소스 팔로워 (공통 드레인)
한 줄 요약 — 이득이 1보다 작은데 왜 쓰는가? 전압을 증폭하는 게 아니라 임피던스(impedance)를 변환하기 때문입니다. 측정 회로에서 가장 중요한 회로 중 하나입니다.
구조
| 부품 | 어디에 붙나 | 하는 일 |
|---|---|---|
| 게이트 | 입력 | 전류를 거의 안 먹는다 (pA) → 앞단이 1 MΩ이어도 신호를 안 떨어뜨린다 |
| 드레인 | VDD에 직결 | 전류만 공급. 신호는 여기서 안 나온다 |
| 소스 | 출력 | 게이트 전압을 만큼 아래로 따라간다(follow) → 이름의 유래 |
| (또는 ) | 소스 ↔ VSS | 동작 전류를 정한다. 전류원을 쓰면 이득이 1에 더 가까워진다 |
💡 이득은 1인데 왜 쓰나? 전압은 그대로지만 임피던스가 바뀝니다. 입력에서 보면 , 출력에서 보면 수백 Ω. 즉 “약해서 못 끌던 신호”를 “끌 수 있는 신호”로 바꿔 줍니다.
게이트로 받아 소스로 내보냅니다. 드레인(drain)은 전원에 고정되어 있어 “공통 드레인”이라 부릅니다.
출력은 입력을 따라갑니다(follow):
V_GS게이트–소스 전압gate-source voltageVV_in입력 전압input voltageVV_out출력 전압output voltageV왜 이득이 1보다 작은가
A_v전압 이득voltage gaing_m전달 컨덕턴스transconductanceSR_S신호원 저항source resistanceΩ이면 이지만 절대 넘지 못합니다.
전형적인 값: mS, kΩ → →
⚠️ 바디 효과(body effect) 가 있으면 이득이 더 떨어집니다. 소스 전압이 바디(기판)와 달라지면 가 올라가기 때문입니다. 실제로는 정도가 흔합니다.
바디를 소스에 연결할 수 있으면 이 효과가 없어지지만, 집적 회로에서는 공통 기판을 쓰므로 대개 불가능합니다.
★ 그래서 왜 쓰는가 — 임피던스 변환
| 입력 | 출력 | |
|---|---|---|
| 임피던스 | (게이트) | |
| 용량 | (부트스트랩되어 작아짐) | — |
출력 임피던스
g_m전달 컨덕턴스transconductanceSR_S신호원 저항source resistanceΩZ_out출력 임피던스output impedanceΩ| 1 mS | 1 kΩ |
| 2 mS | 500 Ω |
| 10 mS | 100 Ω |
무엇이 좋아지는가 — 숫자로
전극(electrode) 임피던스 1 MΩ, 배선(trace) 기생 용량(parasitic capacitance)기생 용량 parasitic capacitance부품·배선·케이블이 원치 않게 갖는 커패시턴스로, 고임피던스 신호원에서 대역폭을 가장 먼저 잡아먹습니다.자세히 보기 → 20 pF일 때:
| 구성 | 소스 임피던스 | 대역폭(bandwidth) |
|---|---|---|
| 소스 팔로워(source follower) 없음 (전극 직결) | 1 MΩ | = 7.96 kHz |
| 소스 팔로워 있음 (=2 mS) | 500 Ω | = 15.9 MHz |
대역폭이 2000배 개선됩니다.
이것이 답입니다. 소스 팔로워는 전압을 키우지 않지만, 신호를 밖으로 꺼낼 수 있게 만듭니다. 이득 0.9배를 잃는 대신 대역폭 2000배를 얻습니다.
★ 부트스트랩 — 입력 용량도 줄어듭니다
게이트-소스 용량 는 밀러 정리에 의해:
A_v전압 이득voltage gainC_gs게이트–소스 용량gate-source capacitanceFC_in입력 정전용량input capacitanceF이면 — 10배 줄어듭니다.
반전(inverting) 증폭기에서는 로 커지는데(04), 팔로워에서는 작아집니다. 출력이 입력을 따라가므로 커패시터(capacitor) 양단 전압이 거의 변하지 않아 전하가 거의 필요 없기 때문입니다.
💡 이 부트스트랩(bootstrap) 원리를 케이블에도 적용한 것이 드리븐 실드입니다. 실드를 신호와 같이 움직이게 하면 케이블 용량이 사실상 사라집니다.
바이어스 — 저항 부하 vs 전류원 부하
저항 부하
간단하지만 문제가 있습니다:
A_v전압 이득voltage gaing_m전달 컨덕턴스transconductanceSR_S신호원 저항source resistanceΩ이득을 1에 가깝게 하려면 를 크게 해야 하는데, 그러면:
- 소스 전압이 높아져 동작 범위가 줄어듦
- 출력이 부하를 끌 수 있는 전류가 로 제한 (한쪽 방향으로만)
전류원 부하 (권장)
정전류원은 임피던스가 매우 높으므로(, 수백 kΩ~MΩ):
A_v전압 이득voltage gaing_m전달 컨덕턴스transconductanceSr_o출력 저항 (소신호)small-signal output resistanceΩ이득이 1에 훨씬 가까워집니다. 그리고 동작점(operating point)동작점 operating point신호가 없을 때 트랜지스터가 앉아 있는 전압·전류 자리로, 여기가 어긋나면 증폭이 잘려 나갑니다.자세히 보기 →이 전원 전압 변동에 무관해집니다.
| 저항 부하 | 전류원 부하 | |
|---|---|---|
| 이득 | 0.7~0.9 | 0.95~0.99 |
| 선형성 | 나쁨 (전류가 신호에 따라 변함) | 우수 (전류 일정) |
| 전원 변동 영향 | 큼 | 작음 |
| 부품 | 저항 1개 | 트랜지스터(transistor) + 바이어스 |
| 집적 회로에서 | 저항이 면적을 많이 차지 | 더 작고 정확 |
이것이 논문의 액티브 어레이가 “이중 트랜지스터”인 이유 중 하나로 이어집니다 — 픽셀 안에서 바이어스와 선택을 트랜지스터로 처리합니다. 자세한 것은 16-01.
옵셋 — 소스 팔로워의 약점
출력은 입력보다 항상 만큼 낮습니다. 그리고 는:
- 개체마다 다릅니다 ( 편차 ±0.5 V 이상)
- 온도에 따라 변합니다 (−2~−6 mV/°C)
- 전류에 따라 변합니다
측정 회로에서의 함의:
| 문제 | 결과 | 대책 |
|---|---|---|
| 픽셀마다 가 다름 | 채널별 DC 옵셋이 제각각 | AC 커플링, 채널별 교정(calibration), 상관 이중 샘플링(CDS) |
| 온도 드리프트 | 옵셋이 시간에 따라 이동 | AC 커플링, 기준 채널과 차동 |
| 전류 변동 | 이득·옵셋 변동 | 정전류 바이어스 |
💡 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling, CDS): 신호가 있을 때와 없을 때(리셋 직후)를 두 번 읽어 빼면, 옵셋과 저주파 잡음이 상쇄됩니다. 이미지 센서와 픽셀 어레이에서 표준적으로 쓰는 기법입니다.
계산 예제
예제 — 픽셀 소스 팔로워 설계
전극 임피던스 1 MΩ, 열 배선 기생 용량 2 pF, 목표 세틀링 시간 20 ns(10비트).
1) 필요한 출력 임피던스:
10비트 세틀링은 이므로 ns
tau시정수time constantsC정전용량capacitanceFR_out출력 저항output resistanceΩ2) 필요한 :
g_m전달 컨덕턴스transconductanceSR_out출력 저항output resistanceΩ3) 필요한 바이어스 전류:
이므로, 소자의 를 알면 를 구할 수 있습니다. 전형적인 박막 소자에서 V⁻¹라 하면:
mu이동도mobilitym²/V·sI_D드레인 전류drain currentA4) 어레이 전체 전력:
2500 픽셀 × 100 µA = 250 mA — 생체 이식 소자에는 너무 큽니다!
그래서 멀티플렉싱이 필요합니다. 선택된 행의 픽셀만 바이어스를 흘리면 전력이 1/50로 줄어듭니다. 이것이 “행 선택 트랜지스터”의 또 다른 존재 이유입니다.
이 계산의 전개가 16-01의 핵심입니다.
시뮬레이션으로 확인
# examples/06-transistor/source-follower-loading.yaml
meta:
name: 소스 팔로워의 임피던스 변환 효과
lesson: docs/06-transistor/06-source-follower.md
note: 전극 직결 버전(no-buffer.yaml)과 대역폭을 비교한다
components:
- {ref: VDD, type: vdc, value: 3.3}
- {ref: VSIG, type: vac, value: 1}
- {ref: RE, type: r, value: 1MEG, label: 전극 임피던스}
- {ref: VB, type: vdc, value: 1.5, label: 게이트 바이어스}
- {ref: RB, type: r, value: 100MEG}
- {ref: M1, type: m_nmos, model: 2N7002}
- {ref: RS, type: r, value: 10k, label: 소스 부하}
- {ref: CL, type: c, value: 20p, label: 배선 기생 용량}
nets:
SRC: [VSIG.p, RE.1]
GATE: [RE.2, M1.g, RB.2]
BIAS: [VB.p, RB.1]
VP: [VDD.p, M1.d]
OUT: [M1.s, RS.1, CL.1]
GND: [VDD.n, VSIG.n, VB.n, RS.2, CL.2]
analyses:
- {type: op}
- {type: ac, sweep: dec, points: 20, fstart: 10, fstop: 100MEG}비교 대상 (no-buffer.yaml): 전극을 20 pF에 직접 연결 → −3 dB가 약 8 kHz
이 회로: 소스 팔로워를 거침 → −3 dB가 MHz급
⚖️ 부품 트레이드오프
| 선택 | ✅ 좋아지는 것 | ⚠️ 나빠지는 것 |
|---|---|---|
| 소스 팔로워 사용 | 임피던스 변환 → 대역폭 확보, 입력 용량 감소(부트스트랩), 밀러 효과(Miller effect)밀러 효과 Miller effect입력과 출력을 잇는 작은 커패시터가 이득 배만큼 부풀어 입력에 보이는 현상으로, 대역폭을 깎아먹는 주범입니다.자세히 보기 → 없음, 작고 빠름 | 이득 <1, 옵셋과 드리프트, 바이어스 전류 필요, 1/f 잡음 |
| OP앰프 버퍼 사용 | 이득 정확히 1, 옵셋 작음, 출력 임피던스 매우 낮음 | 크고 전력 소모, 집적 불가, GBW 제한, 비쌈 |
| 전류원 부하 | 이득 1에 근접, 선형성·PSRR 우수 | 부품·면적 추가, 헤드룸 소모 |
| 저항 부하 | 간단 | 이득 낮음, 비선형, 구동력 비대칭 |
| 큰 바이어스 전류 | ↑ → 출력 임피던스↓, 대역폭↑, 잡음↓ | 전력 소비↑ — 어레이에서는 치명적 |
| 작은 바이어스 전류 | 저전력 | 출력 임피던스↑ → 세틀링 느림, 잡음↑ |
| 큰 채널 (W/L) | ↑, 1/f 잡음↓ | 게이트 용량↑, 면적↑ → 픽셀 밀도 저하 |
💡 픽셀 설계는 이 표의 마지막 세 항목 사이의 줄다리기입니다. 전력·잡음·속도·밀도가 서로 상충하고, 어느 것을 우선할지가 시스템 사양(채널 수, 대역폭, 소비 전력 예산)에서 결정됩니다.
🔌 실제 쓰임새
| 용도 | 설명 |
|---|---|
| 고임피던스 센서 버퍼 | 전극, 마이크로전극, 정전용량(capacitance) 센서 |
| 액티브 픽셀 센서(APS) | CMOS 이미지 센서의 픽셀 구조 — 포토다이오드 → 소스 팔로워 → 열 배선 |
| 액티브 어레이 리드아웃 | 16-01 |
| 오실로스코프(oscilloscope) 액티브 프로브 | 입력 용량을 1 pF 이하로 |
| 임피던스 변환 일반 | 단 사이 격리 |
| 레벨 시프트 | 만큼 이동 |
| 출력 버퍼 | 구동력 확보 |
💡 CMOS 이미지 센서의 픽셀과 신경 기록 어레이의 픽셀은 구조가 거의 같습니다. 둘 다 “고임피던스 신호원 → 소스 팔로워 → 행 선택 → 열 배선 → 열 증폭기”입니다. 이미지 센서에서 발전한 기법(CDS, 4T 픽셀, 열 병렬 ADC)이 신경 기록에도 그대로 적용됩니다.
⚠️ 이상과 실제의 차이
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 이득 = 1 | 0.7~0.95 (바디 효과 포함) |
| 옵셋 없음 | 만큼 이동, 개체차·온도 드리프트 |
| 잡음 없음 | 1/f 잡음이 큼 (MOSFET의 약점), 열잡음(thermal noise)열잡음 thermal noise모든 저항이 온도 때문에 내는 피할 수 없는 잡음으로, 측정의 바닥을 정합니다.자세히 보기 → |
| 출력 임피던스 = | 주파수가 올라가면 증가 |
| 무한 입력 임피던스 | 게이트 누설(pA), 입력 보호 다이오드(diode) 누설 |
| 안정 | 용량성 부하에서 발진 가능 (출력 임피던스와 부하 용량, 게이트 인덕턴스(inductance)가 만드는 음성 저항) |
⚠️ 소스 팔로워는 발진하기 쉽습니다. 입력에 인덕턴스(긴 배선)가 있고 출력에 용량이 있으면 음성 저항이 생겨 발진합니다. 게이트에 직렬 저항(100 Ω~1 kΩ)을 넣는 것이 표준 대책입니다.
연습문제
문제 1. mS인 소스 팔로워의 출력 임피던스는?
exercises/06-06-follower-zout.yaml풀이
g_m전달 컨덕턴스transconductanceSZ_out출력 임피던스output impedanceΩ문제 2. mS, kΩ인 소스 팔로워의 이득은? 를 20 kΩ으로 바꾸면?
exercises/06-06-follower-gain.yaml풀이
A_v전압 이득voltage gaing_m전달 컨덕턴스transconductanceSR_S신호원 저항source resistanceΩk: →
k: →
를 키우면 이득이 1에 가까워집니다. 그래서 정전류원(임피던스 매우 큼) 부하가 유리합니다.
문제 3. 전극(1 MΩ)에서 나온 50 µV 신호를 1 m 케이블(100 pF)로 보냅니다. (a) 버퍼 없이 보내면 5 kHz 신호는 얼마나 남습니까? (b) mS 소스 팔로워를 전극 옆에 두면?
풀이
(a) 버퍼 없음:
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz5 kHz는 의 3.14배이므로:
신호의 30%만 남습니다 (−10.4 dB). 50 µV가 15 µV로 줄고, 위상(phase)은 −72° 지연됩니다. 파형이 완전히 뭉개집니다.
(b) 소스 팔로워 있음:
출력 임피던스 :
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz5 kHz는 의 0.16%이므로 감쇠 거의 0 (−0.000001 dB). 소스 팔로워 자체의 이득 0.9를 곱해도 45 µV가 그대로 도착합니다.
결론:
| 도착 신호 | 위상 지연 | |
|---|---|---|
| 버퍼 없음 | 15 µV (30%) | −72° |
| 버퍼 있음 | 45 µV (90%) | ~0° |
“이득 0.9배로 감쇠한다”는 단점이 “3배 더 많은 신호가 도착한다”는 장점 앞에서 무의미해집니다.
그리고 이건 1 m 케이블 기준입니다. 실제 이식형 어레이에서는 배선이 더 짧지만 채널이 수천 개라 열 배선의 총 용량이 만만치 않고, 무엇보다 전극 옆이 아니면 이미 늦습니다 — 케이블 용량은 신호가 케이블에 실리는 순간 작용하기 때문입니다.
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