소스 팔로워 (공통 드레인)

한 줄 요약 — 이득이 1보다 작은데 왜 쓰는가? 전압을 증폭하는 게 아니라 임피던스(impedance)를 변환하기 때문입니다. 측정 회로에서 가장 중요한 회로 중 하나입니다.


구조

소스 팔로워의 임피던스 변환 효과 회로도RE1MΩ전극 임피던스RB100MΩVDD3.3VVSIG1VVB1.5V게이트 바이어스RS10kΩ소스 부하CL20pF배선 기생 용량M12N7002SRCGATEBIASVPOUTGND
소스 팔로워의 임피던스 변환 효과워크벤치에서 열기 →
부품어디에 붙나하는 일
게이트입력전류를 거의 안 먹는다 (∼\simpA) → 앞단이 1 MΩ이어도 신호를 안 떨어뜨린다
드레인VDD에 직결전류만 공급. 신호는 여기서 안 나온다
소스출력게이트 전압을 VGSV_{GS}만큼 아래로 따라간다(follow) → 이름의 유래
RSR_S (또는 IbiasI_{bias})소스 ↔ VSS동작 전류를 정한다. 전류원을 쓰면 이득이 1에 더 가까워진다

💡 이득은 1인데 왜 쓰나? 전압은 그대로지만 임피던스가 바뀝니다. 입력에서 보면 1012 Ω10^{12}\ \Omega, 출력에서 보면 수백 Ω. 즉 “약해서 못 끌던 신호”를 “끌 수 있는 신호”로 바꿔 줍니다.

게이트로 받아 소스로 내보냅니다. 드레인(drain)은 전원에 고정되어 있어 “공통 드레인”이라 부릅니다.

출력은 입력을 따라갑니다(follow):

Vout=Vin−VGSV_{out} = V_{in} - V_{GS}
기호
V_GS게이트–소스 전압gate-source voltageV
V_in입력 전압input voltageV
V_out출력 전압output voltageV

왜 이득이 1보다 작은가

Av=gmRS1+gmRS<1\boxed{A_v = \frac{g_m R_S}{1+g_m R_S} < 1}
기호
A_v전압 이득voltage gain
g_m전달 컨덕턴스transconductanceS
R_S신호원 저항source resistanceΩ

gmRS≫1g_mR_S \gg 1이면 Av→1A_v \to 1이지만 절대 넘지 못합니다.

전형적인 값: gm=2g_m = 2 mS, RS=5R_S = 5 kΩ → gmRS=10g_mR_S = 10 → Av=0.91A_v = 0.91

⚠️ 바디 효과(body effect) 가 있으면 이득이 더 떨어집니다. 소스 전압이 바디(기판)와 달라지면 VthV_{th}가 올라가기 때문입니다. 실제로는 Av=0.7∼0.9A_v = 0.7\sim0.9 정도가 흔합니다.

바디를 소스에 연결할 수 있으면 이 효과가 없어지지만, 집적 회로에서는 공통 기판을 쓰므로 대개 불가능합니다.


★ 그래서 왜 쓰는가 — 임피던스 변환

입력출력
임피던스1012 Ω10^{12}\ \Omega (게이트)≈1/gm\approx 1/g_m
용량CgsC_{gs} (부트스트랩되어 작아짐)—

출력 임피던스

Zout≈1gm∥RS≈1gmZ_{out} \approx \frac{1}{g_m} \parallel R_S \approx \frac{1}{g_m}
기호
g_m전달 컨덕턴스transconductanceS
R_S신호원 저항source resistanceΩ
Z_out출력 임피던스output impedanceΩ
gmg_mZoutZ_{out}
1 mS1 kΩ
2 mS500 Ω
10 mS100 Ω

무엇이 좋아지는가 — 숫자로

전극(electrode) 임피던스 1 MΩ, 배선(trace) 기생 용량(parasitic capacitance)기생 용량 parasitic capacitance부품·배선·케이블이 원치 않게 갖는 커패시턴스로, 고임피던스 신호원에서 대역폭을 가장 먼저 잡아먹습니다.자세히 보기 → 20 pF일 때:

구성소스 임피던스대역폭(bandwidth)
소스 팔로워(source follower) 없음 (전극 직결)1 MΩ12π×106×20p\dfrac{1}{2\pi\times10^6\times20\text{p}} = 7.96 kHz
소스 팔로워 있음 (gmg_m=2 mS)500 Ω12π×500×20p\dfrac{1}{2\pi\times500\times20\text{p}} = 15.9 MHz

대역폭이 2000배 개선됩니다.

이것이 답입니다. 소스 팔로워는 전압을 키우지 않지만, 신호를 밖으로 꺼낼 수 있게 만듭니다. 이득 0.9배를 잃는 대신 대역폭 2000배를 얻습니다.


★ 부트스트랩 — 입력 용량도 줄어듭니다

게이트-소스 용량 CgsC_{gs}는 밀러 정리에 의해:

Cin=Cgs(1−Av)C_{in} = C_{gs}(1 - A_v)
기호
A_v전압 이득voltage gain
C_gs게이트–소스 용량gate-source capacitanceF
C_in입력 정전용량input capacitanceF

Av=0.9A_v = 0.9이면 Cin=0.1CgsC_{in} = 0.1C_{gs} — 10배 줄어듭니다.

반전(inverting) 증폭기에서는 C(1+Av)C(1+A_v)로 커지는데(04), 팔로워에서는 작아집니다. 출력이 입력을 따라가므로 커패시터(capacitor) 양단 전압이 거의 변하지 않아 전하가 거의 필요 없기 때문입니다.

💡 이 부트스트랩(bootstrap) 원리를 케이블에도 적용한 것이 드리븐 실드입니다. 실드를 신호와 같이 움직이게 하면 케이블 용량이 사실상 사라집니다.


바이어스 — 저항 부하 vs 전류원 부하

저항 부하 RSR_S

간단하지만 문제가 있습니다:

Av=gmRS1+gmRSA_v = \frac{g_mR_S}{1+g_mR_S}
기호
A_v전압 이득voltage gain
g_m전달 컨덕턴스transconductanceS
R_S신호원 저항source resistanceΩ

이득을 1에 가깝게 하려면 RSR_S를 크게 해야 하는데, 그러면:

  • 소스 전압이 높아져 동작 범위가 줄어듦
  • 출력이 부하를 끌 수 있는 전류가 RSR_S로 제한 (한쪽 방향으로만)

전류원 부하 (권장)

정전류원은 임피던스가 매우 높으므로(ror_o, 수백 kΩ~MΩ):

Av=gmro1+gmro→1A_v = \frac{g_m r_o}{1+g_m r_o} \to 1
기호
A_v전압 이득voltage gain
g_m전달 컨덕턴스transconductanceS
r_o출력 저항 (소신호)small-signal output resistanceΩ

이득이 1에 훨씬 가까워집니다. 그리고 동작점(operating point)동작점 operating point신호가 없을 때 트랜지스터가 앉아 있는 전압·전류 자리로, 여기가 어긋나면 증폭이 잘려 나갑니다.자세히 보기 →이 전원 전압 변동에 무관해집니다.

저항 부하전류원 부하
이득0.7~0.90.95~0.99
선형성나쁨 (전류가 신호에 따라 변함)우수 (전류 일정)
전원 변동 영향큼작음
부품저항 1개트랜지스터(transistor) + 바이어스
집적 회로에서저항이 면적을 많이 차지더 작고 정확

이것이 논문의 액티브 어레이가 “이중 트랜지스터”인 이유 중 하나로 이어집니다 — 픽셀 안에서 바이어스와 선택을 트랜지스터로 처리합니다. 자세한 것은 16-01.


VGSV_{GS} 옵셋 — 소스 팔로워의 약점

출력은 입력보다 항상 VGSV_{GS}만큼 낮습니다. 그리고 VGSV_{GS}는:

  • 개체마다 다릅니다 (VthV_{th} 편차 ±0.5 V 이상)
  • 온도에 따라 변합니다 (−2~−6 mV/°C)
  • 전류에 따라 변합니다

측정 회로에서의 함의:

문제결과대책
픽셀마다 VthV_{th}가 다름채널별 DC 옵셋이 제각각AC 커플링, 채널별 교정(calibration), 상관 이중 샘플링(CDS)
온도 드리프트옵셋이 시간에 따라 이동AC 커플링, 기준 채널과 차동
전류 변동이득·옵셋 변동정전류 바이어스

💡 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling, CDS): 신호가 있을 때와 없을 때(리셋 직후)를 두 번 읽어 빼면, 옵셋과 저주파 잡음이 상쇄됩니다. 이미지 센서와 픽셀 어레이에서 표준적으로 쓰는 기법입니다.


계산 예제

예제 — 픽셀 소스 팔로워 설계

전극 임피던스 1 MΩ, 열 배선 기생 용량 2 pF, 목표 세틀링 시간 20 ns(10비트).

1) 필요한 출력 임피던스:

10비트 세틀링은 6.9τ6.9\tau이므로 τ≤20ns/6.9=2.9\tau \leq 20\text{ns}/6.9 = 2.9 ns

Rout=τC=2.9×10−92×10−12=1450 ΩR_{out} = \frac{\tau}{C} = \frac{2.9\times10^{-9}}{2\times10^{-12}} = 1450\ \Omega
기호
tau시정수time constants
C정전용량capacitanceF
R_out출력 저항output resistanceΩ

2) 필요한 gmg_m:

gm=1Rout=11450=0.69 mSg_m = \frac{1}{R_{out}} = \frac{1}{1450} = 0.69\ \text{mS}
기호
g_m전달 컨덕턴스transconductanceS
R_out출력 저항output resistanceΩ

3) 필요한 바이어스 전류:

gm=2KIDg_m = \sqrt{2KI_D}이므로, 소자의 KK를 알면 IDI_D를 구할 수 있습니다. 전형적인 박막 소자에서 gm/ID≈5∼10g_m/I_D \approx 5\sim10 V⁻¹라 하면:

ID≈0.69 mS7 V−1≈100 μAI_D \approx \frac{0.69\ \text{mS}}{7\ \text{V}^{-1}} \approx 100\ \mu\text{A}
기호
mu이동도mobilitym²/V·s
I_D드레인 전류drain currentA

4) 어레이 전체 전력:

2500 픽셀 × 100 µA = 250 mA — 생체 이식 소자에는 너무 큽니다!

그래서 멀티플렉싱이 필요합니다. 선택된 행의 픽셀만 바이어스를 흘리면 전력이 1/50로 줄어듭니다. 이것이 “행 선택 트랜지스터”의 또 다른 존재 이유입니다.

이 계산의 전개가 16-01의 핵심입니다.


시뮬레이션으로 확인

소스 팔로워의 임피던스 변환 효과 회로도RE1MΩ전극 임피던스RB100MΩVDD3.3VVSIG1VVB1.5V게이트 바이어스RS10kΩ소스 부하CL20pF배선 기생 용량M12N7002SRCGATEBIASVPOUTGND
소스 팔로워의 임피던스 변환 효과워크벤치에서 열기 →
# examples/06-transistor/source-follower-loading.yaml
meta:
  name: 소스 팔로워의 임피던스 변환 효과
  lesson: docs/06-transistor/06-source-follower.md
  note: 전극 직결 버전(no-buffer.yaml)과 대역폭을 비교한다
components:
  - {ref: VDD,  type: vdc, value: 3.3}
  - {ref: VSIG, type: vac, value: 1}
  - {ref: RE,   type: r, value: 1MEG, label: 전극 임피던스}
  - {ref: VB,   type: vdc, value: 1.5, label: 게이트 바이어스}
  - {ref: RB,   type: r, value: 100MEG}
  - {ref: M1,   type: m_nmos, model: 2N7002}
  - {ref: RS,   type: r, value: 10k, label: 소스 부하}
  - {ref: CL,   type: c, value: 20p, label: 배선 기생 용량}
nets:
  SRC:  [VSIG.p, RE.1]
  GATE: [RE.2, M1.g, RB.2]
  BIAS: [VB.p, RB.1]
  VP:   [VDD.p, M1.d]
  OUT:  [M1.s, RS.1, CL.1]
  GND:  [VDD.n, VSIG.n, VB.n, RS.2, CL.2]
analyses:
  - {type: op}
  - {type: ac, sweep: dec, points: 20, fstart: 10, fstop: 100MEG}

비교 대상 (no-buffer.yaml): 전극을 20 pF에 직접 연결 → −3 dB가 약 8 kHz 이 회로: 소스 팔로워를 거침 → −3 dB가 MHz급


⚖️ 부품 트레이드오프

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
소스 팔로워 사용임피던스 변환 → 대역폭 확보, 입력 용량 감소(부트스트랩), 밀러 효과(Miller effect)밀러 효과 Miller effect입력과 출력을 잇는 작은 커패시터가 이득 배만큼 부풀어 입력에 보이는 현상으로, 대역폭을 깎아먹는 주범입니다.Cin=Cf (1+Av)C_{in} = C_f\,(1+A_v)자세히 보기 → 없음, 작고 빠름이득 <1, VGSV_{GS} 옵셋과 드리프트, 바이어스 전류 필요, 1/f 잡음
OP앰프 버퍼 사용이득 정확히 1, 옵셋 작음, 출력 임피던스 매우 낮음크고 전력 소모, 집적 불가, GBW 제한, 비쌈
전류원 부하이득 1에 근접, 선형성·PSRR 우수부품·면적 추가, 헤드룸 소모
저항 부하간단이득 낮음, 비선형, 구동력 비대칭
큰 바이어스 전류gmg_m↑ → 출력 임피던스↓, 대역폭↑, 잡음↓전력 소비↑ — 어레이에서는 치명적
작은 바이어스 전류저전력출력 임피던스↑ → 세틀링 느림, 잡음↑
큰 채널 (W/L)gmg_m↑, 1/f 잡음↓게이트 용량↑, 면적↑ → 픽셀 밀도 저하

💡 픽셀 설계는 이 표의 마지막 세 항목 사이의 줄다리기입니다. 전력·잡음·속도·밀도가 서로 상충하고, 어느 것을 우선할지가 시스템 사양(채널 수, 대역폭, 소비 전력 예산)에서 결정됩니다.


🔌 실제 쓰임새

용도설명
고임피던스 센서 버퍼전극, 마이크로전극, 정전용량(capacitance) 센서
액티브 픽셀 센서(APS)CMOS 이미지 센서의 픽셀 구조 — 포토다이오드 → 소스 팔로워 → 열 배선
액티브 어레이 리드아웃16-01
오실로스코프(oscilloscope) 액티브 프로브입력 용량을 1 pF 이하로
임피던스 변환 일반단 사이 격리
레벨 시프트VGSV_{GS}만큼 이동
출력 버퍼구동력 확보

💡 CMOS 이미지 센서의 픽셀과 신경 기록 어레이의 픽셀은 구조가 거의 같습니다. 둘 다 “고임피던스 신호원 → 소스 팔로워 → 행 선택 → 열 배선 → 열 증폭기”입니다. 이미지 센서에서 발전한 기법(CDS, 4T 픽셀, 열 병렬 ADC)이 신경 기록에도 그대로 적용됩니다.


⚠️ 이상과 실제의 차이

이상실제
이득 = 10.7~0.95 (바디 효과 포함)
옵셋 없음VGSV_{GS}만큼 이동, 개체차·온도 드리프트
잡음 없음1/f 잡음이 큼 (MOSFET의 약점), 열잡음(thermal noise)열잡음 thermal noise모든 저항이 온도 때문에 내는 피할 수 없는 잡음으로, 측정의 바닥을 정합니다.en=4kBTRe_n = \sqrt{4k_BTR}자세히 보기 →
출력 임피던스 = 1/gm1/g_m주파수가 올라가면 증가
무한 입력 임피던스게이트 누설(pA), 입력 보호 다이오드(diode) 누설
안정용량성 부하에서 발진 가능 (출력 임피던스와 부하 용량, 게이트 인덕턴스(inductance)가 만드는 음성 저항)

⚠️ 소스 팔로워는 발진하기 쉽습니다. 입력에 인덕턴스(긴 배선)가 있고 출력에 용량이 있으면 음성 저항이 생겨 발진합니다. 게이트에 직렬 저항(100 Ω~1 kΩ)을 넣는 것이 표준 대책입니다.


연습문제

문제 1. gm=5g_m = 5 mS인 소스 팔로워의 출력 임피던스는?

exercises/06-06-follower-zout.yaml
풀이 Zout≈1gm=15×10−3=200 ΩZ_{out} \approx \frac{1}{g_m} = \frac{1}{5\times10^{-3}} = 200\ \Omega
기호
g_m전달 컨덕턴스transconductanceS
Z_out출력 임피던스output impedanceΩ

문제 2. gm=2g_m = 2 mS, RS=2R_S = 2 kΩ인 소스 팔로워의 이득은? RSR_S를 20 kΩ으로 바꾸면?

exercises/06-06-follower-gain.yaml
풀이 Av=gmRS1+gmRSA_v = \frac{g_mR_S}{1+g_mR_S}
기호
A_v전압 이득voltage gain
g_m전달 컨덕턴스transconductanceS
R_S신호원 저항source resistanceΩ

RS=2R_S = 2 k: gmRS=4g_mR_S = 4 → Av=4/5=0.80A_v = 4/5 = 0.80

RS=20R_S = 20 k: gmRS=40g_mR_S = 40 → Av=40/41=0.976A_v = 40/41 = 0.976

RSR_S를 키우면 이득이 1에 가까워집니다. 그래서 정전류원(임피던스 매우 큼) 부하가 유리합니다.

문제 3. 전극(1 MΩ)에서 나온 50 µV 신호를 1 m 케이블(100 pF)로 보냅니다. (a) 버퍼 없이 보내면 5 kHz 신호는 얼마나 남습니까? (b) gm=2g_m = 2 mS 소스 팔로워를 전극 옆에 두면?

연습 6-06-3 — 전극 신호를 케이블로 보내기 전에 버퍼를 둡니다 회로도RSRC1MΩ소스 임피던스 — 밀어 보세요V150µV전극 신호CCAB100pF1 m 케이블 용량RIN1GΩ증폭기 입력SRCFARGND
연습 6-06-3 — 전극 신호를 케이블로 보내기 전에 버퍼를 둡니다워크벤치에서 열기 →
풀이

(a) 버퍼 없음:

fc=12π×106×100×10−12=1.59 kHzf_c = \frac{1}{2\pi\times10^6\times100\times10^{-12}} = 1.59\ \text{kHz}
기호
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz

5 kHz는 fcf_c의 3.14배이므로:

∣H∣=11+3.142=13.30=0.303|H| = \frac{1}{\sqrt{1+3.14^2}} = \frac{1}{3.30} = 0.303

신호의 30%만 남습니다 (−10.4 dB). 50 µV가 15 µV로 줄고, 위상(phase)은 −72° 지연됩니다. 파형이 완전히 뭉개집니다.

(b) 소스 팔로워 있음:

출력 임피던스 1/gm=500 Ω1/g_m = 500\ \Omega:

fc=12π×500×100×10−12=3.18 MHzf_c = \frac{1}{2\pi\times500\times100\times10^{-12}} = 3.18\ \text{MHz}
기호
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz

5 kHz는 fcf_c의 0.16%이므로 감쇠 거의 0 (−0.000001 dB). 소스 팔로워 자체의 이득 0.9를 곱해도 45 µV가 그대로 도착합니다.

결론:

도착 신호위상 지연
버퍼 없음15 µV (30%)−72°
버퍼 있음45 µV (90%)~0°

“이득 0.9배로 감쇠한다”는 단점이 “3배 더 많은 신호가 도착한다”는 장점 앞에서 무의미해집니다.

그리고 이건 1 m 케이블 기준입니다. 실제 이식형 어레이에서는 배선이 더 짧지만 채널이 수천 개라 열 배선의 총 용량이 만만치 않고, 무엇보다 전극 옆이 아니면 이미 늦습니다 — 케이블 용량은 신호가 케이블에 실리는 순간 작용하기 때문입니다.


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