입력 임피던스와 로딩

한 줄 요약 — 고임피던스 신호원에서는 저항·용량·전류 세 가지 로딩(loading)을 모두 확인해야 합니다.


세 가지 로딩

종류증상원인대책
저항성DC 신호 감쇠ZinZ_{in}이 ZoutZ_{out}과 비슷높은 ZinZ_{in}
용량성고주파 감쇠, 대역폭(bandwidth) 제한CinC_{in} + RsourceR_{source}낮은 RsourceR_{source}
전류성DC 옵셋IB×RsourceI_B \times R_{source}낮은 IBI_B (FET/CMOS)

세 가지 모두 RsourceR_{source}가 클 때 나빠집니다.


1. 저항성 로딩

VinVsource=ZinZsource+Zin\frac{V_{in}}{V_{source}} = \frac{Z_{in}}{Z_{source}+Z_{in}}
기호
V_in입력 전압input voltageV
V_source신호원 전압source voltageV
Z_in입력 임피던스input impedanceΩ
Z_source신호원 임피던스source impedanceΩ
Zin/ZsourceZ_{in}/Z_{source}손실
109.1%
1001.0%
10000.1%
10610^60.0001%

FET/CMOS 입력(1012 Ω10^{12}\ \Omega)이면 사실상 문제없습니다.

⚠️ 단, 바이어스 저항이 병렬로 붙으면 그것이 실제 입력 임피던스(impedance)가 됩니다.

바이어스 저항이 입력 임피던스를 결정합니다.

값
OP앰프 자체 입력 저항1012 Ω10^{12}\ \Omega 이상
RbiasR_{bias}10 MΩ
실제 입력 임피던스10 MΩ — 병렬이므로 작은 쪽이 이김

아무리 좋은 FET 입력 OP앰프를 써도, 바이어스 저항을 달면 입력 임피던스는 그 저항값이 됩니다. 소자 데이터시트만 보고 안심하면 안 됩니다.

AC 커플링을 쓰면 반드시 바이어스 저항이 필요하고, 그것이 입력 임피던스를 제한합니다.


2. 용량성 로딩 (가장 중요)

fc=12πRsourceCinf_c = \frac{1}{2\pi R_{source}C_{in}}
기호
C_in입력 정전용량input capacitanceF
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz
R_source신호원 저항source resistanceΩ

CinC_{in}은 다음의 합입니다:

요소값
OP앰프 입력 용량2~10 pF
PCB 배선(trace)1~3 pF/cm
보호 다이오드(diode)1~5 pF
커넥터1~5 pF
케이블100 pF/m
소켓2~5 pF

케이블이 압도적입니다.

대책 — 효과 순

방법효과
소스 옆에 버퍼RsourceR_{source}를 낮춤 → 근본 해결 ✅
드리븐 실드(driven shield)드리븐 실드 driven shield케이블 차폐를 신호와 같은 전압으로 구동해 케이블 용량을 사실상 없애는 방법입니다.자세히 보기 →CC를 무효화 (12-06)
케이블 단축비례
저용량 케이블2~3배
가드링(guard ring)가드링 guard ring고임피던스 노드를 같은 전압의 링으로 둘러싸 표면 누설을 없애는 기법입니다.자세히 보기 →PCB 기생 무효화
낮은 입력 용량 소자소폭

3. 전류성 로딩 (입력 바이어스 전류)

ΔV=IB×Rsource\Delta V = I_B \times R_{source}
기호
Delta V전압 변화량voltage changeV
I_B베이스 전류base currentA
R_source신호원 저항source resistanceΩ
V전압voltageV
IBI_BRSR_S=1 MΩRSR_S=100 MΩ
1 µA (바이폴라)1 V ❌—
10 nA10 mV1 V ❌
1 pA (CMOS)1 µV ✅100 µV
1 fA (초저바이어스)1 nV100 nV ✅

고임피던스 측정에서는 CMOS/JFET 입력이 필수입니다.

바이어스 전류의 온도 의존성

소자온도 특성
바이폴라완만 (±0.5%/°C)
JFET/CMOS10 °C마다 2배 (누설 특성)

⚠️ 25 °C에서 1 pA인 소자가 85 °C에서는 64 pA가 됩니다. 고온 환경이면 반드시 확인하세요.


★ AC 커플링과 바이어스 경로의 딜레마

전극(electrode)의 DC 옵셋을 제거하려면 AC 커플링이 필요하지만, 그러면 입력 바이어스 전류(input bias current)입력 바이어스 전류 input bias currentOP앰프 입력이 스스로 빨아들이는 작은 전류로, 고임피던스 신호원에서는 이것이 곧 오프셋 전압이 됩니다.ΔV=IBRsource\Delta V = I_B R_{source}자세히 보기 →의 경로가 없어집니다.

전극AC 커플링 커패시터DC 오프셋을 끊는다여기서 R_bias 로 접지없으면 입력이 떠서 회로가 죽는다OP앰프 (+)

⚠️ AC 커플링을 하면 바이어스 저항이 반드시 필요합니다. 커패시터가 DC 를 끊으므로, 입력 바이어스 전류가 흘러갈 길이 없어집니다. 그러면 입력 전압이 계속 밀려 올라가 레일에 붙고 회로가 동작하지 않습니다.

RbiasR_{bias}가 없으면: 바이어스 전류가 커패시터(capacitor)를 충전해 입력이 레일까지 떠오릅니다.

RbiasR_{bias}의 딜레마:

RbiasR_{bias}✅⚠️
작게 (1 MΩ)옵셋↓, 안정입력 임피던스↓ (신호 감쇠), HPF 차단주파수(cutoff frequency)차단 주파수 cutoff frequency필터의 출력이 입력보다 −3 dB(약 0.707배)로 떨어지는 주파수입니다.fc=12πRCf_c = \frac{1}{2\pi RC}자세히 보기 →↑
크게 (100 MΩ)입력 임피던스↑, 낮은 fcf_c옵셋↑ (IB×RI_B\times R), 열잡음(thermal noise)열잡음 thermal noise모든 저항이 온도 때문에 내는 피할 수 없는 잡음으로, 측정의 바닥을 정합니다.en=4kBTRe_n = \sqrt{4k_BTR}자세히 보기 →↑, 누설에 민감

계산 예제

IBI_B = 1 pA, RbiasR_{bias} = 100 MΩ:

ΔV=100 μV\Delta V = 100\ \mu\text{V}
기호
Delta V전압 변화량voltage changeV
mu이동도mobilitym²/V·s
V전압voltageV

50 µV 신호의 2배 — 하지만 DC이므로 AC 커플링 뒤에서는 다시 제거됩니다. 문제는 이 옵셋이 다음 단에서 증폭되는 것입니다.

열잡음: 4kT×108\sqrt{4kT\times10^8} = 1.29 µV/√Hz — 매우 큽니다!

⚠️ 큰 바이어스 저항의 열잡음이 시스템을 지배할 수 있습니다.

완화: 바이어스 저항을 부트스트랩(출력으로 구동)하면, 신호 입장에서 본 임피던스는 커지면서 잡음 기여는 유지됩니다. 또는 DC 서보를 써서 저항 없이 바이어스를 공급합니다 → 05


계산 예제 — 전극 입력단 종합 설계

신호원: 전극 1 MΩ, DC 옵셋 ±50 mV, 신호 50 µV, 대역 0.5 Hz~5 kHz

설계:

전극R_prot 10 kΩ과전압 보호C 1 µFAC 커플링 — 전극 반전위 제거R_bias 100 MΩ바이어스 전류 경로 + 입력 임피던스 결정OPA140 버퍼

HPF 차단주파수: fc=12π×100 M×1 μ≈0.0016 Hzf_c = \dfrac{1}{2\pi \times 100\,\text{M} \times 1\,\mu} \approx 0.0016\ \text{Hz} — LFP(1 Hz)까지 통과합니다.

RbiasR_{bias} 를 크게 잡을수록 저주파가 잘 통과하지만, 열잡음(4kBTR\sqrt{4k_BTR})도 커지고 바이어스 전류 × R 만큼 오프셋도 생깁니다. OPA140 처럼 바이어스 전류가 pA 급인 소자를 써야 100 MΩ 이 성립합니다.

1) 저항성 로딩

Zin=100 MΩ∥1012≈100 MΩZ_{in} = 100\ \text{M}\Omega \parallel 10^{12} \approx 100\ \text{M}\Omega
기호
Z_in입력 임피던스input impedanceΩ
손실=1M101M≈1%✅\text{손실} = \frac{1\text{M}}{101\text{M}} \approx 1\% \quad ✅

2) HPF 차단주파수

fc=12π(RS+Rbias)C=12π×101×106×10−6≈1.6 mHzf_c = \frac{1}{2\pi(R_S+R_{bias})C} = \frac{1}{2\pi\times101\times10^6\times10^{-6}} \approx 1.6\ \text{mHz}
기호
C정전용량capacitanceF
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz
R_bias바이어스 저항bias resistanceΩ
R_S신호원 저항source resistanceΩ

✅ 0.5 Hz 신호를 충분히 통과 (단, 시정수 101초로 기동이 매우 느림)

3) 용량성 로딩 CinC_{in} = 3 pF(OP앰프) + 2 pF(PCB) = 5 pF, RsourceR_{source} = 1 MΩ + 10 kΩ:

fc=12π×106×5×10−12≈31.8 kHzf_c = \frac{1}{2\pi\times10^6\times5\times10^{-12}} \approx 31.8\ \text{kHz}
기호
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz

✅ 5 kHz의 6배

4) 바이어스 전류 옵셋

ΔV=1 pA×100 MΩ=100 μV\Delta V = 1\ \text{pA}\times100\ \text{M}\Omega = 100\ \mu\text{V}
기호
Delta V전압 변화량voltage changeV
mu이동도mobilitym²/V·s
V전압voltageV

버퍼 출력에 100 µV 옵셋. 다음 단에서 게인 100이면 10 mV — 허용 가능

5) 잡음

잡음원밀도
전극 (1 MΩ)128.7 nV/√Hz
보호 저항 (10 kΩ)12.9 nV/√Hz
바이어스 저항 (100 MΩ)1287 nV/√Hz ❌
OPA1405.1 nV/√Hz

⚠️ 바이어스 저항의 잡음이 전극의 10배!

해결:

  • 바이어스 저항을 부트스트랩(bootstrap) → 신호 대역에서 잡음 기여 감소
  • 또는 DC 서보로 대체
  • 또는 바이어스 저항을 10 MΩ으로 낮춤 (잡음 407 nV/√Hz — 여전히 크지만 개선)

이 계산이 없었다면 “왜 잡음이 예상보다 10배 크지?”에서 헤맸을 것입니다.

바이어스 저항은 조용한 부품이 아닙니다.


시뮬레이션으로 확인

입력 임피던스와 3가지 로딩 회로도RE1MΩ전극RPROT10kΩ보호 저항CC1µFAC 커플링VSIG50µVRBIAS100MΩ바이어스 저항CIN5pF입력 기생 용량VP5VVN-5VU1OPA140VCCVCCVEEVEESRCP1P2INOUTGND
입력 임피던스와 3가지 로딩워크벤치에서 열기 →
# examples/13-signal-chain/input-loading.yaml
meta:
  name: 입력 임피던스와 3가지 로딩
  lesson: docs/13-signal-chain/03-input-impedance.md
  note: RBIAS와 CIN을 바꾸며 대역폭과 옵셋 변화를 관찰
components:
  - {ref: VP,    type: vdc, value: 5}
  - {ref: VN,    type: vdc, value: -5}
  - {ref: VSIG,  type: vac, value: 50u}
  - {ref: RE,    type: r, value: 1MEG,  label: 전극}
  - {ref: RPROT, type: r, value: 10k,   label: 보호 저항}
  - {ref: CC,    type: c, value: 1u,    label: AC 커플링}
  - {ref: RBIAS, type: r, value: 100MEG, label: 바이어스 저항}
  - {ref: CIN,   type: c, value: 5p,    label: 입력 기생 용량}
  - {ref: U1,    type: opamp, model: OPA140}
nets:
  VCC: [VP.p, U1.'v+']
  VEE: [VN.p, U1.'v-']
  SRC: [VSIG.p, RE.1]
  P1:  [RE.2, RPROT.1]
  P2:  [RPROT.2, CC.1]
  IN:  [CC.2, RBIAS.1, CIN.1, U1.'in+']
  OUT: [U1.out, U1.'in-']
  GND: [VP.n, VN.n, VSIG.n, RBIAS.2, CIN.2]
analyses:
  - {type: op}
  - {type: ac, sweep: dec, points: 30, fstart: 0.001, fstop: 10MEG}
  - {type: noise, out: OUT, source: VSIG, sweep: dec, points: 10, fstart: 0.1, fstop: 100k}

잡음 해석 결과에서 RBIAS의 기여도를 확인하세요. 예상대로 지배적일 것입니다.


⚖️ 부품 트레이드오프

선택✅ 좋아지는 것⚠️ 나빠지는 것
CMOS/JFET 입력바이어스 전류 pA전압 잡음·1/f↑
바이폴라 입력전압 잡음↓바이어스 전류 nA → 고임피던스 불가
큰 바이어스 저항입력 임피던스↑, fcf_c↓열잡음↑, 옵셋↑
작은 바이어스 저항잡음↓, 옵셋↓입력 임피던스↓, fcf_c↑
부트스트랩 바이어스실효 임피던스↑ 유지하며 잡음 개선회로 복잡, 발진 위험
DC 서보저항 없이 바이어스, 저잡음회로 추가, 안정성
보호 저항과전압 보호열잡음 추가, 대역폭↓
드리븐 실드케이블 용량 무효화버퍼 추가

🔌 실제 쓰임새

신호원권장 입력단
전극 (1 MΩ, AC)CMOS 버퍼 + 부트스트랩 바이어스 또는 DC 서보
전극 (DC 측정 필요)초저바이어스 (fA급) + 가드링
정전용량(capacitance) 센서전하 증폭기 + 드리븐 실드
열전대 (수십 Ω)저잡음 바이폴라 계측 증폭기(instrumentation amplifier)계측 증폭기 instrumentation amplifier두 입력 모두 임피던스가 높으면서 차동만 증폭하는 구조로, 전극 측정의 표준 첫 단입니다.자세히 보기 →
포토다이오드TIA (반전 구성이 오히려 유리)
압전 센서 (nF)전하 증폭기 또는 고임피던스 버퍼

⚠️ 이상과 실제의 차이

이상실제
입력 임피던스 무한바이어스 저항이 실제 한계
입력 용량 무시대역폭을 지배
바이어스 전류 0온도에 따라 지수적 증가
바이어스 저항은 조용함열잡음이 지배할 수 있음
PCB 누설 없음습기·플럭스로 GΩ 누설 → 가드링 필요

연습문제

문제 1. 소스 1 MΩ, 입력 용량 20 pF. 대역폭은? 5 kHz 신호에 충분합니까?

exercises/13-03-1meg-20pf.yaml
풀이 fc=12π×106×20×10−12≈7.96 kHzf_c = \frac{1}{2\pi\times10^6\times20\times10^{-12}} \approx 7.96\ \text{kHz}
기호
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz

5 kHz는 fcf_c의 63%이므로 약 1.5 dB 감쇠하고 위상(phase)이 32° 지연됩니다. 파형 충실도가 중요하면 부족합니다.

필요: fc>5kHz×5=25f_c > 5\text{kHz}\times5 = 25 kHz → Cin<6.4C_{in} < 6.4 pF 또는 Rsource<320R_{source} < 320 kΩ

해결: 소스 옆 버퍼가 근본 대책입니다.

문제 2. IBI_B = 50 pA, 바이어스 저항 50 MΩ. DC 옵셋과 열잡음은?

연습 13-03-2 — 바이어스 저항 50 MΩ 이 만드는 옵셋과 잡음 회로도RS1MΩ전극 임피던스CC1µFAC 커플링VS1V신호IB50pA입력 바이어스 전류RB50MΩ바이어스 저항VP5VVN-5VU1OPA140VCCVCCVEEVEESRCELINOUTGND
연습 13-03-2 — 바이어스 저항 50 MΩ 이 만드는 옵셋과 잡음워크벤치에서 열기 →
풀이

옵셋: 50×10−12×50×106=2.5 mV50\times10^{-12}\times50\times10^6 = 2.5\ \text{mV}

열잡음: 4×1.38×10−23×300×5×107≈910 nV/Hz\sqrt{4\times1.38\times10^{-23}\times300\times5\times10^7} \approx 910\ \text{nV}/\sqrt{\text{Hz}}

둘 다 큽니다. 50 µV 신호에는 부적합합니다.

개선:

  • 바이어스 저항을 5 MΩ으로 → 옵셋 0.25 mV, 잡음 288 nV/√Hz
  • 또는 DC 서보로 저항 제거
  • IBI_B가 더 낮은 소자 (1 pA급)

문제 3. AC 커플링 없이 전극을 직접 CMOS 버퍼에 연결하면 어떤 문제가 생깁니까?

exercises/13-03-dc-coupled-electrode.yaml
풀이

1) DC 옵셋이 그대로 증폭됩니다

전극 반전위(half-cell potential)는 ±50~300 mV에 달합니다. 게인 100만 걸어도 5~30 V가 되어 완전히 포화합니다.

2) 옵셋이 시간에 따라 드리프트합니다

전극-전해질 계면이 변하면서 옵셋이 수 mV/분 수준으로 변합니다. 이것이 저주파 잡음(드리프트)으로 나타납니다.

3) 채널마다 옵셋이 다릅니다

다채널이면 각 채널의 옵셋이 제각각이라 일괄 보정이 불가능합니다.

해결 방법:

방법✅⚠️
AC 커플링 (C+R)간단, 확실바이어스 저항 필요(잡음), 긴 시정수, 회복 느림
DC 서보저잡음, 빠른 회복, 저항 불필요회로 복잡, 안정성
디지털 옵셋 제거유연ADC가 옵셋까지 커버해야 → 동적 범위 낭비
첫 단 게인을 낮게포화(saturation) 방지후단 잡음↑

실무 조합: 첫 단 게인 10 이하 + AC 커플링 또는 DC 서보 + 그 뒤 큰 게인

자세한 설계 → 05 DC 오프셋 제거


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