입력 임피던스와 로딩
한 줄 요약 — 고임피던스 신호원에서는 저항·용량·전류 세 가지 로딩(loading)을 모두 확인해야 합니다.
세 가지 로딩
| 종류 | 증상 | 원인 | 대책 |
|---|---|---|---|
| 저항성 | DC 신호 감쇠 | 이 과 비슷 | 높은 |
| 용량성 | 고주파 감쇠, 대역폭(bandwidth) 제한 | + | 낮은 |
| 전류성 | DC 옵셋 | 낮은 (FET/CMOS) |
세 가지 모두 가 클 때 나빠집니다.
1. 저항성 로딩
V_in입력 전압input voltageVV_source신호원 전압source voltageVZ_in입력 임피던스input impedanceΩZ_source신호원 임피던스source impedanceΩ| 손실 | |
|---|---|
| 10 | 9.1% |
| 100 | 1.0% |
| 1000 | 0.1% |
| 0.0001% |
FET/CMOS 입력()이면 사실상 문제없습니다.
⚠️ 단, 바이어스 저항이 병렬로 붙으면 그것이 실제 입력 임피던스(impedance)가 됩니다.
바이어스 저항이 입력 임피던스를 결정합니다.
| 값 | |
|---|---|
| OP앰프 자체 입력 저항 | 이상 |
| 10 MΩ | |
| 실제 입력 임피던스 | 10 MΩ — 병렬이므로 작은 쪽이 이김 |
아무리 좋은 FET 입력 OP앰프를 써도, 바이어스 저항을 달면 입력 임피던스는 그 저항값이 됩니다. 소자 데이터시트만 보고 안심하면 안 됩니다.
AC 커플링을 쓰면 반드시 바이어스 저항이 필요하고, 그것이 입력 임피던스를 제한합니다.
2. 용량성 로딩 (가장 중요)
C_in입력 정전용량input capacitanceFf_c차단 주파수cutoff frequencyHzR_source신호원 저항source resistanceΩ은 다음의 합입니다:
| 요소 | 값 |
|---|---|
| OP앰프 입력 용량 | 2~10 pF |
| PCB 배선(trace) | 1~3 pF/cm |
| 보호 다이오드(diode) | 1~5 pF |
| 커넥터 | 1~5 pF |
| 케이블 | 100 pF/m |
| 소켓 | 2~5 pF |
케이블이 압도적입니다.
대책 — 효과 순
| 방법 | 효과 |
|---|---|
| 소스 옆에 버퍼 | 를 낮춤 → 근본 해결 ✅ |
| 드리븐 실드(driven shield)드리븐 실드 driven shield케이블 차폐를 신호와 같은 전압으로 구동해 케이블 용량을 사실상 없애는 방법입니다.자세히 보기 → | 를 무효화 (12-06) |
| 케이블 단축 | 비례 |
| 저용량 케이블 | 2~3배 |
| 가드링(guard ring)가드링 guard ring고임피던스 노드를 같은 전압의 링으로 둘러싸 표면 누설을 없애는 기법입니다.자세히 보기 → | PCB 기생 무효화 |
| 낮은 입력 용량 소자 | 소폭 |
3. 전류성 로딩 (입력 바이어스 전류)
Delta V전압 변화량voltage changeVI_B베이스 전류base currentAR_source신호원 저항source resistanceΩV전압voltageV| =1 MΩ | =100 MΩ | |
|---|---|---|
| 1 µA (바이폴라) | 1 V ❌ | — |
| 10 nA | 10 mV | 1 V ❌ |
| 1 pA (CMOS) | 1 µV ✅ | 100 µV |
| 1 fA (초저바이어스) | 1 nV | 100 nV ✅ |
고임피던스 측정에서는 CMOS/JFET 입력이 필수입니다.
바이어스 전류의 온도 의존성
| 소자 | 온도 특성 |
|---|---|
| 바이폴라 | 완만 (±0.5%/°C) |
| JFET/CMOS | 10 °C마다 2배 (누설 특성) |
⚠️ 25 °C에서 1 pA인 소자가 85 °C에서는 64 pA가 됩니다. 고온 환경이면 반드시 확인하세요.
★ AC 커플링과 바이어스 경로의 딜레마
전극(electrode)의 DC 옵셋을 제거하려면 AC 커플링이 필요하지만, 그러면 입력 바이어스 전류(input bias current)입력 바이어스 전류 input bias currentOP앰프 입력이 스스로 빨아들이는 작은 전류로, 고임피던스 신호원에서는 이것이 곧 오프셋 전압이 됩니다.자세히 보기 →의 경로가 없어집니다.
⚠️ AC 커플링을 하면 바이어스 저항이 반드시 필요합니다. 커패시터가 DC 를 끊으므로, 입력 바이어스 전류가 흘러갈 길이 없어집니다. 그러면 입력 전압이 계속 밀려 올라가 레일에 붙고 회로가 동작하지 않습니다.
가 없으면: 바이어스 전류가 커패시터(capacitor)를 충전해 입력이 레일까지 떠오릅니다.
의 딜레마:
| ✅ | ⚠️ | |
|---|---|---|
| 작게 (1 MΩ) | 옵셋↓, 안정 | 입력 임피던스↓ (신호 감쇠), HPF 차단주파수(cutoff frequency)차단 주파수 cutoff frequency필터의 출력이 입력보다 −3 dB(약 0.707배)로 떨어지는 주파수입니다.자세히 보기 →↑ |
| 크게 (100 MΩ) | 입력 임피던스↑, 낮은 | 옵셋↑ (), 열잡음(thermal noise)열잡음 thermal noise모든 저항이 온도 때문에 내는 피할 수 없는 잡음으로, 측정의 바닥을 정합니다.자세히 보기 →↑, 누설에 민감 |
계산 예제
= 1 pA, = 100 MΩ:
Delta V전압 변화량voltage changeVmu이동도mobilitym²/V·sV전압voltageV50 µV 신호의 2배 — 하지만 DC이므로 AC 커플링 뒤에서는 다시 제거됩니다. 문제는 이 옵셋이 다음 단에서 증폭되는 것입니다.
열잡음: = 1.29 µV/√Hz — 매우 큽니다!
⚠️ 큰 바이어스 저항의 열잡음이 시스템을 지배할 수 있습니다.
완화: 바이어스 저항을 부트스트랩(출력으로 구동)하면, 신호 입장에서 본 임피던스는 커지면서 잡음 기여는 유지됩니다. 또는 DC 서보를 써서 저항 없이 바이어스를 공급합니다 → 05
계산 예제 — 전극 입력단 종합 설계
신호원: 전극 1 MΩ, DC 옵셋 ±50 mV, 신호 50 µV, 대역 0.5 Hz~5 kHz
설계:
HPF 차단주파수: — LFP(1 Hz)까지 통과합니다.
를 크게 잡을수록 저주파가 잘 통과하지만, 열잡음()도 커지고 바이어스 전류 × R 만큼 오프셋도 생깁니다. OPA140 처럼 바이어스 전류가 pA 급인 소자를 써야 100 MΩ 이 성립합니다.
1) 저항성 로딩
Z_in입력 임피던스input impedanceΩ2) HPF 차단주파수
C정전용량capacitanceFf_c차단 주파수cutoff frequencyHzR_bias바이어스 저항bias resistanceΩR_S신호원 저항source resistanceΩ✅ 0.5 Hz 신호를 충분히 통과 (단, 시정수 101초로 기동이 매우 느림)
3) 용량성 로딩 = 3 pF(OP앰프) + 2 pF(PCB) = 5 pF, = 1 MΩ + 10 kΩ:
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz✅ 5 kHz의 6배
4) 바이어스 전류 옵셋
Delta V전압 변화량voltage changeVmu이동도mobilitym²/V·sV전압voltageV버퍼 출력에 100 µV 옵셋. 다음 단에서 게인 100이면 10 mV — 허용 가능
5) 잡음
| 잡음원 | 밀도 |
|---|---|
| 전극 (1 MΩ) | 128.7 nV/√Hz |
| 보호 저항 (10 kΩ) | 12.9 nV/√Hz |
| 바이어스 저항 (100 MΩ) | 1287 nV/√Hz ❌ |
| OPA140 | 5.1 nV/√Hz |
⚠️ 바이어스 저항의 잡음이 전극의 10배!
해결:
- 바이어스 저항을 부트스트랩(bootstrap) → 신호 대역에서 잡음 기여 감소
- 또는 DC 서보로 대체
- 또는 바이어스 저항을 10 MΩ으로 낮춤 (잡음 407 nV/√Hz — 여전히 크지만 개선)
이 계산이 없었다면 “왜 잡음이 예상보다 10배 크지?”에서 헤맸을 것입니다.
바이어스 저항은 조용한 부품이 아닙니다.
시뮬레이션으로 확인
# examples/13-signal-chain/input-loading.yaml
meta:
name: 입력 임피던스와 3가지 로딩
lesson: docs/13-signal-chain/03-input-impedance.md
note: RBIAS와 CIN을 바꾸며 대역폭과 옵셋 변화를 관찰
components:
- {ref: VP, type: vdc, value: 5}
- {ref: VN, type: vdc, value: -5}
- {ref: VSIG, type: vac, value: 50u}
- {ref: RE, type: r, value: 1MEG, label: 전극}
- {ref: RPROT, type: r, value: 10k, label: 보호 저항}
- {ref: CC, type: c, value: 1u, label: AC 커플링}
- {ref: RBIAS, type: r, value: 100MEG, label: 바이어스 저항}
- {ref: CIN, type: c, value: 5p, label: 입력 기생 용량}
- {ref: U1, type: opamp, model: OPA140}
nets:
VCC: [VP.p, U1.'v+']
VEE: [VN.p, U1.'v-']
SRC: [VSIG.p, RE.1]
P1: [RE.2, RPROT.1]
P2: [RPROT.2, CC.1]
IN: [CC.2, RBIAS.1, CIN.1, U1.'in+']
OUT: [U1.out, U1.'in-']
GND: [VP.n, VN.n, VSIG.n, RBIAS.2, CIN.2]
analyses:
- {type: op}
- {type: ac, sweep: dec, points: 30, fstart: 0.001, fstop: 10MEG}
- {type: noise, out: OUT, source: VSIG, sweep: dec, points: 10, fstart: 0.1, fstop: 100k}잡음 해석 결과에서 RBIAS의 기여도를 확인하세요. 예상대로 지배적일 것입니다.
⚖️ 부품 트레이드오프
| 선택 | ✅ 좋아지는 것 | ⚠️ 나빠지는 것 |
|---|---|---|
| CMOS/JFET 입력 | 바이어스 전류 pA | 전압 잡음·1/f↑ |
| 바이폴라 입력 | 전압 잡음↓ | 바이어스 전류 nA → 고임피던스 불가 |
| 큰 바이어스 저항 | 입력 임피던스↑, ↓ | 열잡음↑, 옵셋↑ |
| 작은 바이어스 저항 | 잡음↓, 옵셋↓ | 입력 임피던스↓, ↑ |
| 부트스트랩 바이어스 | 실효 임피던스↑ 유지하며 잡음 개선 | 회로 복잡, 발진 위험 |
| DC 서보 | 저항 없이 바이어스, 저잡음 | 회로 추가, 안정성 |
| 보호 저항 | 과전압 보호 | 열잡음 추가, 대역폭↓ |
| 드리븐 실드 | 케이블 용량 무효화 | 버퍼 추가 |
🔌 실제 쓰임새
| 신호원 | 권장 입력단 |
|---|---|
| 전극 (1 MΩ, AC) | CMOS 버퍼 + 부트스트랩 바이어스 또는 DC 서보 |
| 전극 (DC 측정 필요) | 초저바이어스 (fA급) + 가드링 |
| 정전용량(capacitance) 센서 | 전하 증폭기 + 드리븐 실드 |
| 열전대 (수십 Ω) | 저잡음 바이폴라 계측 증폭기(instrumentation amplifier)계측 증폭기 instrumentation amplifier두 입력 모두 임피던스가 높으면서 차동만 증폭하는 구조로, 전극 측정의 표준 첫 단입니다.자세히 보기 → |
| 포토다이오드 | TIA (반전 구성이 오히려 유리) |
| 압전 센서 (nF) | 전하 증폭기 또는 고임피던스 버퍼 |
⚠️ 이상과 실제의 차이
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 입력 임피던스 무한 | 바이어스 저항이 실제 한계 |
| 입력 용량 무시 | 대역폭을 지배 |
| 바이어스 전류 0 | 온도에 따라 지수적 증가 |
| 바이어스 저항은 조용함 | 열잡음이 지배할 수 있음 |
| PCB 누설 없음 | 습기·플럭스로 GΩ 누설 → 가드링 필요 |
연습문제
문제 1. 소스 1 MΩ, 입력 용량 20 pF. 대역폭은? 5 kHz 신호에 충분합니까?
exercises/13-03-1meg-20pf.yaml풀이
f_c차단 주파수cutoff frequencyHz5 kHz는 의 63%이므로 약 1.5 dB 감쇠하고 위상(phase)이 32° 지연됩니다. 파형 충실도가 중요하면 부족합니다.
필요: kHz → pF 또는 kΩ
해결: 소스 옆 버퍼가 근본 대책입니다.
문제 2. = 50 pA, 바이어스 저항 50 MΩ. DC 옵셋과 열잡음은?
풀이
옵셋:
열잡음:
둘 다 큽니다. 50 µV 신호에는 부적합합니다.
개선:
- 바이어스 저항을 5 MΩ으로 → 옵셋 0.25 mV, 잡음 288 nV/√Hz
- 또는 DC 서보로 저항 제거
- 가 더 낮은 소자 (1 pA급)
문제 3. AC 커플링 없이 전극을 직접 CMOS 버퍼에 연결하면 어떤 문제가 생깁니까?
exercises/13-03-dc-coupled-electrode.yaml풀이
1) DC 옵셋이 그대로 증폭됩니다
전극 반전위(half-cell potential)는 ±50~300 mV에 달합니다. 게인 100만 걸어도 5~30 V가 되어 완전히 포화합니다.
2) 옵셋이 시간에 따라 드리프트합니다
전극-전해질 계면이 변하면서 옵셋이 수 mV/분 수준으로 변합니다. 이것이 저주파 잡음(드리프트)으로 나타납니다.
3) 채널마다 옵셋이 다릅니다
다채널이면 각 채널의 옵셋이 제각각이라 일괄 보정이 불가능합니다.
해결 방법:
| 방법 | ✅ | ⚠️ |
|---|---|---|
| AC 커플링 (C+R) | 간단, 확실 | 바이어스 저항 필요(잡음), 긴 시정수, 회복 느림 |
| DC 서보 | 저잡음, 빠른 회복, 저항 불필요 | 회로 복잡, 안정성 |
| 디지털 옵셋 제거 | 유연 | ADC가 옵셋까지 커버해야 → 동적 범위 낭비 |
| 첫 단 게인을 낮게 | 포화(saturation) 방지 | 후단 잡음↑ |
실무 조합: 첫 단 게인 10 이하 + AC 커플링 또는 DC 서보 + 그 뒤 큰 게인
자세한 설계 → 05 DC 오프셋 제거
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