잡음 지수와 최적 소스 임피던스

한 줄 요약 — 소자를 고를 때 보는 것은 “잡음이 낮은가”가 아니라 “내 신호원에서 잡음이 낮은가” 입니다. 그 답은 RS=en/inR_S = e_n/i_n 에 있습니다.


12-02가 두 식을 결론만 주고 지나갔습니다.

NF=10log⁡10(1+en2+(inRS)24kBTRS),RS,opt=enin\mathrm{NF} = 10\log_{10}\left(1+\frac{e_n^2+(i_nR_S)^2}{4k_BTR_S}\right), \qquad R_{S,opt} = \frac{e_n}{i_n}
기호
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
NF잡음 지수noise figuredB
R_S,opt저항 (신호원, opt)resistance (source, opt)Ω
R_S신호원 저항source resistanceΩ
T온도 또는 주기temperature or period

그리고 16-00 방법론의 3단계 — 회로를 그릴지 말지를 정하는 그 판정 — 은 잡음 대역폭 계수 k=1.57/1.11/1.05k = 1.57 / 1.11 / 1.05 를 표에서 꺼내 씁니다.

이 문서는 그 셋을 전부 직접 구합니다. 그러고 나면 소자 선택이 취향이 아니라 계산이 됩니다.


소자의 잡음은 왜 두 개인가

열잡음열잡음 thermal noise모든 저항이 온도 때문에 내는 피할 수 없는 잡음으로, 측정의 바닥을 정합니다.en=4kBTRe_n = \sqrt{4k_BTR}자세히 보기 →은 저항 하나면 값이 정해집니다. 그런데 증폭기의 잡음은 데이터시트에 두 개로 적혀 있습니다.

기호이름단위어디서 나오나
ene_n전압잡음nV/√Hz입력단 트랜지스터의 채널 잡음
ini_n전류잡음fA/√Hz입력 바이어스 전류의 산탄 잡음

두 개인 이유는 소자가 신호원에 무엇을 하느냐가 두 가지이기 때문입니다. 전압을 재면서 잡음 전압을 얹고, 동시에 전류를 조금 끌어가면서 잡음 전류를 흘립니다. 그 전류가 신호원의 임피던스를 지나면 전압으로 바뀝니다.

[신호원 R_S] -> [i_n * R_S 로 바뀜] -> [+ e_n] -> [증폭기]

이것이 핵심입니다. ini_n 은 그 자체로는 작지만 RSR_S 가 크면 커집니다. 그래서 “이 OP앰프는 잡음이 낮다”는 말은 RSR_S 를 말하지 않으면 뜻이 없습니다.


입력에서 본 전체 잡음

셋을 모읍니다 — 서로 무관하므로 제곱합의 제곱근입니다.

en,total=4kBTRS⏟신호원 열잡음+en2⏟소자 전압+(inRS)2⏟소자 전류\boxed{e_{n,total} = \sqrt{\underbrace{4k_BTR_S}_{\text{신호원 열잡음}} + \underbrace{e_n^2}_{\text{소자 전압}} + \underbrace{(i_nR_S)^2}_{\text{소자 전류}}}}
기호
e_n,total잡음 전체 잡음 전압 밀도noise total noise voltage densityV/√Hz
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
R_S신호원 저항source resistanceΩ
T온도 또는 주기temperature or period
kB:볼츠만 상수 1.38×10−23 J/KT:절대온도 (K)RS:신호원 저항 (Ω)en:소자 전압잡음 밀도 (V/Hz)in:소자 전류잡음 밀도 (A/Hz)\begin{aligned} k_B &: \text{볼츠만 상수 } 1.38\times10^{-23}\ \text{J/K} \\ T &: \text{절대온도 (K)} \\ R_S &: \text{신호원 저항 } (\Omega) \\ e_n &: \text{소자 전압잡음 밀도 } (\text{V}/\sqrt{\text{Hz}}) \\ i_n &: \text{소자 전류잡음 밀도 } (\text{A}/\sqrt{\text{Hz}}) \end{aligned}
기호
d거리 또는 두께distance or thicknessm
e잡음 전압 밀도noise voltage densityV/√Hz
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
g컨덕턴스 (소신호)small-signal conductanceS
i전류 (순시값)instantaneous currentA
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
n비트 수 또는 개수number of bits or count
R_S신호원 저항source resistanceΩ
T온도 또는 주기temperature or period

잡음 지수 — 소자가 얼마나 더했나

신호원의 열잡음은 어차피 있는 것입니다. 아무리 좋은 소자를 써도 못 없앱니다. 그래서 진짜 물어야 할 것은 “소자가 그 위에 얼마나 더 얹었나” 입니다.

F=전체 잡음 전력신호원만의 잡음 전력=4kBTRS+en2+(inRS)24kBTRSF = \frac{\text{전체 잡음 전력}}{\text{신호원만의 잡음 전력}} = \frac{4k_BTR_S + e_n^2 + (i_nR_S)^2}{4k_BTR_S}
기호
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
F잡음 지수noise figure
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
R_S신호원 저항source resistanceΩ
T온도 또는 주기temperature or period
NF=10log⁡10(1+en2+(inRS)24kBTRS) [dB]\boxed{\mathrm{NF} = 10\log_{10}\left(1 + \frac{e_n^2 + (i_nR_S)^2}{4k_BTR_S}\right)\ [\mathrm{dB}]}
기호
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
NF잡음 지수noise figuredB
R_S신호원 저항source resistanceΩ
T온도 또는 주기temperature or period
NF뜻
0 dB소자가 아무것도 안 더함 — 이론적 한계
3 dB소자 잡음 = 신호원 잡음
10 dB소자가 신호원보다 훨씬 시끄러움

💡 NF가 낮다는 것은 “신호원 잡음이 지배한다”는 뜻입니다. 그 상태에서는 소자를 더 좋은 것으로 바꿔도 개선되지 않습니다. 개선하려면 신호원을 바꾸거나 대역을 좁혀야 합니다.


★ 최적 소스 임피던스 — 직접 최소화

NF\mathrm{NF} 를 최소로 만드는 RSR_S 를 찾습니다. 로그는 단조증가이므로 괄호 안만 최소화하면 됩니다.

g(RS)=en2+in2RS24kBTRS=14kBT(en2RS+in2RS)g(R_S) = \frac{e_n^2 + i_n^2R_S^2}{4k_BTR_S} = \frac{1}{4k_BT}\left(\frac{e_n^2}{R_S} + i_n^2R_S\right)
기호
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
g컨덕턴스 (소신호)small-signal conductanceS
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
R_S신호원 저항source resistanceΩ
T온도 또는 주기temperature or period

미분해서 0:

dgdRS=14kBT(−en2RS2+in2)=0\frac{dg}{dR_S} = \frac{1}{4k_BT}\left(-\frac{e_n^2}{R_S^2} + i_n^2\right) = 0
기호
d거리 또는 두께distance or thicknessm
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
g컨덕턴스 (소신호)small-signal conductanceS
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
R_S신호원 저항source resistanceΩ
T온도 또는 주기temperature or period
in2=en2RS2  ⟹  RS,opt=enini_n^2 = \frac{e_n^2}{R_S^2} \;\Longrightarrow\; \boxed{R_{S,opt} = \frac{e_n}{i_n}}
기호
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
R_S,opt저항 (신호원, opt)resistance (source, opt)Ω
R_S신호원 저항source resistanceΩ
정말 최소인지 (2계 도함수) d2gdRS2=14kBT⋅2en2RS3>0(RS>0)\frac{d^2g}{dR_S^2} = \frac{1}{4k_BT}\cdot\frac{2e_n^2}{R_S^3} > 0 \quad (R_S > 0)
기호
d거리 또는 두께distance or thicknessm
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
g컨덕턴스 (소신호)small-signal conductanceS
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
R_S신호원 저항source resistanceΩ
T온도 또는 주기temperature or period

양수이므로 극소입니다. 그리고 RS→0R_S \to 0 이나 RS→∞R_S \to \infty 에서 g→∞g \to \infty 이므로 유일한 최소입니다.

이 지점에서 두 항이 정확히 같아집니다.

en2RS,opt=in2RS,opt=enin\frac{e_n^2}{R_{S,opt}} = i_n^2 R_{S,opt} = e_n i_n
기호
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
R_S,opt저항 (신호원, opt)resistance (source, opt)Ω

전압잡음의 기여와 전류잡음의 기여가 맞먹는 곳이 최적점입니다. 외울 필요가 없는 이유가 이것입니다 — “둘이 같아지는 곳”이 곧 답입니다.

최소 잡음 지수도 바로 나옵니다.

NFmin=10log⁡10(1+2enin4kBT)=10log⁡10(1+enin2kBT)\mathrm{NF}_{min} = 10\log_{10}\left(1 + \frac{2e_ni_n}{4k_BT}\right) = 10\log_{10}\left(1 + \frac{e_ni_n}{2k_BT}\right)
기호
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
NF잡음 지수noise figuredB
T온도 또는 주기temperature or period

여기에는 RSR_S 가 없습니다. 소자가 낼 수 있는 최선은 enine_n i_n 곱 하나로 정해지고, 그것이 소자의 진짜 품질 지표입니다.

최적점에서 벗어나면 얼마나 나빠지나

r=RS/RS,optr = R_S/R_{S,opt} 로 두면

en2RS+in2RS=enin(1r+r)\frac{e_n^2}{R_S} + i_n^2R_S = e_ni_n\left(\frac{1}{r} + r\right)
기호
e_n입력 환산 전압 잡음 밀도input-referred voltage noise densityV/√Hz
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
r저항 (소신호)small-signal resistanceΩ
R_S신호원 저항source resistanceΩ
rr1r+r\frac1r + r최적 대비
12.00—
2 또는 1/22.50+0.97 dB
3 또는 1/33.33+2.2 dB
10 또는 1/1010.1+7.0 dB

2배쯤 벗어나는 것은 1 dB도 안 됩니다. 최적점을 정확히 맞추려고 애쓸 필요는 없고, 자릿수가 맞는지만 보면 됩니다. 이것이 실무에서 중요한 결론입니다.


소자 고르기가 계산이 되는 지점

RSR_S지배 항골라야 할 소자왜
< 1 kΩene_n바이폴라 입력ene_n 이 작음 (ini_n 은 커도 inRSi_nR_S 가 작음)
1 k ~ 100 kΩ신호원 열잡음아무거나 (NF 낮음)소자를 바꿔도 개선 안 됨
> 100 kΩinRSi_nR_SJFET·CMOS 입력ini_n 이 작음

16-00 4단계의 소자 선택 규칙이 이 표이고, 이제 그 근거가 위 유도입니다.

예: 전극 RS=1R_S = 1 MΩ 인데 ene_n 이 0.9 nV/√Hz 인 저잡음 바이폴라 (AD797, in=2i_n = 2 pA/√Hz)를 쓰면

inRS=2×10−12×106=2 μV/Hzi_nR_S = 2\times10^{-12}\times10^6 = 2\ \mu\text{V}/\sqrt{\text{Hz}}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
i_n입력 환산 전류 잡음 밀도input-referred current noise densityA/√Hz
R_S신호원 저항source resistanceΩ

ene_n 의 2,200배입니다. “가장 잡음이 낮은 OP앰프”를 골랐는데 최악의 선택이 된 것입니다. RS,opt=0.9 nV/2 pA=450 ΩR_{S,opt} = 0.9\ \text{nV}/2\ \text{pA} = 450\ \Omega 이니 당연합니다.


★ 잡음 대역폭 — 1.57은 어디서 나오나

지금까지 vn=enΔfv_n = e_n\sqrt{\Delta f} 를 썼습니다. 그런데 Δf\Delta f 에 무엇을 넣어야 할까요? 필터는 차단 주파수에서 뚝 끊기지 않고 완만하게 내려갑니다. 그 꼬리로 새는 잡음까지 세야 합니다.

정의: 같은 양의 잡음을 통과시키는 벽돌담 필터의 폭.

Δfn=∫0∞∣H(f)∣2 df\Delta f_n = \int_0^\infty |H(f)|^2\,df
기호
Delta f대역폭bandwidthHz
d거리 또는 두께distance or thicknessm
f주파수frequencyHz
f_n잡음 주파수noise frequencyHz

1차 저역통과 ∣H∣2=1/(1+(f/fc)2)|H|^2 = 1/(1+(f/f_c)^2) 로 해 봅니다.

Δfn=∫0∞df1+(f/fc)2\Delta f_n = \int_0^\infty \frac{df}{1+(f/f_c)^2}
기호
Delta f대역폭bandwidthHz
d거리 또는 두께distance or thicknessm
f주파수frequencyHz
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz
f_n잡음 주파수noise frequencyHz

u=f/fcu = f/f_c 로 치환하면 df=fc dudf = f_c\,du,

Δfn=fc∫0∞du1+u2=fc[arctan⁡u]0∞=fc⋅π2\Delta f_n = f_c\int_0^\infty \frac{du}{1+u^2} = f_c\Big[\arctan u\Big]_0^\infty = f_c\cdot\frac{\pi}{2}
기호
Delta f대역폭bandwidthHz
d거리 또는 두께distance or thicknessm
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz
f_n잡음 주파수noise frequencyHz
Δfn=π2fc=1.5708 fc\boxed{\Delta f_n = \frac{\pi}{2}f_c = 1.5708\,f_c}
기호
Delta f대역폭bandwidthHz
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz
f_n잡음 주파수noise frequencyHz

1.57이 나왔습니다. π/2\pi/2 였습니다.

차수k=Δfn/fck = \Delta f_n/f_c왜 줄어드나
1차π/2=1.571\pi/2 = 1.571꼬리가 길어 많이 샘
2차1.111더 가파름
3차1.047
4차1.026
∞ (벽돌담)1.000안 샘

차수를 높이면 잡음 대역폭이 fcf_c 에 수렴합니다. 안티에일리어싱 필터를 높은 차수로 만들면 에일리어싱뿐 아니라 잡음도 같이 줄어드는 이유입니다.

⚠️ fcf_c 를 그대로 Δf\Delta f 에 넣으면 1차에서 57%를 과소평가합니다. 잡음 전압으로는 1.57=1.25\sqrt{1.57} = 1.25 배, 약 2 dB 입니다. 노이즈 예산이 아슬아슬할 때 이것 때문에 판정이 뒤집힙니다.


계산 예제

예제 1 — 전극 앞단 소자 선택

RS=100R_S = 100 kΩ (전극), 대역 1 Hz ~ 1 kHz (1차 LPF), 목표 SNR 20 dB, 신호 50 µV rms.

① 신호원 열잡음

en,S=4kBTRS=0.1287100000=40.7 nV/Hze_{n,S} = \sqrt{4k_BTR_S} = 0.1287\sqrt{100000} = 40.7\ \text{nV}/\sqrt{\text{Hz}}
기호
e_n,S잡음 신호원 잡음 전압 밀도noise source noise voltage densityV/√Hz
k_B볼츠만 상수Boltzmann constantJ/K
R_S신호원 저항source resistanceΩ
T온도 또는 주기temperature or period

② 잡음 대역폭

Δfn=1.571×1000=1571 Hz,Δfn=39.6\Delta f_n = 1.571\times1000 = 1571\ \text{Hz}, \qquad \sqrt{\Delta f_n} = 39.6
기호
Delta f대역폭bandwidthHz
f_n잡음 주파수noise frequencyHz

③ 신호원만의 잡음

vn,S=40.7 nV×39.6=1.61 μV rmsv_{n,S} = 40.7\ \text{nV}\times39.6 = 1.61\ \mu\text{V rms}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
v_n,S잡음 신호원 전압 (순시값)noise source instantaneous voltageV

④ 허용 잡음

vn,allowed=50 μV1020/20=5 μV rmsv_{n,allowed} = \frac{50\ \mu\text{V}}{10^{20/20}} = 5\ \mu\text{V rms}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
v_n,allowed전압 (순시값) (잡음, allowed)instantaneous voltage (noise, allowed)V

1.61<51.61 < 5 이므로 가능합니다. 여유는 5/1.61=3.15/1.61 = 3.1 배.

⑤ 소자에 허용되는 몫

vn,device=52−1.612=4.73 μV  ⇒  en,device=4.73 μV39.6=119 nV/Hzv_{n,device} = \sqrt{5^2 - 1.61^2} = 4.73\ \mu\text{V} \;\Rightarrow\; e_{n,device} = \frac{4.73\ \mu\text{V}}{39.6} = 119\ \text{nV}/\sqrt{\text{Hz}}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
e_n,device잡음 전압 밀도 (잡음, device)noise voltage density (noise, device)V/√Hz
v_n,device전압 (순시값) (잡음, device)instantaneous voltage (noise, device)V

신호원보다 3배 시끄러워도 됩니다 — 소자 선택이 아주 편한 경우입니다.

⑥ 그래도 ini_n 은 확인

RS=100R_S = 100 kΩ 이므로 ini_n 이 119 nV/100 kΩ=1.19119\ \text{nV}/100\ \text{k}\Omega = 1.19 pA/√Hz 보다 훨씬 작아야 합니다. 바이폴라(수 pA)는 탈락, JFET/CMOS(수십 fA)는 통과.

예제 2 — 왜 대역을 좁히는 것이 소자를 바꾸는 것보다 강한가

위에서 대역을 1 kHz → 100 Hz 로 줄이면 Δfn\sqrt{\Delta f_n} 이 10\sqrt{10} 배 작아지므로 잡음이 3.16배(10 dB) 개선됩니다.

소자를 40 nV/√Hz 에서 4 nV/√Hz 로 바꿔도, 신호원 열잡음 40.7 nV/√Hz 가 남아 있으므로 전체는

40.72+42=40.9  →  개선 0.04 dB\sqrt{40.7^2+4^2} = 40.9 \;\to\; \text{개선 } 0.04\ \text{dB}

거의 0입니다. 16-00이 ”❌ 판정이 나오면 회로를 설계하지 말고 대역을 줄이거나 신호원을 바꾸라”고 하는 이유가 이 비교입니다.


시뮬레이션으로 확인

최적 소스 임피던스 회로도RS450Ω신호원 저항VS1VR11kΩVP15VVN-15VR299kΩ이득 100U1OPA140VCCVCCVEEVEESRCINFBOUTGND
최적 소스 임피던스워크벤치에서 열기 →
# examples/12-noise-si/optimum-source.yaml
meta:
  name: 최적 소스 임피던스
  lesson: docs/12-noise-si/09-noise-figure.md
  note: RS를 45 / 450 / 4.5k Ω 로 바꿔 가며 잡음 지수가 최소가 되는 지점을 찾는다
components:
  - {ref: VP, type: vdc, value: 15}
  - {ref: VN, type: vdc, value: -15}
  - {ref: VS, type: vac, value: 1}
  - {ref: RS, type: r, value: 450, label: 신호원 저항}
  - {ref: R1, type: r, value: 1k}
  - {ref: R2, type: r, value: 99k, label: 이득 100}
  - {ref: U1, type: opamp, model: OPA140}
nets:
  VCC: [VP.p, U1.'v+']
  VEE: [VN.p, U1.'v-']
  SRC: [VS.p, RS.1]
  IN: [RS.2, U1.'in+']
  FB: [U1.'in-', R1.1, R2.1]
  OUT: [U1.out, R2.2]
  GND: [VP.n, VN.n, VS.n, R1.2]
analyses:
  - {type: noise, out: OUT, source: VS, sweep: dec, points: 10, fstart: 1, fstop: 100k}

RS를 45 Ω / 450 Ω / 4.5 kΩ 로 바꿔 가며 출력 잡음을 비교하세요. 450 Ω 근처가 신호원 열잡음 대비 가장 유리해야 합니다 — 절대 잡음은 RSR_S 가 클수록 커지므로, 보는 것은 NF 이지 절대값이 아닙니다.


⚖️ 부품 트레이드오프

선택얻는 것잃는 것
바이폴라 입력낮은 ene_n (0.9 nV급)큰 ini_n, 큰 바이어스 전류 → 고임피던스에서 최악
JFET 입력아주 낮은 ini_n (fA급)ene_n 이 3~10배 큼, 오프셋 드리프트
CMOS 입력낮은 ini_n, 싸고 저전력1/f 코너가 높음 (수 kHz)
초퍼(오토제로)1/f 없음, 오프셋 거의 0스위칭 잡음, 대역 좁음
입력에 변압기RSR_S 를 최적점으로 변환부피, 대역 제한, 자기 결합
병렬로 소자 N개ene_n 이 1/N1/\sqrt Nini_n 이 N\sqrt N, 전류·비용 N배

💡 마지막 줄이 재미있습니다. 소자를 병렬로 놓으면 ene_n 은 줄고 ini_n 은 늘어서 RS,optR_{S,opt} 가 1/N1/N 로 내려갑니다. 낮은 임피던스 신호원에 맞추는 표준적인 수법입니다.


🔌 실제 쓰임새

어디에어떻게 쓰나
소자 선정RSR_S 를 먼저 재고, RS,optR_{S,opt} 가 그 자릿수인 소자를 고름
노이즈 예산Δfn=kfc\Delta f_n = kf_c 로 대역을 환산해 가능/불가능 판정 (노이즈 예산 시트)
데이터시트 읽기ene_n 만 보지 말고 en⋅ine_n\cdot i_n 곱을 볼 것
전극 측정RSR_S 가 주파수에 따라 변하므로 최적점도 변함 → 관심 대역에서 판단
다단 설계1단 이득이 10 이상이면 후단 잡음은 사실상 무시 (12-02)

⚠️ 이상과 실제의 차이

이상실제
ene_n, ini_n 이 평탄저주파에서 1/f 로 올라갑니다 — 코너 아래에서는 위 계산이 낙관적
둘이 무관실제로는 상관(correlation)이 조금 있어 최적점이 살짝 이동합니다
RSR_S 가 순수 저항전극은 복소 임피던스 — 열잡음은 실수부 Re(ZS)\mathrm{Re}(Z_S) 만 냅니다
RSR_S 가 고정전극 임피던스는 시간·주파수·접촉 상태로 변합니다
소자 잡음만 세면 됨이득 저항, 바이어스 저항도 열잡음을 냅니다
NF가 낮으면 좋음NF는 신호원 대비 값입니다. RSR_S 가 크면 NF는 좋아 보여도 절대 잡음은 큽니다

⚠️ 마지막 줄이 가장 흔한 오해입니다. RSR_S 를 키우면 신호원 열잡음이 커져서 분모가 커지므로 NF는 저절로 좋아 보입니다. NF만 보고 “이 설계가 좋다”고 판단하면 안 되고, 언제나 절대 잡음과 신호 크기를 함께 봐야 합니다.


연습문제

문제 1. en=4e_n = 4 nV/√Hz, in=0.6i_n = 0.6 pA/√Hz 인 OP앰프의 최적 소스 임피던스는?

연습 12-09-1·2 — 최적 소스 임피던스와 1 MΩ 에서의 손해 회로도RS6.7kΩ소스 임피던스 (최적점)VS1VR11kΩVP15VVN-15VR299kΩ이득 100U1BIPOLAR_4NVe_n 4 nV · i_n 0.6 pAVCCVCCVEEVEESRCINFBOUTGND
연습 12-09-1·2 — 최적 소스 임피던스와 1 MΩ 에서의 손해워크벤치에서 열기 →
풀이 RS,opt=4×10−90.6×10−12=6.7 kΩR_{S,opt} = \frac{4\times10^{-9}}{0.6\times10^{-12}} = 6.7\ \text{k}\Omega
기호
R_S,opt저항 (신호원, opt)resistance (source, opt)Ω

문제 2. 위 소자를 RS=1R_S = 1 MΩ 에 쓰면 최적점 대비 몇 dB 손해입니까?

exercises/12-09-mismatch-loss.yaml
풀이

r=106/6667=150r = 10^6/6667 = 150.

1r+r=0.0067+150=150\frac1r + r = 0.0067 + 150 = 150
기호
r저항 (소신호)small-signal resistanceΩ

최적일 때가 2 이므로

10log⁡101502=10log⁡1075=18.8 dB10\log_{10}\frac{150}{2} = 10\log_{10}75 = 18.8\ \text{dB}

약 19 dB 손해입니다. 소자를 바꿔야 합니다.

문제 3. 2차 버터워스 LPF (fc=1f_c = 1 kHz)의 잡음 대역폭을 구하고, 1차와 비교했을 때 잡음 전압이 몇 %나 줄어드는지 계산하세요.

exercises/12-09-2nd-order-nbw.yaml
풀이 Δfn,2차=1.111×1000=1111 Hz\Delta f_{n,2차} = 1.111\times1000 = 1111\ \text{Hz}
기호
Delta f대역폭bandwidthHz
f_n,2차주파수 (잡음, 2차)frequency (noise, 2차)Hz
Δfn,1차=1.571×1000=1571 Hz\Delta f_{n,1차} = 1.571\times1000 = 1571\ \text{Hz}
기호
Delta f대역폭bandwidthHz
f_n,1차주파수 (잡음, 1차)frequency (noise, 1차)Hz

잡음 전압은 Δfn\sqrt{\Delta f_n} 에 비례하므로

11111571=0.707=0.841\frac{\sqrt{1111}}{\sqrt{1571}} = \sqrt{0.707} = 0.841

약 16% 감소 (−1.5 dB).

차수를 하나 올려 얻는 것치고는 작습니다. 잡음을 줄이려면 차수보다 fcf_c 자체를 낮추는 것이 훨씬 강력합니다 — fcf_c 를 절반으로 하면 2\sqrt{2} 배, 즉 29% 줄어듭니다.

문제 4. 어떤 광센서의 출력을 TIA로 받습니다. 포토다이오드는 전류원이고 접합 용량 Cj=50C_j = 50 pF, 피드백 저항 Rf=1R_f = 1 MΩ 입니다. 이 경우 “최적 소스 임피던스”라는 개념을 그대로 쓸 수 있습니까?

exercises/12-09-tia-optimum.yaml
풀이

그대로는 쓸 수 없습니다. 위 유도는 신호원이 전압원 + 직렬 저항이라고 가정했습니다. 포토다이오드는 전류원 + 병렬 용량이라 구조가 다릅니다.

TIA에서는

  • 신호원 임피던스가 1/jωCj1/j\omega C_j 로 주파수에 따라 변합니다 — 고정된 RS,optR_{S,opt} 와 비교할 대상이 없습니다
  • 잡음의 주역은 RfR_f 자신의 열잡음과, ene_n 이 CjC_j 때문에 고주파에서 증폭되어 보이는 것(1+Cj/Cf1 + C_j/C_f 만큼)입니다
  • ini_n 은 RfR_f 를 지나 직접 출력 잡음이 됩니다

그래서 TIA에서는 RS,optR_{S,opt} 대신 ene_n 이 작고 CinC_{in} 이 작은 소자를 고르고, CfC_f 로 잡음 피킹을 억제하는 쪽으로 판단합니다 (13-04).

교훈: 공식보다 가정을 먼저 보십시오. 유도 과정을 따라와 봤다면 어디서 가정이 깨지는지 알 수 있습니다.


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