: opamp, model: OPA140}
nets:
VCC: [VP.p, U1.'v+']
VEE: [VN.p, U1.'v-']
SRC: [VS.p, RS.1]
IN: [RS.2, U1.'in+']
FB: [U1.'in-', R1.1, R2.1]
OUT: [U1.out, R2.2]
GND: [VP.n, VN.n, VS.n, R1.2]
analyses:
- {type: noise, out: OUT, source: VS, sweep: dec, points: 10, fstart: 1, fstop: 100k}RS를 45 Ω / 450 Ω / 4.5 kΩ 로 바꿔 가며 출력 잡음을 비교하세요. 450 Ω 근처가 신호원 열잡음 대비 가장 유리해야 합니다 — 절대 잡음은 가 클수록 커지므로, 보는 것은 NF 이지 절대값이 아닙니다.
⚖️ 부품 트레이드오프
| 선택 | 얻는 것 | 잃는 것 |
|---|---|---|
| 바이폴라 입력 | 낮은 (0.9 nV급) | 큰 , 큰 바이어스 전류 → 고임피던스에서 최악 |
| JFET 입력 | 아주 낮은 (fA급) | 이 3~10배 큼, 오프셋 드리프트 |
| CMOS 입력 | 낮은 , 싸고 저전력 | 1/f 코너가 높음 (수 kHz) |
| 초퍼(오토제로) | 1/f 없음, 오프셋 거의 0 | 스위칭 잡음, 대역 좁음 |
| 입력에 변압기 | 를 최적점으로 변환 | 부피, 대역 제한, 자기 결합 |
| 병렬로 소자 N개 | 이 | 이 , 전류·비용 N배 |
💡 마지막 줄이 재미있습니다. 소자를 병렬로 놓으면 은 줄고 은 늘어서 가 로 내려갑니다. 낮은 임피던스 신호원에 맞추는 표준적인 수법입니다.
🔌 실제 쓰임새
| 어디에 | 어떻게 쓰나 |
|---|---|
| 소자 선정 | 를 먼저 재고, 가 그 자릿수인 소자를 고름 |
| 노이즈 예산 | 로 대역을 환산해 가능/불가능 판정 (노이즈 예산 시트) |
| 데이터시트 읽기 | 만 보지 말고 곱을 볼 것 |
| 전극 측정 | 가 주파수에 따라 변하므로 최적점도 변함 → 관심 대역에서 판단 |
| 다단 설계 | 1단 이득이 10 이상이면 후단 잡음은 사실상 무시 (12-02) |
⚠️ 이상과 실제의 차이
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| , 이 평탄 | 저주파에서 1/f 로 올라갑니다 — 코너 아래에서는 위 계산이 낙관적 |
| 둘이 무관 | 실제로는 상관(correlation)이 조금 있어 최적점이 살짝 이동합니다 |
| 가 순수 저항 | 전극은 복소 임피던스 — 열잡음은 실수부 만 냅니다 |
| 가 고정 | 전극 임피던스는 시간·주파수·접촉 상태로 변합니다 |
| 소자 잡음만 세면 됨 | 이득 저항, 바이어스 저항도 열잡음을 냅니다 |
| NF가 낮으면 좋음 | NF는 신호원 대비 값입니다. 가 크면 NF는 좋아 보여도 절대 잡음은 큽니다 |
⚠️ 마지막 줄이 가장 흔한 오해입니다. 를 키우면 신호원 열잡음이 커져서 분모가 커지므로 NF는 저절로 좋아 보입니다. NF만 보고 “이 설계가 좋다”고 판단하면 안 되고, 언제나 절대 잡음과 신호 크기를 함께 봐야 합니다.
연습문제
문제 1. nV/√Hz, pA/√Hz 인 OP앰프의 최적 소스 임피던스는?
풀이
R_S,opt저항 (신호원, opt)resistance (source, opt)Ω문제 2. 위 소자를 MΩ 에 쓰면 최적점 대비 몇 dB 손해입니까?
exercises/12-09-mismatch-loss.yaml풀이
.
r저항 (소신호)small-signal resistanceΩ최적일 때가 2 이므로
약 19 dB 손해입니다. 소자를 바꿔야 합니다.
문제 3. 2차 버터워스 LPF ( kHz)의 잡음 대역폭을 구하고, 1차와 비교했을 때 잡음 전압이 몇 %나 줄어드는지 계산하세요.
exercises/12-09-2nd-order-nbw.yaml풀이
Delta f대역폭bandwidthHzf_n,2차주파수 (잡음, 2차)frequency (noise, 2차)HzDelta f대역폭bandwidthHzf_n,1차주파수 (잡음, 1차)frequency (noise, 1차)Hz잡음 전압은 에 비례하므로
약 16% 감소 (−1.5 dB).
차수를 하나 올려 얻는 것치고는 작습니다. 잡음을 줄이려면 차수보다 자체를 낮추는 것이 훨씬 강력합니다 — 를 절반으로 하면 배, 즉 29% 줄어듭니다.
문제 4. 어떤 광센서의 출력을 TIA로 받습니다. 포토다이오드는 전류원이고 접합 용량 pF, 피드백 저항 MΩ 입니다. 이 경우 “최적 소스 임피던스”라는 개념을 그대로 쓸 수 있습니까?
exercises/12-09-tia-optimum.yaml풀이
그대로는 쓸 수 없습니다. 위 유도는 신호원이 전압원 + 직렬 저항이라고 가정했습니다. 포토다이오드는 전류원 + 병렬 용량이라 구조가 다릅니다.
TIA에서는
- 신호원 임피던스가 로 주파수에 따라 변합니다 — 고정된 와 비교할 대상이 없습니다
- 잡음의 주역은 자신의 열잡음과, 이 때문에 고주파에서 증폭되어 보이는 것( 만큼)입니다
- 은 를 지나 직접 출력 잡음이 됩니다
그래서 TIA에서는 대신 이 작고 이 작은 소자를 고르고, 로 잡음 피킹을 억제하는 쪽으로 판단합니다 (13-04).
교훈: 공식보다 가정을 먼저 보십시오. 유도 과정을 따라와 봤다면 어디서 가정이 깨지는지 알 수 있습니다.
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