테스트 톤으로 실측
한 줄 요약 — 알려진 신호를 넣고 나오는 것을 봅니다. 이득·대역폭(bandwidth)·왜곡·크로스토크(crosstalk)를 한 번에 검증할 수 있습니다.
왜 필요한가
설계값과 실물이 다른 이유는 수없이 많습니다. 알려진 신호를 넣어보는 것만이 확실한 검증입니다.
| 검증 항목 | 방법 |
|---|---|
| 이득 | 단일 주파수 톤 |
| 주파수 응답 | 주파수 스윕 |
| 위상(phase) 응답 | 입출력 위상차 |
| 왜곡 (THD) | 정현파 + FFT |
| 크로스토크 | 한 채널에만 주입 |
| 세틀링 | 스텝 입력 |
| 동적 범위 | 진폭 스윕 |
★ 문제: 신호가 너무 작습니다
측정 대상이 µV급인데, 함수 발생기(function generator)의 최소 출력은 보통 mV~V입니다.
해결: 감쇠기
µV 급 시험 신호를 만드는 법입니다. 발생기에서 직접 100 µV 를 내려 하면 잡음과 왜곡이 심하므로, 1 V 를 정확히 내고 저항으로 나눕니다.
mu이동도mobilitym²/V·sR_11번 저항resistance 1ΩR_22번 저항resistance 2ΩV_in입력 전압input voltageVV_out출력 전압output voltageV감쇠비 10,000:1 (−80 dB)
⚠️ 감쇠기 설계 주의
| 주의 | 이유 |
|---|---|
| 출력 임피던스(impedance) | = 10 Ω — 신호원 임피던스를 모사하려면 조정 필요 |
| 차폐(shielding) | 100 kΩ 쪽이 안테나가 되어 간섭(interference)을 주움 |
| 접지 | 감쇠기 접지와 회로 접지를 한 점에서 |
| 열잡음(thermal noise) | 가 작으므로 무시 가능 ✅ |
💡 를 작게(수~수십 Ω) 하는 것이 핵심입니다. 출력 임피던스가 낮아 잡음과 간섭에 강합니다.
소스 임피던스를 모사하려면
분압만 하면 신호원 임피던스가 10 Ω 으로 매우 낮아, 실제 전극(200 kΩ)일 때와 다른 결과가 나옵니다. 뒤에 저항을 하나 더 넣어 실제 조건을 재현합니다.
감쇠 후에 실제 전극(electrode) 임피던스와 같은 저항을 직렬로 넣으면, 로딩(loading)로딩 loading뒷단이 앞단에서 전류를 끌어가면서 신호가 줄어드는 현상으로, 고임피던스 신호원에서 특히 심합니다.자세히 보기 →·잡음 조건까지 재현됩니다.
검증 항목별 절차
1. 이득 확인
- 신호 대역 중앙 주파수(예: 1 kHz) 정현파 주입
- 입력 진폭(감쇠 후 계산값)과 출력 진폭 측정
- 이득 = 출력/입력
- 설계값과 비교 (±5% 이내면 정상)
⚠️ 입력 진폭을 직접 측정할 수 없습니다(너무 작음). 감쇠기의 감쇠비를 별도로 검증해두세요 (큰 신호로).
2. 주파수 응답
- 주파수를 스윕 (0.1 Hz ~ 100 kHz, 로그 간격)
- 각 주파수에서 출력 진폭 기록
- 보드선도 작성
- -3dB 지점, 롤오프 기울기 확인
확인:
- HPF 차단주파수(cutoff frequency)차단 주파수 cutoff frequency필터의 출력이 입력보다 −3 dB(약 0.707배)로 떨어지는 주파수입니다.자세히 보기 →가 설계대로인가
- LPF 차단주파수와 차수가 맞는가
- 통과대역이 평탄한가
- 예상치 못한 피크나 딥이 없는가 (공진(resonance)공진 resonance인덕터와 커패시터의 임피던스가 서로 상쇄되는 주파수로, 그 자리에서 전압이나 전류가 크게 솟습니다.자세히 보기 →, 발진 조짐)
3. 위상 응답
입출력을 2채널로 동시에 보고 위상차를 측정합니다.
용도: 군지연(group delay) 확인(파형 왜곡), 안정성 여유 추정
4. 왜곡 (THD)
- 순수한 정현파 주입 (함수 발생기 THD 확인)
- 출력을 FFT
- 기본파 대비 고조파 크기 측정
THD전고조파 왜곡total harmonic distortiondBV_11번 전압voltage 1VV_22번 전압voltage 2VV_33번 전압voltage 3V왜곡의 원인:
- 포화 (진폭이 너무 큼)
- 슬루레이트(slew rate)슬루레이트 slew rate출력이 오를 수 있는 최고 속도로, 이걸 넘기면 정현파가 삼각파로 잘려 나옵니다.자세히 보기 → 부족
- 소자 비선형성
- 크로스오버 왜곡 (클래스 AB 출력단)
5. ★ 크로스토크
- 채널 1에만 큰 신호 주입
- 채널 2~N의 출력 측정
- crosstalk = 20·log10(V_ch2 / V_ch1)
목표: 12비트 시스템이면 −74 dB 이하
원인 구분 (12-04):
- 인접 채널에서만 → 공간적 결합(coupling)
- 이전에 읽은 채널에서 → 시간적(세틀링)
- 모든 채널에서 → 공통 경로(전원, 접지)
6. 세틀링
- 사각파(스텝) 주입
- 출력의 정착 파형 관찰
- 0.1%(또는 요구 정확도) 이내로 들어오는 시간 측정
확인: 오버슈트(overshoot)오버슈트 overshoot계단 입력에 응답이 목표값을 넘어 솟는 정도로, 감쇠비 하나로 정해집니다.자세히 보기 →, 링잉, 느린 꼬리(유전 흡수(dielectric absorption)유전 흡수 dielectric absorption방전시킨 커패시터에 전압이 슬금슬금 되살아나는 현상으로, 샘플홀드와 적분기의 오차가 됩니다.자세히 보기 →)
★ 교정 신호 주입 경로를 설계에 넣기
보드에 교정 입력을 미리 만들어 두는 것을 권합니다. 문제가 생겼을 때 회로를 뜯지 않고 게인·대역·크로스토크를 바로 잴 수 있습니다.
설계 단계에서 이 경로를 넣어두면:
| 이점 |
|---|
| 언제든 전 채널의 이득·대역·크로스토크 확인 |
| 현장에서 고장 진단 |
| 장기 실험 중 드리프트 추적 |
| 채널별 교정(calibration) 계수 갱신 |
💡 상용 다채널 기록 시스템은 대부분 이 기능을 내장하고 있습니다. 자체 제작할 때도 반드시 넣으세요.
계산 예제 — 감쇠기 설계
요구: 함수 발생기 2 Vpp → 회로 입력 50 µVpp, 소스 임피던스 200 kΩ 모사
1) 감쇠비
mu이동도mobilitym²/V·s2) 감쇠기
= 10 Ω로 하면:
R_11번 저항resistance 1ΩR_22번 저항resistance 2Ω3) 소스 임피던스 추가
감쇠기 출력 임피던스 ≈ 10 Ω. 200 kΩ을 직렬로 추가:
실전 구성 예 — 분압 + 소스 임피던스 재현을 한 번에
| 저항 | 값 | 역할 |
|---|---|---|
| R1 | 400 kΩ | 분압 (윗단) |
| R2 | 10 Ω | 분압 (아랫단) → 약 25 µV/V |
| R_s | 200 kΩ | 실제 전극 임피던스 재현 |
4) 검증
- 감쇠비: ✅
- 출력 임피던스: ✅
- 열잡음: 200 kΩ에서 57.5 nV/√Hz — 실제 전극과 동일 ✅
5) 주의
- 400 kΩ 쪽 배선(trace)을 짧게, 차폐
- 감쇠기를 회로 입력 바로 옆에 배치
- 함수 발생기 접지와 회로 접지 연결 방식 확인 (접지 루프(ground loop)접지 루프 ground loop접지가 두 경로로 이어져 만들어진 고리로, 자기장을 받아 전압을 만들어 냅니다.자세히 보기 →)
시뮬레이션으로 확인
# examples/14-measurement/test-tone-injection.yaml
meta:
name: 감쇠기를 통한 테스트 톤 주입
lesson: docs/14-measurement/05-test-tone.md
components:
- {ref: VP, type: vdc, value: 5}
- {ref: VN, type: vdc, value: -5}
- {ref: FG, type: vac, value: 1, label: 함수 발생기 (2Vpp)}
- {ref: R1, type: r, value: 400k, label: 감쇠기 상단}
- {ref: R2, type: r, value: 10, label: 감쇠기 하단}
- {ref: RSRC, type: r, value: 200k, label: 소스 임피던스 모사}
- {ref: RA, type: r, value: 1k}
- {ref: RB, type: r, value: 999k}
- {ref: U1, type: opamp, model: OPA140}
nets:
VCC: [VP.p, U1.'v+']
VEE: [VN.p, U1.'v-']
FGO: [FG.p, R1.1]
ATT: [R1.2, R2.1, RSRC.1]
IN: [RSRC.2, U1.'in+']
FB: [U1.'in-', RA.1, RB.1]
OUT: [U1.out, RB.2]
GND: [VP.n, VN.n, FG.n, R2.2, RA.2]
analyses:
- {type: ac, sweep: dec, points: 30, fstart: 0.1, fstop: 1MEG}
expect:
- {measure: gain_db, node: ATT, at: 1k, analysis: ac, value: -92, tol: 1}
- {measure: gain_db, node: OUT, at: 1k, analysis: ac, value: -32, tol: 2}ATT 노드에서 −92 dB, OUT에서 이득 1000(60 dB)이 적용되어 −32 dB가 나옵니다.
⚖️ 트레이드오프
| 선택 | ✅ | ⚠️ |
|---|---|---|
| 저항 감쇠기 | 간단, 저렴, 정확 | 차폐 필요, 접지 주의 |
| 상용 감쇠기 | 정확, 차폐됨 | 비쌈, 감쇠비 제한 |
| 교정 경로 내장 | 언제든 검증 | 스위치가 신호 경로에 (누설·용량) |
| DAC로 신호 생성 | 프로그래머블, 편리 | DAC 잡음·분해능(resolution) |
| 작은 | 낮은 출력 임피던스, 저잡음 | 감쇠비가 커야 함 |
| 큰 | 감쇠비 완화 | 열잡음↑, 간섭에 취약 |
🔌 실제 쓰임새
| 시기 | 목적 |
|---|---|
| 개발 중 | 설계 검증, 디버깅 |
| 제작 후 | 채널별 이득·오프셋 교정 |
| 실험 전 | 시스템 정상 확인 |
| 실험 중 | 드리프트 추적 (교정 경로 내장 시) |
| 고장 진단 | 어느 단이 문제인지 추적 |
⚠️ 이상과 실제의 차이
| 이상 | 실제 |
|---|---|
| 감쇠기가 정확 | 기생 용량(parasitic capacitance)으로 고주파에서 감쇠비 변동 |
| 함수 발생기가 순수 | THD, 잡음 존재 → 왜곡 측정 시 한계 |
| 주입이 무해 | 접지 루프, 간섭 유입 |
| 한 주파수로 충분 | 스윕해야 응답 전체를 앎 |
⚠️ 감쇠기의 고주파 특성: 400 kΩ에 병렬 기생 용량 0.2 pF이면 2 MHz에서 감쇠비가 변합니다. 고주파 측정에서는 보상 커패시터(capacitor)가 필요할 수 있습니다 (1-04).
연습문제
문제 1. 1 Vpp 함수 발생기로 100 µVpp를 만들려면 감쇠기는? ( = 10 Ω)
풀이
R_11번 저항resistance 1ΩR_22번 저항resistance 2ΩR_11번 저항resistance 1Ω100 kΩ + 10 Ω. 출력 임피던스는 약 10 Ω입니다.
문제 2. 주파수 스윕 결과, 통과대역에 10 kHz 부근에서 +3 dB 피크가 보입니다. 무엇을 의심합니까?
exercises/14-05-peaking-3db.yaml풀이
공진 또는 안정성 여유 부족입니다.
가능한 원인:
- 필터의 Q가 높음 — 살렌-키 필터의 부품 값 오차, 또는 설계 실수
- LC 공진 — 전원 필터, 페라이트 비드(ferrite bead) + 커패시터 (4-05)
- 피드백 루프의 위상 여유(phase margin)위상 여유 phase margin루프 이득이 1이 되는 주파수에서 발진까지 얼마나 남았는지를 각도로 나타낸 값입니다.자세히 보기 → 부족 — 발진 직전 상태. 피크가 클수록 위험
- +3 dB 피크 ≈ 위상 여유 40° 정도
- 온도·부품 변화로 발진할 수 있음
- 케이블이나 부하 용량과의 상호작용
진단:
- 스텝 응답을 봅니다. 오버슈트와 링잉(ringing)이 있으면 안정성 문제
- 부하를 바꿔봅니다 (용량성 부하가 원인인지)
- 피크 주파수에서 어떤 소자의 시정수가 그 근처인지 계산
대책: 13-04 — 보상 커패시터, 직렬 저항, 댐핑
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